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Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究: 2006年; 实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关。实验利用XRD，研究了Ti（SiGe）2从C49相到C54相的转变。物相分析结果显示，其相转变温度在760～800℃之间。结合实验结论，对采用Ti硅化物工艺的自对准SiGeHBT进行了退火温度的优化，其适合的高温退火温度为850℃左右。; 李翊张伟许军陈长春单一林熊小义李希有刘志弘钱佩信; 关键词：SIGE HBT RTA 温度特性

离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe被引量：1: 2006年; 通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.; 许向东郭福隆周卫刘志弘张兆健李希有张伟钱佩信; 关键词：UHV/CVD 离子注入

A 30 Finger Microwave Power SiGe HBT with 23V BV_(CBO) and f_T 7GHz被引量：1: 2004年; With modified necessary steps for SiGe implementation,multi-finger power SiGe H BT devices are fabricated in a CMOS process line with 125mm wafer.The devices s how quite high BV CBO 23V.The current gain is very stable over a wide I C.The f T is up to 7GHz at a DC bias of I C=40mA and V CE=8 V,which show high current handling capability.Under continuous conditions in B o peration,the 31dBm output power,10dB G p,and 33.3% of PAE are obtained at 3GHz .Based on extensive tests,it has been demonstrated that the yield on a wafer is up to 85%,which means that the research results are capable of commercialization .; 熊小义张伟许军刘志宏陈长春黄文韬李希有钟涛钱佩信; 关键词：POWER

Al-Si合金RIE参数选择被引量：3: 2004年; 采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选择比好于1.8的刻Al实用工艺。; 李希有周卫张伟仲涛刘志弘; 关键词：反应离子刻蚀正交试验刻蚀速率

截止频率为22GHz的梳状结构SiGe HBT研究: 介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8...; 雒睿张伟李高庆周卫徐阳蒋志李希有付玉霞钱佩信; 关键词：锗硅异质结双极晶体管

一种低噪声SiGe微波单片放大电路被引量：2: 2006年; 介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC)。该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延。在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率增益为14.3 dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0。; 鲁亚诗张伟李高庆刘道广李希有鲁勇刘爱华张翔; 关键词：SIGE 微波单片集成电路硅化物

铝-RIE刻蚀工艺被引量：8: 2000年; 干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不太低的气压 (BCl3∶ Cl2 ∶ CHCl3∶ N2 =70 sccm∶ 1 5 sccm∶ 1 0 sccm∶ 0～ 5 0 sccm,2 0 0 m Torr,2 0 0 W)可以实现细线条 (0 .6μm) Al的刻蚀。; 付玉霞刘志弘刘荣华仲涛李希有; 关键词：刻蚀工艺 VLSI 集成电路

SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响: 2006年; 欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。; 王玉东徐阳张伟李希有刘爱华; 关键词：SIGE HBT

用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn^-型硅外延研究被引量：1: 2004年; 利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显影响 ,在 70 0℃下生长的 Si外延层的过渡区厚度为 0 .16 μm,而在 5 0 0℃下仅为 0 .0 6 μm,且杂质分布非常陡峭 .X射线双晶衍射分析表明在 70 0℃下生长的 Si外延层的质量很高 .制作的锗硅异质结晶体管(Si Ge HBT)的击穿特性很硬 ,击穿电压为 14 .5 V,在 VCB=14 .0 V下的漏电流仅为 0 .3μA;输出特性很好 ,在 VCE=5 V,IC=3m A时的放大倍数为 6; 黄文韬陈长春李希有沈冠豪张伟刘志弘陈培毅钱佩信; 关键词：UHV/CVD 硅外延 SIGE HBT

TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用被引量：2: 2006年; 通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大。; 张伟王玉东熊小义许军单一林李希有刘爱华钱佩信; 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波低噪声

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李希有