您的位置: 专家智库 > >

王海莉

作品数:6 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 2篇单光子
  • 2篇缓冲层
  • 2篇光子
  • 2篇半导体
  • 2篇INAS量子...
  • 2篇衬底
  • 1篇导体
  • 1篇生长温度
  • 1篇耦合量子点
  • 1篇微腔
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇加热器
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇半导体量子点
  • 1篇GAAS

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇牛智川
  • 6篇倪海桥
  • 6篇王海莉
  • 4篇朱岩
  • 4篇李密峰
  • 4篇贺继方
  • 3篇尚向军
  • 3篇熊永华
  • 2篇徐应强
  • 2篇黄社松
  • 2篇喻颖
  • 2篇贺正宏
  • 2篇王莉娟
  • 2篇窦秀明
  • 2篇孙宝权
  • 1篇李树深
  • 1篇夏建白
  • 1篇王鹏飞

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
文献传递
半导体量子点单光子发射器件
单光子发射器件是量子通信系统的核心器件,目前由于缺乏性能可靠的实用单光子发射器件,量子密码通信技术的实用化进展遇到较大的困难。由于半导体量子点具有类原子特性,是理想的二能级体系,因此采用半导体量子点实现单光子发射的研究日...
牛智川窦秀明熊永华王海莉黄社松倪海桥孙宝权
文献传递
GaAs基异变量子阱
研究了GaAs基InGaAs异变缓冲层结构及其分子束外延生长,对利用源炉温度线性变化实现组分线性变化的方法进行了改进,更精确的实现了InGaAs异变缓冲层中In组分的线性渐变,大大降低了InGaAs异变缓冲层中的穿透位错...
朱岩倪海桥王海莉贺继方李密峰尚向军牛智川
关键词:激光器
文献传递
半导体InAs量子点单光子发射器件被引量:2
2010年
文章概述了量子点单光子源的研究现状,综述了微腔量子点耦合单光子发射器件制备中关键的低密度InAs量子点外延技术,单量子点单光子发射二阶关联函数HBT检测方法,分布布拉格反馈微腔结构的制备以及实现液氮温度下电驱动微腔量子点单光子发射器件等研究结果.
牛智川孙宝权窦秀明熊永华王海莉倪海桥李树深夏建白
关键词:单光子量子点微腔
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法,包括:将GaAs衬底放在样品托上,并引入进样室进行烘烤;烘烤完毕,将GaAs衬底引入制备室,并对GaAs衬底进行除气处理;将除过气的GaAs衬底引入生长室,对Ga...
牛智川倪海桥王海莉贺继方朱岩李密峰王鹏飞黄社松熊永华
文献传递
共1页<1>
聚类工具0