段力群
- 作品数:17 被引量:8H指数:2
- 供职机构:国防科学技术大学更多>>
- 发文基金:湖南省高校科技创新团队支持计划湖南省自然科学基金武器装备预研基金更多>>
- 相关领域:化学工程一般工业技术更多>>
- 富含氧表面官能团的高比表面微介孔碳材料及其制备方法
- 本发明公开了一种富含氧表面官能团的高比表面微介孔碳材料,该微介孔碳材料的比表面积为940m<Sup>2</Sup>/g~1365m<Sup>2</Sup>/g,平均孔径为3.1nm~3.8nm,孔容量为0.9cc/g~1...
- 马青松段力群刘海韬
- 文献传递
- 碳化硅多孔陶瓷制备技术的研究进展被引量:3
- 2010年
- 制备技术是获得高性能碳化硅多孔陶瓷的关键。综述了碳化硅合成方法和成孔方法对碳化硅多孔陶瓷一些主要的制备技术,主要包括烧成/烧结法、原位氧化反应结合法、反应烧结法、碳热还原法、先驱体转化法、化学气相渗透法等。介绍了各种方法的工艺过程,分析了优缺点,指出了今后发展的方向。
- 段力群马青松
- 关键词:多孔陶瓷碳化硅
- 硅树脂先驱体转化制备SiC研究
- 以硅树脂(SR249)为原料,采用先驱体转化法制备了SiC陶瓷.采用了IR和XRD对裂解产物进行了表征.结果表明,硅树脂在一定条件下可以生成SiC陶瓷,可以作为SiC陶瓷的先驱体.
- 段力群马青松徐天恒
- 关键词:碳化硅陶瓷硅树脂先驱体转化法裂解产物
- 文献传递
- CDC法制备纳米多孔碳研究进展被引量:4
- 2013年
- 纳米多孔碳具有很多优良的性能,如优异的生物相容性、高导电性、高比表面积等,可应用于电极材料、吸附、分离、催化剂载体等领域。碳化物衍生碳法(Carbide-derived carbons,CDC)在制备纳米多孔碳方面具有比表面积大范围可调、孔结构和石墨化程度精确可控、成本低、保持原有碳化物形态等优点,逐步引起了材料研究者的重视。本文从CDC工艺原理出发,重点概述了CDC工艺的最新研究进展,并介绍了其在超电容电极材料、吸附等领域中的应用情况,最后针对CDC工艺的不足,对其未来发展进行了展望。
- 段力群马青松陈朝辉
- 关键词:卤化反应刻蚀
- 硅树脂转化制备粉体SiOC微/介孔陶瓷研究
- SiOC多孔陶瓷因其多孔性和陶瓷本身优良性能,在催化、吸附等许多领域都具有广泛的应用前景。本文在全面综述多孔陶瓷的研究情况的基础上,针对先驱体转化法制备陶瓷材料的优点,依据硅树脂裂解行为和SiOC结构模型特点,开展先驱体...
- 段力群
- 关键词:硅树脂热稳定性
- 文献传递
- 富含氧表面官能团的高比表面微介孔碳材料及其制备方法
- 本发明公开了一种富含氧表面官能团的高比表面微介孔碳材料,该微介孔碳材料的比表面积为940m<Sup>2</Sup>/g~1365m<Sup>2</Sup>/g,平均孔径为3.1nm~3.8nm,孔容量为0.9cc/g~1...
- 马青松段力群刘海韬
- 文献传递
- 硅树脂先驱体转化制备SiC研究
- 以硅树脂(SR249)为原料,采用先驱体转化法制备了SiC陶瓷。采用了IR和XRD对裂解产物进行了表征。结果表明,硅树脂在一定条件下可以生成SiC陶瓷,可以作为SiC陶瓷的先驱体。
- 段力群马青松徐天恒
- 关键词:先驱体转化硅树脂SIC
- 文献传递
- 聚硅氧烷制备高比表面积微介孔炭材料(英文)被引量:1
- 2013年
- 通过对聚甲基(苯基)硅树脂(SR249)在1250~1350℃、真空气氛下裂解以及氢氟酸酸洗处理制备得到具有高比表面积的纳米多孔炭材料。采用X-ray衍射光谱、拉曼光谱、元素分析、透射电镜及氮气吸附法对不同温度所制样品进行元素组成及结构研究。裂解产物中的SiO2相作为一种天然模板经腐蚀处理除去。裂解温度和酸洗处理对多孔炭材料的成分和结构变化影响较大。HF酸处理前,裂解产物的比表面积小于55m2/g;而酸洗后产物比表面积和总孔容量显著增加,而最高值是裂解温度为1300℃时获得,分别为1148m2/g、0.608 cm3/g。经酸洗处理得到的多孔炭,孔径分布均相对较窄,在1~4 nm。透射电镜结果显示炭材料中的自由碳相和少量的SiC纳米晶及SiOC陶瓷彼此相互包裹。
- 段力群马青松陈朝辉
- 关键词:聚硅氧烷孔结构裂解
- 聚硅氧烷经CDC法制备纳米多孔碳研究
- 鉴于纳米多孔碳材料在超级电容器电极、气体吸附存储等领域具有非常好的应用前景,近年来针对纳米多孔碳(NPC)的制备及性能研究热度不断升温。相比常规制备工艺,碳化物衍生碳(CDC)法具有容易获得高比表面积碳、对碳孔隙和微观结...
- 段力群
- 关键词:聚硅氧烷裂解温度孔隙结构
- 文献传递
- SiOC微介孔陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种SiOC微介孔陶瓷,包括Si元素、O元素和C元素,其比表面积为649m<Sup>2</Sup>/g~1148m<Sup>2</Sup>/g,平均孔径为2.1nm~3.1nm,孔容量为0.4cc/g~0.6...
- 马青松段力群徐天恒田浩刘海韬陈朝辉