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张海兵

作品数:5 被引量:46H指数:5
供职机构:厦门大学物理与机电工程学院福建省半导体照明工程技术研究中心更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划福建省重大科技项目福建省科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇功率
  • 3篇功率型
  • 3篇功率型LED
  • 2篇结构函数
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 1篇电导
  • 1篇电路
  • 1篇电路板
  • 1篇印刷电路
  • 1篇印刷电路板
  • 1篇有限体积
  • 1篇有限体积法
  • 1篇散热
  • 1篇散热基板
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷基
  • 1篇陶瓷基板
  • 1篇特性分析

机构

  • 5篇厦门大学

作者

  • 5篇张海兵
  • 4篇陈焕庭
  • 4篇吕毅军
  • 4篇陈忠
  • 4篇高玉琳
  • 2篇李开航
  • 2篇陈国龙

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报

年份

  • 4篇2009
  • 1篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
利用结构函数分析功率型LED的热特性被引量:6
2009年
运用电学法测量功率型LED冷却瞬态温度曲线,通过数学方法将其转化为积分和微分结构函数来分析器件各区域的热阻和热容,结果发现,各层材料的测量值与理论值基本一致。1μs的瞬态数据采集精度和高的重复性保证了实验结果的准确性和可靠性,运用这种方法比较了3种不同金属芯印刷电路板(MCPCB)对功率型LED的散热效果,贝格斯Al基板散热性能最好,ANTAl基板次之,普通Al基板最差。研究表明,利用结构函数分析功率型LED的热特性是一种强有力的方法。
张海兵吕毅军陈焕庭李开航高玉琳陈忠陈国龙
关键词:功率型LED结构函数热阻
功率型LED的热测试和热仿真
随着发光二极管(LED)芯片发光效率的提高以及功率型LED芯片的制备成功,使得LED半导体固体照明成为现实。由于功率型LED与传统光源相比的突出性能以及其未来的巨大市场前景,各个国家、地区争相投资研发LED照明光源。但是...
张海兵
关键词:功率型LED热仿真热测试发光二极管
文献传递
基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理被引量:7
2009年
采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.
陈焕庭吕毅军陈忠张海兵高玉琳陈国龙
关键词:GAN发光二极管负电容电导
大功率AlGaInP红光LED散热基板热分析被引量:16
2009年
采用有限体积数值模拟、瞬态热阻测试方法以及热沉温度—峰值波长变化的关系,对三种散热基板上大功率AlGaInP红光发光二极管(LED)进行热特性分析。三种LED采用相同型号、规格,散热基板,区别在于散热通道以及材料。测量样品的瞬态温度响应曲线,基于结构函数理论模型对温度响应曲线进行数学处理,得出包含热阻与热容的结构函数,区分出样品内部热流通道上各个区域的热阻与热容,进而发现散热瓶颈区域。测试样品在不同热沉温度下的电致发光光谱,通过热沉温度—峰值波长系数为区别样品散热性能提供定性判断依据。通过模拟与测试结果比较,为优化陶瓷基板内部散热结构,设计最佳的散热模型提供重要参考依据。
陈焕庭吕毅军陈忠张海兵高玉琳
关键词:陶瓷基板结构函数有限体积法
功率型LED电压温度系数的研究被引量:13
2008年
理论上详细分析了LED正向电压随温度变化的物理机理,并在大的电流范围(0.1-200mA)和温度范围(60-350K)内,对AIGaInP、InGaN材料系功率型LED正向电压随温度的变化关系进行了系统的实验研究。发现在恒定电流下,两者的变化关系可分为高温区和低温区两段。在高温区两者为线性反比关系,并且电压温度系数与正向电流有关,在低温区正向电压随温度减小而突然急剧增大。理论很好地解释了实验结果。
张海兵吕毅军李开航陈焕庭高玉琳陈忠
关键词:功率型LED结温温度传感器
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