姜薇薇
- 作品数：19 被引量：50H指数：4
- 供职机构：北京交通大学理学院光电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 长余辉发光标牌的制备及性能研究被引量：2
- 2005年
- 采用SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光粉、成品清漆,添加分散剂等助剂制备的溶剂型发光涂料,制备了发光标牌。该发光标牌除具有SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光亮度高、余辉时间长的性能,还具有了耐水耐潮湿和易清洁的性能;激发光谱表明,紫外和可见光能有效激发,发射光谱表明其发射峰位于520nm附近,呈耀眼醒目的黄绿色。
- 王晓春刘全生张希艳姜薇薇田雪雁胡璟洁
- 关键词：长余辉发光涂料SRAL2O4EU^2+,DY^3+
- SrAl_2O_4∶Eu^(2+),Dy^(3+)纳米长余辉发光材料的制备与表征被引量：14
- 2004年
- 采用溶胶鄄凝胶法制备了SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+纳米长余辉发光材料,研究了pH值、反应温度和络合剂等对溶胶鄄凝胶形成的影响,研究了灼烧温度对SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+晶相、颗粒尺度和发光性能的影响。利用XRD,SEM,光谱分析等手段对产物进行了结构和性能分析。实验结果表明,在800℃时SrAl2O4晶相开始形成但没有发光,而在1100℃烧结的样品则具有很好的发光性能。样品平均晶粒尺寸随灼烧温度升高而增加,平均晶粒尺寸为20~40nm。样品的激发光谱是峰值在240,330,378和425nm的连续宽带谱,发光光谱是峰值在523nm的宽带谱,与SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+粗晶材料相比,发光光谱发生了“红移”现象。样品的热释光峰值位于157℃,与SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+粗晶材料相比,峰值向低温移动了13℃。
- 张希艳姜薇薇卢利平刘全生柏朝晖王晓春曹志峰
- 关键词：溶胶-凝胶法SRAL2O4:EU^2+,DY^3+纳米粉体长余辉发光材料
- SrS∶Eu,Sm光存储机理的研究被引量：3
- 2008年
- 采用高温固相反应法在还原气氛下制备了SrS∶Eu,Sm样品,利用荧光光谱仪测量了这种光存储材料的激发光谱和发射光谱。将样品用紫外灯(265nm)照射激发饱和后,再用980nm的红外激光器激励,利用荧光光谱仪测试得到了峰值位于599nm的光激励发光光谱。此外还利用热释光谱仪测试了样品的热释光谱。探讨了SrS∶Eu,Sm的光存储机理,认为引入的稀土离子在SrS的带隙中形成分裂能级。当用紫外光照射材料时,Eu的电子从基态被激发到激发态或基质材料的导带,其中一部分电子被辅助激活剂Sm的陷阱俘获,实现信息写入。当材料被与陷阱深度相当的红外光激励时,电子陷阱Sm2+俘获的电子才可能跃出俘获能级,与空穴在Eu的激发态和基态能级上复合,多余的能量以可见光的形式释放出来,实现信息读出。
- 姜薇薇徐征
- 关键词：SM光存储
- 固态阴极射线器件复合加速层的研究
- 2008年
- 固态阴极射线器件的加速层,是提高固态阴极射线性能的重要部分,它能够加大电子能量,倍增电子数量。其中增加注入电子从而提高过热电子的数量,是提高固态阴极射线器件性能的关键。为此,文章尝试将加速层复合,兼顾加速与电子注入性能。首先将SiO2,ZnS和ZnO分别与有机聚合物MEH-PPV组合,确定较适合的复合加速层的组合:SiO2/ZnS和ZnO/SiO2。然后将这两种复合加速层的性能对比,发现SiO2/ZnS的性能更优越,因为电子注入性能ZnS和ZnO相当,而电子加速倍增性能ZnS明显优于ZnO,其中SiO2为主要的加速层,而ZnS起到降低注入势垒变成阶梯势垒的作用。最后又将复合加速层结构的固态阴极射线器件和传统的SiO2夹层固态阴极射线器件对比,发现这种复合加速层结构,尤其在高场下,可提高固态阴极射线的初电子源和过热电子的数目,从而提高其发光效率具有促进作用。
- 李远赵谡玲徐征张福俊黄金昭赵德威姜薇薇闫光
- 关键词：电致发光固态阴极射线
- SrS：Eu，Sm光存储材料的制备及表征被引量：1
- 2008年
- 采用湿法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm电子俘获光存储材料,研究了制备条件(灼烧温度、灼烧时间、助熔剂含量)对样品光激励发光性能的影响。XRD图谱表明,样品在750°C就可以形成SrS晶格。光谱分析表明,先将样品用紫外光饱和激发后,再用980nm半导体激光照射,具有光激励发光现象,发光峰值位于599 nm。对这种稀土掺杂硫化物材料的光存储机理进行了探讨。
- 姜薇薇徐征
- 关键词：光存储
- 稀土掺杂硫化物光存储材料的研究
- 该文采用湿法制备前驱物、然后在还原气氛下利用稀土直接掺杂法制备了具有良好光存储性能的CaS:Eu,Sm、SrS:Eu,Sm及CaSrS:Eu,Sm光存储材料.系统地研究了一系列的工艺条件及参数,讨论了前驱物制备方法、材料...
- 姜薇薇
- 关键词：光存储
- 文献传递
- 稀土掺杂的长余辉材料的研究与计算
- 王丽伟徐征滕枫姜薇薇张福俊
- 文献传递
- 高温固相反应法制备CaS:Eu^(2+),Sm^(3+)光存储材料及其性能研究被引量：11
- 2003年
- 采用高温固相反应法在还原气氛下制备了CaS :Eu2 + ,Sm3 + 光存储材料。研究了工艺因素 (灼烧温度和灼烧时间 )对样品性能的影响。XRD图谱表明 ,样品在 70 0℃就可以形成CaS晶格。光谱分析表明 ,在紫外光激发后 ,用 980nm半导体激光照射样品 。
- 张希艳姜薇薇卢利平米晓云
- 关键词：XRD
- ZnSe为发光层的蓝绿光薄膜电致发光器件的发光性能被引量：1
- 2008年
- 采用具有电子加速能力的SiO2代替传统夹层结构中的绝缘层,利用电子束蒸发的方法制备了结构为ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al的电致发光器件,观察到了传统夹层结构所没有的ZnSe层电致发光.测量了器件的电致发光光谱及总发光强度随着驱动电压及驱动频率的变化关系.讨论了器件的发光机理,认为是初电子经过SiO2层加速,获得较高能量,然后碰撞ZnSe分子,将其价带的电子激发到导带,再跃迁回价带或缺陷能级与空穴复合发光.由于这种发光方式类似于阴极射线发光,只不过电子在固体中而不是真空中加速,所以称之为固态阴极射线发光.这种机理为实现蓝色电致发光提供了新的途径.
- 姜薇薇赵谡玲张福俊徐征
- 关键词：ZNSE蓝色发光电致发光固态阴极射线发光
- ZnSe/SiO2复合薄膜的制备和光学性能研究
- ZnSe 纳米晶体具有特殊的物理化学性能,它在半导体光电器件、红外探测器、太阳能电池及激光器件等领域都有重要的应用。近年来,多数研究主要集中在 ZnSe 纳米单晶体材料以及 ZnSe 纳米单晶薄膜材料的制备和应用方面。且...
- 岳利青赵谡玲徐征张福俊姜薇薇王永生徐叙瑢
- 文献传递
