王东
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- FeCuNbSiB对FeNi/PZT复合结构磁电效应的影响被引量：1
- 2011年
- 构造了FeCuNbSiB/FeNi/PZT磁电复合结构并与FeNi/PZT复合结构进行了对比研究.分析了高磁导率材料FeCuNbSiB对FeNi磁场的影响机理,研究了FeCuNbSiB/FeNi/PZT三相复合结构的磁电效应.实验表明,在FeNi/PZT两相层合结构中黏接FeCuNbSiB层后:1)最优偏置磁场从200Oe降低到55Oe,最大谐振磁电电压系数从1.59V/Oe增大到2.77V/Oe;2)在低偏置磁场中,层合结构磁电电压转换系数提高了1.7—7.8倍;3)层合结构的磁电电压对静态磁场的灵敏度从19.1mV/Oe增大到158.6mV/Oe.三相复合结构磁电效应的这些变化均来自于层合结构端面磁化状态的改变———高磁导率材料相的加入使复合结构的磁化增强.
- 文玉梅王东李平陈蕾吴治峄
- 关键词：层合结构高磁导率
- 高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响
- 2011年
- 采用超磁致伸缩材料TbxDy1-xFe2(x≈0.3)(Terfenol-D)、压电材料PbZrxTi1-xO3(PZT)和高磁导率材料FeCuNbSiB构造了新型的层合结构.由于引入高磁导率材料FeCuNbSiB改变了Terfenol-D的内部磁场分布,并且在磁场作用下,FeCuNbSiB发生形变对Terfenol-D产生应力,增大了Terfenol-D的饱和磁致伸缩系数,使得该层合结构具有更高的磁电电压输出.利用磁荷理论,分析了FeCuNbSiB对Terfenol-D内部有效磁场分布的影响,并采用磁致伸缩材料Terfenol-D的非线性本构关系和等效电路法研究了FeCuNbSiB对其磁致伸缩系数的影响以及该层合结构的低频磁电电压系数理论计算公式.通过实验研究表明:理论值和实验值定性符合,且该结构的低频最大磁电电压系数是Terfenol-D/PZT-8H(MP)层合结构的1.3倍.同时发现,当FeCuNbSiB厚度小于180μm时,层合结构的最大磁电电压系数与高磁导率材料FeCuNbSiB的厚度呈线性关系.
- 陈蕾李平文玉梅王东
- 关键词：磁电效应磁致伸缩材料压电材料
