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王东

作品数：126 被引量：26H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 110篇专利
  • 8篇学位论文
  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 8篇化学工程
  • 2篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 63篇石墨
  • 63篇石墨烯
  • 21篇衬底
  • 17篇氮化镓
  • 16篇退火
  • 15篇图像
  • 15篇网络
  • 12篇卷积
  • 11篇氮化
  • 11篇神经网
  • 11篇神经网络
  • 10篇电学
  • 10篇卷积神经网络
  • 10篇蓝宝
  • 10篇蓝宝石
  • 9篇氮化铝
  • 9篇电极
  • 9篇淀积
  • 8篇电学特性
  • 8篇元件

机构

  • 126篇西安电子科技...
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 126篇王东
  • 96篇张进成
  • 90篇郝跃
  • 83篇宁静
  • 37篇闫景东
  • 37篇柴正
  • 22篇马佩军
  • 14篇赖睿
  • 11篇张弛
  • 9篇陆芹
  • 6篇陈智斌
  • 5篇杨银堂
  • 4篇张金风
  • 4篇秦翰林
  • 4篇李跃进
  • 4篇王炳健
  • 4篇周慧鑫
  • 4篇董建国
  • 3篇陆小力
  • 3篇张吉文

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇商情
  • 1篇2009年全...

年份

  • 3篇2024
  • 6篇2023
  • 16篇2022
  • 12篇2021
  • 7篇2020
  • 11篇2019
  • 11篇2018
  • 7篇2017
  • 13篇2016
  • 11篇2015
  • 6篇2014
  • 18篇2013
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2004
共 126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于深度学习的红外图像非均匀性校正方法
本发明涉及一种基于深度学习的红外图像非均匀性校正方法，包括：构建第一多尺度特征提取单元；根据所述第一多尺度特征提取单元构建M个多尺度特征提取单元，形成偏置校正网络；根据所述第一多尺度特征提取单元构建N个多尺度特征提取单元...
赖睿官俊涛徐昆然李奕诗王东杨银堂王炳健周慧鑫秦翰林
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一种超声波辅助石墨烯去胶的方法
本发明公开了一种超声波辅助石墨烯去胶的方法，将化学气相沉积方法生长在铜箔上的石墨烯用PMMA进行甩胶、烘干；用FeCl<Sub>3</Sub>溶液腐蚀下方铜箔；将PMMA定型的石墨烯转移至Si-SiO<Sub>2</Su...
韩砀王东宁静闫景东柴正张进成郝跃
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一种基于小波分解卷积神经网络的图像条带噪声抑制方法
本发明涉及一种基于小波分解卷积神经网络的图像条带噪声抑制方法，包括：对噪声图像进行小波变换，获取小波系数；构建条带噪声抑制卷积神经网络；将小波系数输入条带噪声抑制卷积神经网络，获取去噪系数；根据小波系数和去噪系数进行计算...
官俊涛赖睿刘泽胜徐昆然李奕诗王东
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基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法
本发明公开了一种基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法，主要解决现有技术对石墨烯转移耗时，铜衬底浪费的问题。其实现步骤是：（1）将a面碳化硅置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室，通入镓源与氨气，生长a...
王东闫景东宁静韩砀柴正张进成郝跃
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基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件
本发明公开了一种基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用III-V族化合物半导体GaN作为衬底，通过对GaN衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，实现了石墨烯生长的最优化，在GaN上面直接生长石墨烯...
宁静王东韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法
本发明公开了一种基于石墨烯的氮化镓外延层的剥离方法，主要解决现今剥离技术复杂，成本昂贵以及剥离的氮化镓薄膜质量不高的问题。其实现方案是：首先在抛光好的铜箔上CVD生长石墨烯；然后在蓝宝石衬底上转移多层石墨烯；接着再使用金...
宁静贾彦青张进成闫朝超王东王博宇马佩军郝跃
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一种旁栅石墨烯场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种基于化学气相沉积石墨烯的旁栅石墨烯场效应晶体管结构的制备方法，将铜箔放入反应室中，反应室抽真空，对铜箔进行热退火；通过化学气象淀积CVD生长石墨烯；石墨烯转移至高k衬底；利用光刻机曝光源漏以及旁栅位置；利...
闫景东王东宁静柴正韩砀张进成郝跃
基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器及制备方法
本发明公开了一种基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器及制备方法。本发明的基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器包括正极，负极，电解质溶液和隔膜...
陆芹宁静王东张进成穆美珊郝跃
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基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件
本发明公开了一种基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用半导体SiC作为衬底，通过对SiC衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在SiC上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过...
王东宁静韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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基于TiN掩膜的GaN材料及其制备方法
本发明公开了一种基于TiN掩膜的GaN材料及其制备方法，主要解决现有技术由于化学机械抛光及刻蚀对材料造成的损伤问题。其自下而上包括：衬底(1)，GaN成核层(2)，c面GaN层(3)，该c面GaN层包含三层结构，第一层为...
许晟瑞苏华科赵颖马凯立张雅超王东张进成郝跃
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