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焦倩倩

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇倒装
  • 2篇倒装结构
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇芯片
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇金属
  • 2篇金属纳米
  • 2篇划片
  • 2篇激光
  • 2篇激光剥离
  • 2篇激光划片
  • 1篇倒装焊
  • 1篇倒装焊接
  • 1篇电流扩展
  • 1篇批量化
  • 1篇批量化生产
  • 1篇纳米压印
  • 1篇金属纳米结构
  • 1篇薄膜型

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇姜爽
  • 4篇张国义
  • 4篇焦倩倩
  • 4篇陈志忠
  • 2篇李俊泽
  • 2篇付星星
  • 2篇李顺峰
  • 2篇马健

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种倒装纳米LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸...
陈志忠焦倩倩姜显哲姜爽李俊泽李顺峰张国义
文献传递
一种激光剥离薄膜LED及其制备方法
本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯...
陈志忠焦倩倩姜爽付星星姜显哲马健张国义
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一种倒装纳米LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸...
陈志忠焦倩倩姜显哲姜爽李俊泽李顺峰张国义
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一种激光剥离薄膜LED及其制备方法
本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯...
陈志忠焦倩倩姜爽付星星姜显哲马健张国义
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