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张锦文: 作品数：51 被引量：139H指数：6; 供职机构：北京大学更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

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微波等离子体化学气相沉积方法制备纳米金刚石薄膜被引量：1: 2021年; 为了制备出大面积均匀连续的纳米金刚石薄膜,并探索温度、气氛等条件对最终生长出的纳米金刚石薄膜样品的影响,使用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,改变CH_(4)、H_(2)、Ar气体比例以及衬底温度,在不同生长条件下制备了5组金刚石薄膜样品。5组样品分别使用ESEM和拉曼光谱进行成膜质量、形貌、结构以及组分的表征,分析了不同薄膜的成因和工艺参数的影响,并提出了进一步优化的方向。; 林晨李义锋张锦文; 关键词：纳米金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积

硅、金属、介质膜桥射频微机电系统开关: 本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关,其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成,介质膜制备在活动桥上,而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案,消除了介质层制备在传输线上引起的信号传...; 金玉丰张锦文郝一龙张大成王阳元; 文献传递

硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究被引量：61: 2002年; 本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ;; 王阳元武国英郝一龙张大成肖志雄李婷张国炳张锦文; 关键词：硅基键合多晶硅应力微机电系统

碳纳米管压力传感器研究进展被引量：6: 2011年; 碳纳米管因其独特而优异的电学、力学、热学、化学及电子特性等在很多领域上展现应用的潜力,而近年来碳纳米管在压力传感器方面的应用成为研究热点之一。本文综述了碳纳米管压力传感器的基本原理以及研究进展,并对不同类型的碳纳米管压力传感器进行了比较。; 张锦文李伟; 关键词：碳纳米管压力传感器压阻特性场发射特性温敏特性

一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法: 本发明公开了一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法，该辐射剂量探测器从上到下依次包括顶电极，复合氧化层，衬底和底电极，所述复合氧化层又包括热氧化层和淀积层。该复合氧化层由于通过刻蚀和淀积技术制备的结构，从而使本发明辐...; 张锦文杨钰淏; 文献传递

金刚石薄膜场发射特性研究现状: 2023年; 金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方向,并总结了文献中报道的金刚石薄膜与其他材料复合获得的场发射阴极的性能,对于分析和改进金刚石薄膜器件场发射性能具有重要意义。; 王旸张锦文; 关键词：金刚石薄膜场电子发射

RF MEMS关键无源元件研究: MEMS技术为提高射频无源元件性能提供了一个新的技术手段。本文针对RFMEMS电感、RFMEMS可变电容、RFMEMS共面波导以及RFMEMS开关等关键无源元件开展了系统的研究。本文首次提出了边缘悬空结构有效...; 张锦文; 关键词：RF开关共面波导可变电容 RF电感

Capacitive Microwave MEMS Switch被引量：1: 2005年; A novel capacitive microwave MEMS switch with a silicon/metal/dielectric as a membrane is fabricated successfully by bonding and etching-stop process. Its principal, design, and fabricating process are described in detail. A patterned dielectric layer, Ta2O5, with dielectric constant of 24 is reached. Experiment results show this novel structure,where the switch＇s dielectric layer is not prepared on the transmission line, features very low insertion loss. The insertion loss is 0.06dB at 2GHz and lower than 0.5dB in the wider range from De up to 20GHz,especially when the transmission line metal is only 0. 5μm thick.; 张锦文金玉丰郝一龙王玮田大宇王阳元

PECVDSiO_2/Si_3N_4双层膜驻极体性能被引量：1: 2008年; 本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中。; 陈治宇吕知秋张锦文金玉丰李婷田大宇王颖; 关键词：驻极体 PECVD

一种新型RF MEMS开关的设计: 本文给出了一种新型RFMEMS开关的设计,采用膜桥结构,在打折梁的下面带有移动的介质膜,由静电驱动打折梁,这样的结构具有开关响应时间短、能耗低和易集成等特点。文章利用Intellisuite软件,重点研究了不同形式打折梁...; 张海霞张锦文缪旻金玉丰; 关键词：微开关; 文献传递