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米健
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1
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供职机构:
天津大学电子信息工程学院电子信息工程系
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自动化与计算机技术
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合作作者
朱秀文
天津大学电子信息工程学院电子信...
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朱秀文
1篇
米健
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传感技术学报
年份
1篇
1993
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高性能多晶硅压力传感器的研制
1993年
本文介绍的高性能多晶硅压力传感器,以重掺杂的LPCVD多晶硅薄膜作应变敏感电阻,用二氧化硅层隔离单晶硅衬底,使其工作温度高达200℃以上,若用恒流源供应惠斯登电桥,即使在没有外电路补偿情况下,灵敏度系数(TDS)也仅1.32×10^(-6)FS/℃,可实现近乎理想的灵敏度温度补偿.
朱秀文
侯曾燏
米健
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多晶硅
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