武文卿
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 硅材料中电光效应的研究
- 本文采用改进的塞纳蒙(Senarmont)补偿器结构测量了沿(111)面切割的硅材料在直流偏置下的克尔(Kerr)效应和弗朗兹-凯尔迪什(Franz-Keldysh)效应。在实验中,我们直接观测到了弗朗兹-凯尔迪什效应在...
- 武文卿
- 关键词：电光调制硅表面
- 文献传递
- 硅材料的场致线性电光效应被引量：2
- 2009年
- 从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。
- 陈占国赵建勋张玉红贾刚刘秀环任策武文卿孙鉴波曹昆王爽时宝
- 关键词：非线性光学硅材料
- 单晶硅材料电致双折射的研究被引量：3
- 2008年
- 首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为Δn=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为Δn′=2.42×10-16E20.5.
- 张玉红陈占国贾刚时宝任策刘秀环武文卿
- 关键词：偏振态
