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张宇飞

作品数:6 被引量:33H指数:2
供职机构:华南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
相关领域:理学电子电信农业科学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇农业科学

主题

  • 4篇电子结构
  • 4篇子结构
  • 3篇光学
  • 3篇光学性
  • 3篇光学性质
  • 2篇结构和光学性...
  • 1篇代谢
  • 1篇淡水
  • 1篇淡水鱼
  • 1篇淡水鱼类
  • 1篇灯泡
  • 1篇电源
  • 1篇鱼类
  • 1篇云斑
  • 1篇云斑尖塘鳢
  • 1篇乳酸脱氢酶
  • 1篇时钟控制
  • 1篇水鱼
  • 1篇塘鳢
  • 1篇糖代谢

机构

  • 6篇华南师范大学

作者

  • 6篇张宇飞
  • 4篇郭志友
  • 3篇曹东兴
  • 2篇高小奇
  • 2篇孙慧卿
  • 1篇戴云霄
  • 1篇严卫聪
  • 1篇邓贝
  • 1篇赵洪涛
  • 1篇黄洪勇
  • 1篇许轶
  • 1篇肖永能

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
云斑尖塘鳢糖代谢关键基因的克隆及在饥饿再投食时的变化
本文以淡水经济养殖鱼类云斑尖塘鳢(Oxyeleotris marmoratus)为研究对象,克隆了云斑尖塘鳢的乳酸脱氢酶(LDH-B)和磷酸烯醇式丙酮酸羧激酶(PEPCK)的全长序列、苹果酸脱氢酶(MDH)的部分序列。并...
张宇飞
关键词:淡水鱼类云斑尖塘鳢糖代谢乳酸脱氢酶
Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究被引量:11
2010年
为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高了103倍.对比各掺杂体系的能带及态密度,发现Cd-4d和N-2p态由轨道杂化在费米能级附近形成的杂质能级始终位于价带顶,空穴态随着Cdn-O复合体中Cd数目的增加占据了更多的能态密度.研究表明共掺体系中,适当控制Cd和O的浓度,可以减小Cd和O的复合概率,加强Cd-N的共价特性,对改善AlN的p型特性有重要意义.
高小奇郭志友曹东兴张宇飞孙慧卿邓贝
关键词:电子结构
Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质被引量:21
2010年
基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明:N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al-N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的p型掺杂有重要意义。在Al-N共掺ZnO中,Al的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果。
高小奇郭志友张宇飞曹东兴
关键词:ZNO电子结构光学特性
颜色可以控制的LED玻璃灯泡
本发明提供一种新型的颜色可以控制的LED玻璃灯泡,包括灯罩、灯头、驱动电源及LED光源电路板,驱动电源包括滤波模块和阻容降压模块,LED光源电路板包括四个独立的LED串联线路,每一个LED串联线路都由三个同色LED、两个...
郭志友孙慧卿张宇飞许轶肖永能赵洪涛黄洪勇严卫聪戴云霄
文献传递
基于密度泛函理论的ZnO(0001)极性表面吸附特性研究
氧化锌(ZnO)是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族多功能直接带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在晶格特性和能带结构方面与GaN有许多相似之处,拥有可以比拟的光电特性,而且还具有更高的激子束缚...
张宇飞
关键词:密度泛函理论表面能电子结构光学性质
ZnO(0001)表面吸附B的电子结构和光学性质研究
2011年
采用基于密度泛函理论的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似,对清洁ZnO(0001)表面及B/ZnO(0001)吸附体系进行了几何结构优化,计算了B/ZnO(0001)吸附体系的吸附能、能带结构、电子态密度和光学性质.计算结果表明:B在ZnO(0001)表面最稳定的吸附位置是T4位.吸附后B/ZnO(0001)吸附体系表面带隙有所减小,表面态的组成发生变化,n型导电特性有一定程度的减弱,同时,对紫外光的吸收能力显著增强.
张宇飞郭志友曹东兴
关键词:电子结构光学性质
共1页<1>
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