江子雄
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：江西师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 埋嵌型Co/Hollow/CoO纳米颗粒的生长与应变场分布磁性纳米结构
- 袁彩雷章英黄红华江子雄
- 利用脉冲激光沉积技术制备镍纳米颗粒及其生长过程中的应变场模拟被引量：1
- 2012年
- 利用脉冲激光沉积技术和快速退火成功地制备了镶嵌在非晶Al2O3薄膜中的Ni纳米颗粒,用高分辨率透射电子显微镜观察到镶嵌在非晶Al2O3薄膜中的Ni纳米颗粒,用有限元算法系统地模拟了Ni纳米颗粒生长过程中的应变场分布.研究发现:在Ni纳米颗粒的生长过程中,纳米颗粒受到母体Al2O3材料的非均匀的偏应变的作用,而且随着Ni纳米颗粒的长大,纳米颗粒受到母体Al2O3材料的非均匀偏应变也逐渐增加.这种非均匀偏应变对于纳米颗粒的晶格结构和形貌有较大的影响,可以通过调节Ni纳米颗粒生长过程中的应变场来实现对Ni纳米颗粒界面态的调控,从而进一步优化Ni纳米颗粒的物理性能.
- 袁彩雷张求龙江子雄
- 关键词：应变场脉冲激光沉积
- 不同生长环境下砷化镓纳米颗粒的应变场模拟被引量：2
- 2013年
- 对于埋嵌在薄膜材料中的纳米颗粒,在其生长过程中总是不可避免地伴随着应变场的产生,而这种应变场的分布能反映纳米颗粒的结构变化,纳米颗粒结构与它的物理性能有重要的关系.研究埋嵌在不同薄膜材料中的纳米颗粒生长过程中的应变场分布对于调控纳米颗粒的物理性能有着重要的意义.本文利用有限元算法分别计算了埋嵌在非晶氧化铝薄膜和非晶二氧化硅薄膜材料中的砷化镓纳米颗粒生长过程中的应变场分布.砷化镓纳米颗粒在以上两薄膜材料生长过程中都受到非均匀偏应变作用.对于埋嵌在氧化铝薄膜中的砷化镓纳米颗粒,其生长过程中,纳米颗粒内部受到的应变大于纳米颗粒表面受到的应变;而对于埋嵌在二氧化硅薄膜中的砷化镓纳米颗粒,纳米颗粒内部受到的应变小于纳米颗粒表面受到的应变.选择砷化镓纳米颗粒生长的薄膜材料可以调控纳米颗粒生长过程中的应变场分布,从而进一步调控纳米颗粒的晶格结构和形貌及其物理性能.
- 江子雄张求龙袁彩雷
- 埋嵌型GaAs纳米颗粒的微观形变及其电存储性能的研究
- 埋嵌型纳米颗粒在生长过程中总是不可避免的受到基体材料的应变作用，这种应变作用对纳米颗粒的微观晶格结构，形貌及其物理化学性能都有很大的影响。本文应用改进传统的脉冲激光沉积技术和快速退火技术制备出镶嵌在非晶SiO2和Al2O...
- 江子雄
- 关键词：形变
- 文献传递
- 埋嵌在超薄Al_2O_3薄膜中的Ni纳米颗粒在生长过程中的应变场分布被引量：3
- 2012年
- 对于埋嵌在介电材料中的纳米颗粒,在其生长过程中总是不可避免的伴随着应变场的产生,而这种应变场会的分布对纳米颗粒的物理性能产生重要的影响.在本文中用脉冲激光沉积技术和快速退火成功地制备了埋嵌在超薄Al2O3薄膜中的Ni纳米颗粒.利用高分辨透射电子显微镜观察到立方形Ni纳米颗粒埋嵌在超薄Al2O3薄膜中.用有限元算法系统地模拟了Ni纳米颗粒生长过程中的应变场分布,研究工作发现,随着Ni纳米颗粒的生长,Ni纳米颗粒受到了非均匀偏应变作用逐渐增强,而且变得越来越不均匀,这种非均匀的偏应变作用对于纳米颗粒的微观结构有很大的影响.可以通过调节Ni纳米颗粒生长过程中的应变场来实现对Ni纳米颗粒界面态的调控,从而进一步优化Ni纳米颗粒的物理性能.系统地研究磁性Ni纳米材料的应变场分布,对有效的调控其物理化学性能有着非常重大的意义.
- 张求龙江子雄袁彩雷张振荣
- 关键词：磁性纳米颗粒透射电子显微镜
