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巩云云

作品数:8 被引量:3H指数:1
供职机构:聊城大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇压敏
  • 5篇压敏陶瓷
  • 5篇陶瓷
  • 3篇电性能
  • 3篇介电
  • 3篇介电性
  • 3篇介电性能
  • 2篇电阻
  • 2篇压敏电阻
  • 2篇氧化钛
  • 2篇烧结温度
  • 2篇添加剂
  • 2篇煅烧
  • 2篇煅烧温度
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇二氧化钛
  • 2篇TIO
  • 2篇TIO2压敏...
  • 2篇ZNO压敏电...

机构

  • 8篇聊城大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 8篇巩云云
  • 7篇徐志军
  • 7篇初瑞清
  • 5篇马帅
  • 4篇郝继功
  • 2篇李国荣
  • 2篇李伟
  • 1篇杜鹃
  • 1篇白海瑞
  • 1篇李艳

传媒

  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
TiO_2压敏陶瓷的研究进展被引量:2
2014年
TiO2压敏陶瓷的压敏电压低、非线性系数高、介电常数大、制备工艺简单,在电子、通信、航天航空等高新技术产业的低压保护中具有广阔的应用前景。主要从粉体制备工艺、叠层方式烧结、烧结氛围、烧结温度及保温时间、掺杂物质及浓度等方面归纳总结了TiO2压敏陶瓷的研究状况,并展望了其今后的研究趋势。
巩云云初瑞清徐志军马帅郝继功李国荣
关键词:二氧化钛压敏陶瓷掺杂
TiO2基压敏陶瓷的制备及其掺杂改性研究
TiO2基压敏陶瓷同时具备电容-压敏双功能特性。低的压敏电压,高的介电常数加之简单的制备工艺,使它成为低压领域中发展前景较好的一种压敏电阻材料。但TiO2压敏陶瓷仍存在一些问题如小的非线性系数等,限制了它在工业上的应用。...
巩云云
关键词:二氧化钛压敏陶瓷介电性能掺杂改性
文献传递
CaCO3对TiO2系压敏陶瓷性能的影响
采用传统的固相烧结工艺制备了TiO2系压敏陶瓷.通过对其晶体结构、表面形貌分析和对样品压敏性能、介电性能的测定,研究了不同CaCO3含量对TiO2压敏陶瓷性能的影响.研究发现:在1300℃烧结条件下,掺入0.50 mol...
巩云云初瑞清徐志军张宪楠曾文静窦同福
关键词:TIO2压敏陶瓷介电性能
一种ZnO压敏电阻低压化添加剂及其制备方法
本发明公开了一种ZnO压敏电阻低压化添加剂及其制备方法。该添加剂的化学元素组成为Bi、Cr和O,相结构组分为Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Bi<Sub>7.38</Sub>Cr<Sub>0.62...
徐志军马帅初瑞清李伟郝继功巩云云
文献传递
一种低漏电流五元系ZnO压敏陶瓷材料及烧结方法
本发明公开了一种低漏电流五元系ZnO压敏陶瓷材料,材料配方为:摩尔比为(100-y-z-m-n)%:y%:z%:m%:n%的ZnO、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Co<Sub>2</Sub>O<...
徐志军马帅初瑞清杜鹃李艳巩云云
文献传递
一种低温烧结高性能高压氧化锌压敏电阻材料
本发明公开了一种低温烧结高性能高压氧化性压敏电阻材料。该材料以氧化锌为主体,适量添加Bi、Sb、Co、Mn及Cr元素组成,其中Cr的含量为0~0.5mol%。上述材料的制备方法是通过配料、混料、球磨、干燥、造粒、排塑、烧...
徐志军白海瑞初瑞清马帅郝继功巩云云
文献传递
一种ZnO压敏电阻低压化添加剂及其制备方法
本发明公开了一种ZnO压敏电阻低压化添加剂及其制备方法。该添加剂的化学元素组成为Bi、Cr和O,相结构组分为Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Bi<Sub>7.38</Sub>Cr<Sub>0.62...
徐志军马帅初瑞清李伟郝继功巩云云
文献传递
CaCO_3对TiO_2系压敏陶瓷性能的影响被引量:1
2017年
采用传统的固相烧结工艺制备了TiO_2系压敏陶瓷。通过对其晶体结构、表面形貌分析和对样品压敏性能、介电性能的测定,研究了不同CaCO_3含量对TiO_2压敏陶瓷性能的影响。研究发现:在1300℃烧结条件下,掺入0.50 mol%CaCO_3的样品具有非常致密的微观结构,晶粒的均匀性最好;除TiO_2金红石晶相外,还存在着第二相;具有良好的综合电性能,显示出低的压敏电压(E_(1mA)=2.07 V/mm)、高的非线性系数(α=3.35)、最高的介电常数(ε_r=2.60×10~5)和相对低的介电损耗(tanδ=0.23)。
巩云云初瑞清徐志军张宪楠曾文静窦同福李国荣
关键词:TIO2压敏陶瓷介电性能
共1页<1>
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