吴宝嘉
- 作品数：66 被引量：30H指数：4
- 供职机构：延边大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 高压下WSe_2的电学性质及金属化相变
- 2011年
- 利用高压原位电阻率测量技术,观察0～48.2 GPa内WSe2电阻率随压强的变化规律,并测量了WSe2电阻率在不同压强下随温度的变化关系.结果表明:WSe2电阻率在压力作用下的变化规律与杂质能级压致离化后的传导有关;由于压致能隙闭合,WSe2在38.1 GPa时发生等结构的半导体性到金属性的相转变.
- 刘鲍彭刚吴宝嘉
- 关键词：电阻率金属化
- 氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：1
- 2004年
- 利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性 ,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响。随着氮气分压的增加 ,阈值电场逐渐升高 ,这是由于表面粗糙度的变化造成的。充入 10 %N2 情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好 ,开启电场为 9V/μm ,当电场升高到 2 4V/μm ,场发射电流为 32 0 μA/cm2 。所有样品的场发射FN曲线均近似为直线 。
- 顾广瑞吴宝嘉李全军金哲盖同祥赵永年
- 关键词：氮化硼薄膜场发射射频磁控溅射法红外光谱分析开启电场隧道效应
- 氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
- 本发明公开了氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体薄膜晶体管制备领域，现提出如下方案，包括以下步骤：S1、基板清洗处理：首先将基板玻璃投入清洗设备内，用清洗设备对基板玻璃表面异物进行超纯清洗处理；S2、成膜处理：...
- 吴宝嘉王帅顾广瑞张宇巍冯慧东
- 利用第一性原理计算HgSe的结构相变和光学性质
- 2009年
- 利用基于密度泛函的第一性原理,计算了高压下HgSe的结构相变和光学性质,并给出导带与价带之间跃迁激发峰的位置.结果表明,HgSe的压致结构转变顺序为闪锌矿结构(HgSe-Ⅰ)→朱砂相结构(HgSe-Ⅱ)→岩盐矿结构(HgSe-Ⅲ)→正交结构(HgSe-Ⅳ),相变压力分别为1.1,15.1,40.1 GPa.
- 赵瑞张启周朱秀云彭刚吴宝嘉崔晓岩郝爱民
- 关键词：第一性原理计算相变光学性质
- 一种便于移动的太阳能固定支架
- 本实用新型公开了一种便于移动的太阳能固定支架，包括底座，所述底座的下端外表面活动安装有配重块，所述配重块的下端外表面活动安装有万向轮，所述底座的上端外表面一侧靠近前端位置固定安装有第一支撑杆，所述底座的上端外表面另一侧靠...
- 吴宝嘉张雪岩田栓桩
- 文献传递
- DAC垫片孔侧壁绝缘程度对电导率测量结果的影响
- 2009年
- 通过有限元方法,计算了DAC内垫片孔侧壁与样品发生不同程度短路的情况下,范德堡法测量样品电阻率的相对误差.发现垫片孔侧壁与样品短路面积小于20%时,相对误差可以控制在10%以内.而当短路面积超过25%时,相对误差迅速增大.研究中还发现,电极越靠近样品边缘,相对误差越小.
- 彭刚吴宝嘉刘才龙韩永昊刘鲍胡廷静王月崔晓岩任万斌高春晓
- 关键词：金刚石对顶砧电阻率
- s-d系统的磁性杂质效应与低温杂质电阻
- 1999年
- 基于ｓ－ｄ混合效应与ｓ－ｄ交换效应的统一模型，利用格林函数方法，研究了稀磁合金中极低温情况下的电阻特性与准电子质量．
- 顾广瑞吴宝嘉马琰铭
- 关键词：电阻
- 金刚石对顶砧中触点位置误差对样品电阻率测量精度的影响被引量：1
- 2011年
- 利用有限元分析方法,研究了金刚石对顶砧中电极与样品接触点位置变化对范德堡法测量样品电阻率精度的影响.结果表明:当电极中心与样品边缘的间距b≤d/9(d为样品直径)时能得到精确的电阻率测量结果;当电极位置远离样品边缘而逐渐接近样品中心时,其位置变化对电阻率测量精度的影响迅速增大;相同的电极位置变化对具有较大电阻率的半导体样品电阻率测量精度的影响更明显.
- 吴宝嘉韩永昊彭刚金逢锡顾广瑞高春晓
- 关键词：电阻率有限元方法金刚石对顶砧
- InSe的高压电输运性质研究
- 2013年
- 高压下对InSe样品进行原位电阻率和霍尔效应测量.电阻率测量结果显示,样品在5—6GPa区间呈现金属特性,在12GPa的压力下发生由斜六方体层状结构到立方岩盐矿的结构相变,且具有金属特性.霍尔效应测量结果显示,样品在6.6GPa由p型半导体转变成n型半导体,电阻率随着压力的升高而逐渐下降是由于载流子浓度升高引起的.
- 吴宝嘉李燕彭刚高春晓
- 关键词：INSE电阻率
- 纳米针状金刚石膜的制备
- 2015年
- 利用高功率微波等离子体化学气相沉积方法在硅衬底上沉积了多晶金刚石薄膜,然后利用电子束蒸发方法在金刚石薄膜表面上沉积了5 nm厚的Pt薄膜.利用Pt的自组织化效应,再通过氢等离子体照射、氧等离子体刻蚀、王水处理等手段,使金刚石薄膜表面形成了纳米针.利用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)表征金刚石薄膜的结构,拉曼光谱显示在1 315 cm^(-1)处出现纳米金刚石特征峰,SEM显示纳米针均匀地直立在金刚石薄膜表面,每平方厘米大约含有10~8个纳米针,纳米针的平均高度约为1μm.
- 伞志鹏顾广瑞吴宝嘉
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜纳米针扫描电子显微镜
