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左磊
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1
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供职机构:
华中理工大学固体电子学系
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发文基金:
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相关领域:
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合作作者
丘思畴
华中理工大学固体电子学系
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丘思畴
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左磊
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1篇
1991
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硅太阳电池发射区复合的分析
1991年
本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.
丘思畴
左磊
丘睦钦
关键词:
硅太阳能电池
发射区
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