张东明
- 作品数：89 被引量：320H指数：10
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 高性能二氧化锡陶瓷电极材料的研制及其应用
- 张联盟沈强张东明罗国强姜从盛王传彬李明忠李凌秦麟卿陈洪波
- SnO<,2>陶瓷电极材料是玻璃电熔装置的核心组成部分，SnO<,2>陶瓷电极材料难以满足玻璃熔制工业对其使用寿命的要求。为此，项目以研制出高性能、低成本SnO<,2>陶瓷电极材料和实现工业化生产应用为目的，设计出SnO...
- 关键词：
- 用连续原位复合法制备金属-非金属纳米材料
- 邵刚勤段兴龙袁润章谢济仁蔡虎余晓华李佳易忠来章桥新张东明张卫丰孙鹏王冲史晓亮林华幌
- 该课题为武汉市科技攻关项目(委托单位：武汉市科学技术委员会；项目编号：20011007088，下达文号：武科计[2001]122号文)，完成时间为2001年6月至2002年12月。该课题以Ni-ZrO<,2>、Ni-Ti...
- 关键词：
- 关键词：原位复合法
- 透明陶瓷的制备技术及其透光因素的研究被引量：37
- 2003年
- 简要地介绍了国内外透明陶瓷的制备技术 ,同时探讨了气孔和晶界组织结构等因素对透明陶瓷的透光性能的影响 ,并展望了透明陶瓷研究的发展趋势。
- 刘军芳傅正义张东明张金咏
- 关键词：透明陶瓷气孔率
- 一种质子交换膜燃料电池用Fe‑Cr‑Ni合金双极板表面改性处理的方法
- 本发明属于质子交换膜燃料电池技术领域，主要是涉及质子交换膜燃料电池的金属双极板表面改性的方法。本发明提供一种质子交换膜燃料电池用Fe‑Cr‑Ni合金双极板表面改性处理的方法，步骤如下：先对Fe‑Cr‑Ni合金双极板进行表...
- 张东明彭浩
- 文献传递
- 钛合金基体上TiN涂层的残余热应力分析被引量：5
- 2009年
- 采用有限元方法分析TiN涂层的残余热应力,研究钛合金基体和涂层厚度对TiN涂层热应力分布的影响。结果表明:基体内以拉应力为主,涂层内以压应力为主,在明锐界面靠近自由边界处出现了剪切应力奇异场;当涂层厚度增加时,涂层的径向应力逐渐减少,而剪应力先增加随后又趋于平稳;涂层的径向应力随基体厚度增加而增加,当基体厚度超过1 mm时增加变得平缓。
- 陈勇国张东明刘晶何芬张联盟
- 关键词：TIN涂层有限元残余热应力
- 沉积温度和退火处理对BCN薄膜结构的影响被引量：2
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积技术,在Si(100)基片上制备了BCN薄膜,研究了沉积温度和退火处理对BCN薄膜组分和结构的影响。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对制备的BCN薄膜进行了表征。结果表明:沉积温度升高时,BCN薄膜的组分无明显改变。所制备的BCN薄膜包含B—N,C—B和C—N化学键,是由杂化的B—C—N键构成的化合物。真空退火温度为700℃时,BCN薄膜结构稳定;大气退火温度达到600℃时,BCN薄膜表面发生氧化分解,同时有C≡N键形成,表明C≡N键具有较好的高温热稳定性。
- 杨琼王传彬章嵩张东明沈强张联盟
- 关键词：沉积温度退火脉冲激光沉积
- 含有α－氮化硅晶须的氮化硅水基流延浆料及其制备方法
- 本发明是一种含有α－氮化硅晶须的氮化硅水基流延浆料，其固相含量为15～40％，其所含的组分及其质量配比为：α－氮化硅晶须1～10％，氮化硅粉体16～25％，聚乙烯亚胺1～8％，聚乙烯醇20～35％，丙二醇1～8％，去离子...
- 张联盟李君陈斐刘晶张东明沈强王传彬
- 文献传递
- Ce<Sup>3+</Sup>掺杂SrMgF<Sub>4</Sub>多晶荧光材料的制备方法
- 本发明涉及Ce<Sup>3+</Sup>掺杂SrMgF<Sub>4</Sub>多晶荧光材料的制备方法，该方法首先利用锶源、镁源、铈源配制金属阳离子混合溶液，利用氟源配制氟阴离子溶液；然后将金属阳离子混合溶液缓慢滴加到氟阴...
- 张东明柳琪邵刚勤朱璨王俊晏佳礼张勇
- 文献传递
- SPS烧结层状TiB_2/BN陶瓷的界面研究被引量：7
- 2001年
- 本文采用放电等离子烧结 (SPS)技术烧结层状TiB2 /BN陶瓷 ,研究其界面结合的性质和状况。并讨论了当夹层厚度不同的时候 。
- 唐田张东明付正义
- 关键词：放电等离子烧结
- TiB_2陶瓷的放电等离子烧结被引量：10
- 2003年
- 利用放电等离子烧结技术制备TiB2 陶瓷。分析了烧结温度、保温时间和升温速率对烧结体致密度及显微结构的影响。实验结果表明 :随着烧结温度的提高 ,烧结体的致密度及晶粒大小均增加。延长保温时间 ,样品的晶粒有明显长大。提高升温速率 ,有利于抑制晶粒生长 ,但样品的致密度降低。在TiB2 的烧结过程中 ,存在颗粒间的放电。在烧结温度为 15 0 0℃ ,压力为 30MPa ,升温速率为 10 0℃ /min ,真空中由SPS烧结制备的TiB2 陶瓷相对密度可达 98%。
- 逄婷婷傅正义张东明
- 关键词：放电等离子烧结显微结构放电
