简维廷
- 作品数：18 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程理学一般工业技术更多>>
- 非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究
- 2010年
- DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。
- 张启华简维廷丁育林
- 一种异常V_(ramp)I-V曲线分析及其应用探讨被引量：1
- 2009年
- 讨论分析了Vramp测试方法,说明了I-V曲线的特性。就一个异常案例中测得的I-V曲线展开了分析,说明了曲线异常背后的原因,揭示了Vramp测试结果和等离子所致损伤之间的关联。结合其它可靠性测试项目的结果,成功地进行了氧化层性能快速评估,丰富了Vramp测试的应用。
- 简维廷何俊明张荣哲赵永
- 电迁移测试中模型参数估计方法的比较
- 2009年
- 电迁移(Electro-Migration,EM)是集成电路可靠性研究的重要项目之一。本文基于JESD63,基于最小二乘法(LSE)和基于极大似然估计(MLE)来研究不同的统计方法对电迁移的样本估计(t50,σ)和模型参数估计(Ea,n)的影响,并列举了不同统计方法在不同情况下的应用。为电迁移的数据分析提供了更多更灵活的处理方法,此外,对TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)的参数估计同样适用。
- 马瑾怡杨斯元简维廷张荣哲
- 关键词：电迁移模型参数估计
- 栅氧化层经时击穿物理模型应用分析被引量：4
- 2010年
- 讨论了栅氧化层击穿的统计模型,并对业界广泛应用的1/E模型、E模型以及幂指数模型中栅氧化层击穿的物理机理进行了仔细研究,指出了各个模型应用的局限性,结合实验数据分析,明确给出了各个模型的应用范围。详细讨论了电场加速因子与激活能在三个模型中的不同物理含义,总结了电场加速因子、激活能随着栅氧化层厚度变化的发展趋势以及所对应的击穿机理,据此提出了通过激活能与电场加速因子选择和验证所用加速模型是否合理的方法。此方法为判断测试条件是否合理,分析测试结果的内在含义提供了更直接、有用的参考信息。
- 简维廷赵永张荣哲
- 关键词：栅氧化层经时击穿激活能
- “楔形”TEM样品的机械研磨制备技术被引量：3
- 2010年
- 介绍了一种用机械研磨法制备集成电路TEM楔形样品的技术,讨论了该制样技术所需注意的关键点,并给出了判断样品薄区是否满足TEM分析要求的两种方法。楔形样品减薄技术兼具制样速度快和样品质量好的优点。该技术既可用于制备非定点TEM样品,也可用于制备定点的TEM样品。给出了用该技术制备的定点失效的MOS器件TEM照片。熟练的技术人员可以用此方法在半小时内完成一个样品的制备。
- 张启华赵燕丽高强李明牛崇实简维廷
- 关键词：机械研磨透射电子显微镜
- 先进半导体制造之内建式可靠性数据分析系统
- 2004年
- 开发内建式可靠性(BIR)数据库系统,使我们能利用所累积的早期信息减少市场风险和缩短产品开发的时间。作为一个系统,其包含了所有可靠性资料和相关的信息,而且能够帮助工程师做一些相关的资料分析及研究。因此开发这样一个数据库系统,使我们能够在新的技术产品开发前进行初始化评估;在设计发展的过程中,尽早地发现可能的改进和不稳定的因素,从而大大降低生产风险,缩短生产周期,也有效地压缩了成本。本文从三个方面来具体介绍这个系统。首先介绍这个系统的框架建立;第二部分介绍系统的功能特点,发展目标及优势;最后介绍系统的应用及前景。
- 曾繁中简维廷龚斌陆黎明马瑾怡
- 关键词：可靠性数据库系统架构半导体制造
- 先进集成电路制造的圆片级可靠性系统
- 2004年
- 圆片级可靠性测试是从可靠性物理的基础上发展起来的,利用工艺过程统计的控制方法来收集数据,并且通过快速的参数测量来检测出导致产品可靠性退化的原因。这种测试采用的是较高的、但在容许范围之内的测量应力(如温度、电压、电流),将其加到圆片上的测试结构中,然后测量由这种应力所产生的品质退化。圆片级可靠性测试系统主要分4个阶段:圆片级可靠性设计与发展(WLRD:WLRDesign&Develop鄄ment);圆片级可靠性评估及验证(WLRA:WLRAssessment);圆片级可靠性基准建立(WLRB:WLRBase鄄line);圆片级可靠性控制(WLRC:WLRControl)。WLR系统已经成功地运用于从0.35μm到0.13μm的逻辑电路及存储器的生产中。
- 曾繁中简维廷陈雷刚施雯蔡炳初
- 关键词：集成电路封装可靠性
- 大规模集成电路制造洁净厂房消防设计被引量：2
- 2015年
- 从近年大规模集成电路制造洁净厂房消防设计案例及日常运行的实际经验出发,结合国内相关标准及国际标准的相关规定,对大规模集成电路制造洁净厂房消防设计中的一些要点进行了探讨,并给出相应的建议性设计方式及依据,包括火灾危险性等级、耐火等级及防火分区的确定,火灾自动报警系统、自动灭火系统、机械排烟系统及其他需特殊设备设施消防保护等的设计要求及需特别注意的要点。
- 李三良蔡娜简维廷
- 关键词：消防设计集成电路制造耐火极限
- 通用功能型芯片置放载体在老炼试验与最终测试的应用
- 2010年
- 本文主要介绍了如何通过设计芯片置放载体,达成把单一功能的老炼(Burn-In,BI)与最终测试(Final Test,FT)板扩充成为通用功能型的试验板。由于产品的不同,芯片封装的形式及其接脚数目也不同。然而通过此称为"芯片置放载体"的设计大大提升了既有BI与FT测试板的使用,也使得BI与FT试验板将不再局限于本身所能提供的单一封装形式。这个芯片置放载体的设计中心思想是把原本需要不同封装形式的芯片,通过设计"信道转换板"(Channel Scramble Board,CSB)使得相同的芯片置放载体能适用于所有的芯片,如此即可达成把单一功能的BI与FT试验板扩充成为通用功能型。由实际的应用中可以证实这样的设计具有可执行性而且也可以扩大应用的领域。
- 简维廷张荣哲
- 关键词：老炼封装
- 铜工艺电迁移分模式失效机理研究被引量：2
- 2008年
- 在大规模集成电路进入深次微米时代的同时,铜工艺技术也被广范应用在金属互连层的工序当中。电迁移(Electromigration,EM)测试是检测金属互连层性能的主要方法,本文针对测试结果所呈现的分模式(Bi-modal)现象,对大量累积的测试数据以及物理失效分析的结果进行分析,并且结合对铜工艺的分析,给出了失效机理的解释并以图形化的形式进行了整合归纳。提供了一种快速的通过失效时间进行失效模式分析的方法,为我们不依靠物理失效分析而快速发现工艺问题提供了可能。
- 张荣哲赵永简维廷
- 关键词：电迁移铜互连
