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张炳森

作品数:7 被引量:3H指数:1
供职机构:东北大学理学院材料物理与化学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 4篇超导
  • 3篇外延法
  • 3篇分子束外延法
  • 2篇YSR
  • 2篇BI
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇错配度
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇制备及性能
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇射线
  • 1篇生长速率
  • 1篇微结构
  • 1篇微结构研究
  • 1篇膜厚
  • 1篇粉体

机构

  • 6篇东北大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇沈阳药科大学

作者

  • 7篇张炳森
  • 5篇李茂林
  • 5篇祁阳
  • 3篇孙霞光
  • 3篇张彩碚
  • 3篇于晓明
  • 2篇孙本哲
  • 1篇支壮志
  • 1篇何宁
  • 1篇王晶晶
  • 1篇张影
  • 1篇金禹

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇金属学报
  • 1篇第九届全国超...
  • 1篇TFC’07...

年份

  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
MBE制备薄膜厚度的X射线反射法测量
利用分子束外延技术(MBE)生长 Bi 系氧化物高温超导体已经被很多研究人员研究并发展。制备高质量 Bi 系超导薄膜,精确控制 Bi、Sr、Ca、Cu 的比例是很重要的。目前,确定物质成分比的方法很多,如原子吸收光谱(A...
张炳森金禹于晓明孙伟祁阳
文献传递
高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用被引量:2
2008年
利用硅胶吸附解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源.在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧.当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×10^3Pa,该臭氧浓度可维持5h以上.X射线衍射结果表明,制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.
张炳森于晓明孙霞光李茂林张彩碚祁阳
关键词:臭氧分子束外延
Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜制备及性能
利用分子束外延法在MgO(100)衬底上制各Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜。薄膜的结构、外延性、化学计量比及表面形貌通过x射线衍射仪、x射线能谱仪及扫描电子显微镜表征,薄膜的R-T曲线通过标准四引线法测量...
张炳森孙霞光李茂林于晓明张彩碚祁阳
关键词:氧化物薄膜超导分子束外延
文献传递
Bi系氧化物薄膜的分子束外延法制备及微结构研究
本文采用分子束外延法(MBE)制备Bi系氧化物薄膜。制作了臭氧浓缩装置作为分子束外延法制备Bi系薄膜的氧化源。利用X射线反射和表面轮廓仪技术研究了Bi, Sr, Ca和Cu金属元素的蒸发速率。在此基础上细致研究了制备Bi...
张炳森
关键词:超导薄膜分子束外延衬底温度错配度
文献传递
Bi_(2.1)Ca_ySr_(1.9-y)CuO_(6+δ)薄膜制备及性能被引量:1
2008年
利用分子束外延法在MgO(100)衬底上制备Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜。薄膜的结构、外延性、化学计量比及表面形貌通过X射线衍射仪、X射线能谱仪及扫描电子显微镜表征,薄膜的R-T曲线通过标准四引线法测量。结果表明,Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜具有较好的结晶性能,沿衬底[001]方向c轴外延生长,且表面平整;随Ca含量(0.2≤y≤1.0)不同,Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ相的c轴长度发生变化,且薄膜显现不同的导电特性。
张炳森孙霞光李茂林于晓明张彩碚祁阳
关键词:超导分子束外延
Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)薄膜的分子束外延法制备及结晶性
2009年
在BiO-(Sr+Ca)O-CuO相图上的Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)(Bi-2212)相附近选择不同成分,用分子束外延法制备成薄膜,利用XRD,EDS,SEM和AFM研究了成分、衬底温度和臭氧分压对Bi-2212相薄膜成相的影响,分析了生长速率和错配度对Bi-2212相薄膜质量的影响。结果表明,Bi-2212相薄膜单相生成的成分范围(原子分数)分别为Bi 26.3%—32.4%, (Sr+Ca)37.4%—46.5%,Cu 24.8%—32.6%;当衬底温度为720℃且臭氧分压为1.3×10^(-3)Pa时,在MgO(100)衬底上生长出质量较高的c轴外延Bi-2212相薄膜;通过调整生长速率、更换衬底和插入不同厚度的Bi_2Sr_2CuO_(6+δ)过渡层的方法,可以改善Bi-2212相薄膜的结晶质量、表面形貌和导电特性。
张炳森李茂林王晶晶孙本哲祁阳
关键词:分子束外延衬底温度生长速率错配度
Bi位掺La对Bi-2212粉体结构和性质的影响
2008年
以硝酸盐为前驱物,利用溶胶-凝胶(sol-gel)法,制备了(Bi1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)粉体。通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM),对晶体结构进行了表征;采用SQUID和标准四引线法,对该粉体磁化强度随温度变化(M-T)和电阻随温度变化(R-T)曲线进行了测试,研究了Bi部分被La替代导致Bi系超导体结构和电磁特性的变化。结果表明,随着La掺杂量逐渐增加,晶格常数c未发生变化,而a,b逐渐变大,且沿b轴方向的调制周期减小;样品表现出抗磁性和反铁磁、超导和半导体特性共存、竞争的独特性质。
支壮志张影李茂林张炳森孙本哲何宁祁阳
关键词:溶胶-凝胶高温超导
共1页<1>
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