您的位置： 专家智库 > >

李将录

作品数：14 被引量：25H指数：3
供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
发文基金：黑龙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 6篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇文化科学

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇晶体
  • 3篇致冷
  • 3篇区熔
  • 3篇垂直区熔法
  • 3篇大尺寸
  • 2篇电动势
  • 2篇电流
  • 2篇电流测试
  • 2篇电学参数
  • 2篇电压
  • 2篇电压表
  • 2篇电压测试
  • 2篇熔炼
  • 2篇数字电压表
  • 2篇热电
  • 2篇温差
  • 2篇温差电
  • 2篇晶体材料
  • 2篇半导体致冷

机构

  • 14篇哈尔滨师范大...
  • 1篇黑龙江大学

作者

  • 14篇李将录
  • 7篇荣剑英
  • 6篇赵秀平
  • 6篇赵洪安
  • 5篇董兴才
  • 4篇胡建民
  • 4篇王月媛
  • 4篇李理
  • 4篇曲秀荣
  • 3篇段福莲
  • 2篇夏德勇
  • 1篇刘录
  • 1篇王相夷
  • 1篇郎荣福
  • 1篇冀士学
  • 1篇郭立群
  • 1篇杜梅芳
  • 1篇吕长荣
  • 1篇刘宝珠
  • 1篇张伟光

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 2篇哈尔滨师范大...
  • 1篇物理实验
  • 1篇电测与仪表

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2002
  • 1篇2000
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1990
共 14 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置
半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，属于半导体热电致冷材料电学性能测试领域。解决了生产过程中对半导体热电致冷材料的电学性能进行测试的过程复杂和破坏测试样品完整性的问题。升降式四相滑动端子包括4个输入端和4个输出端；数...
胡建民李理王月媛曲秀荣秦兆慧李将录
单片机在测量声速实验中的应用被引量：2
1995年
单片机在测量声速实验中的应用郭立群，李将录，万新（哈尔滨师范大学物理系１５００８０）（哈尔滨塑料十二厂）一、引言目前各级各类学校的普通物理实验课普遍开设声速测量实验．声速测量的一般方法有行波法、驻波法、共鸣法等间接测量方法．这些方法都很巧妙，但误差较...
郭立群李将录万新
关键词：声速测量微机应用
半导体热电材料温差电动势率的测试装置及测试方法
半导体热电材料温差电动势率的测试装置及测试方法，属于半导体热电材料热电性能测试领域。本发明是为了解决现有的半导体热电材料的温差电动势率测试过程繁琐、测试精度不高、测试效率低及测试系统复杂的问题。本发明通过对半导体热电材料...
胡建民李理王月媛李将录曲秀荣
文献传递
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
文献传递
大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制被引量：10
1997年
大尺寸Ｐ型赝三元温差电取向晶体的研制荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＰｔｙｐｅＬａｒｇｅＳｉｚｅＰｓｅｕｄｏｔｅｒｎａｒｙＴｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃＯｒｉｅｎｔｅｄＣ...
荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平
关键词：P型半导体垂直区熔法晶体
大尺寸(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)晶体的生长及性能被引量：1
1997年
大尺寸（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．９０（Ｓｂ２Ｔｅ３）０．０５（Ｓｂ２Ｓｅ３）０．０５晶体的生长及性能荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅ（Ｂｉ２Ｔ...
荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平
关键词：N型半导体垂直区熔法晶体生长
温差电致冷原理及赝三元半导体致冷材料的性能
2000年
本文从温差电致冷原理出发 ,分析了哈师大物理系研制的大尺寸优质半导体致冷材料的主要温差电性能 .
吕长荣段福莲荣剑英李将录
大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能被引量：9
2002年
采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为 2 7mm的大尺寸P和N型Bi2 Te3 Sb2 Te3 Sb2 Se3 赝三元取向晶锭。并测试了其温差电性质 。
郎荣福荣剑英赵秀平李将录赵洪安
关键词：垂直区熔法
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置
半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，属于半导体热电致冷材料电学性能测试领域。解决了生产过程中对半导体热电致冷材料的电学性能进行测试的过程复杂和破坏测试样品完整性的问题。升降式四相滑动端子包括4个输入端和4个输出端；数...
胡建民李理王月媛曲秀荣秦兆慧李将录
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0