梁栋
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT被引量：1
- 2007年
- 利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.
- 冯志宏尹甲运袁凤坡刘波梁栋默江辉张志国王勇冯震李效白杨克武蔡树军
- 关键词：SI衬底GANHEMT功率密度
- 蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究被引量：1
- 2007年
- 通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1.21×1013/cm2,迁移率为1970 cm2/V.s,77 K下2DEG迁移率达到13000 cm2/V.s。
- 袁凤坡梁栋尹甲运许敏刘波冯志宏
- 关键词：异质结二维电子气
