您的位置: 专家智库 > >

卢勇

作品数:37 被引量:147H指数:7
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 18篇理学
  • 6篇化学工程
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 10篇VO
  • 8篇二氧化钒
  • 8篇MGAL
  • 7篇电子辐照
  • 7篇氧化钒薄膜
  • 7篇陶瓷
  • 7篇透明陶瓷
  • 6篇光学
  • 6篇二氧化钒薄膜
  • 5篇色心
  • 5篇图像
  • 5篇退火
  • 5篇光学性
  • 5篇辐照
  • 5篇VO2薄膜
  • 4篇F
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻温度系数
  • 3篇真空
  • 3篇正电

机构

  • 37篇四川大学
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇云南大学

作者

  • 37篇卢勇
  • 28篇林理彬
  • 20篇何捷
  • 11篇邹萍
  • 9篇卢铁城
  • 5篇甘荣兵
  • 5篇刘凯
  • 5篇王鹏
  • 4篇廖志君
  • 3篇王鹏
  • 2篇陈军
  • 2篇王治国
  • 2篇何维
  • 2篇宋萍
  • 1篇张晋
  • 1篇王静
  • 1篇刘彦章
  • 1篇叶琳
  • 1篇祖小涛
  • 1篇卓志云

传媒

  • 6篇功能材料
  • 4篇四川大学学报...
  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇激光杂志
  • 2篇强激光与粒子...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇核技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇激光技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇微电子学
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2005
  • 6篇2002
  • 20篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1991
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
图像修复方法、装置及三维重建系统
本发明涉及图像处理技术领域,提供一种图像修复方法、装置及三维重建系统,所述方法包括:获取摄像装置采集的原始图像,其中,原始图像为覆盖有正弦光栅的被测物体的图像;计算原始图像中每个像素点的光强调制值;根据每个像素点的光强调...
刘凯孙伟伦卢勇
电子辐照对VO_2薄膜热致相变过程中光学性能的影响被引量:3
2001年
利用能量为 1.7MeV ,注量分别为 10 13~ 10 15/cm2 的电子束辐照二氧化钒薄膜 ,对辐照及未辐照样品进行了UV VIS、XPS参数测试 ,并测量 90 0nm处光透射性能随温度的变化。发现电子辐照导致了VO2 薄膜中的V离子价态由V4 +向V5+转变 ,薄膜热致相变前后的光透射比随注量增加变化较小 ,只在注量为 10 14 /cm2 时光透射比减小得较明显 ;相变温度点及热滞回线宽度随注量增加出现显著变化。并对有关的结果进行了讨论。
卢勇林理彬邹萍何捷卢铁城
关键词:电子辐照二氧化钒薄膜光学性能
改变VO_2薄膜光学性能的低注量电子辐照方法被引量:1
2001年
利用能量为 0 8MeV ,注量为 10 12 /cm2 的低注量电子束辐照VO2 薄膜 ,发现低注量电子辐照显著提高VO2 光学性能的温度响应速度 ,并引起薄膜相变过程中的热滞回线宽度变窄 ,但没有对相变温度点造成明显影响 ;通过对比辐照前后样品 370~ 90 0nm的吸收和透射性能 ,表明辐照后吸光度下降、透射率增加 ,在相变过程中四方相附近出现透射、吸收特性的非稳变化现象 ;利用X射线衍射 (XRD)及拉曼光谱对辐照前后样品进行分析 ,显示低注量电子辐照引起薄膜结构的变化 。
卢勇林理彬邹萍何捷卢铁城
关键词:电子辐射光学特性氧化钒薄膜
VO2薄膜的制备及其辐照效应研究
卢勇
关键词:VO2薄膜辐照
颌面骨骨纤维异常增殖症和骨化性纤维瘤的病理、X线、临床对照研究
卢勇
晶体生长用TiO_2纳米晶的改良工艺研究被引量:7
2001年
针对晶体生长的具体应用,分别以硫酸氧钛铵(ATS)和改良硫酸氧钛铵(M-ATS)为原料,采用高温焙烧法制备了TiO2纳米晶,用XRD分析了原料和纳米晶的物相,用SEM分析了纳米晶的形貌.结果表明虽然两种原料具有相似的物相结构,但所得纳米晶的性状不同,M-ATS焙烧所得纳米晶分散性更高,均匀性更好.此外,研究了焙烧温度、保温时间、急烧、缓烧等工艺条件对纳米晶形貌、物相的影响,并给出了批量制备TiO2纳米晶粉体的最佳工艺条件.
卢铁城宋萍林理彬卢勇祖小涛廖志君
关键词:纳米晶SEMXRD晶体生长
MgAl_2O_4透明陶瓷中电子辐照诱导缺陷退火行为研究被引量:3
2002年
用能量为1.7MeV,束流强度0.7μA·cm-2,总注量6.3×1016cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UVVIS和PAT测试,表明通过电子辐照样品在237nm和370nm处产生吸收带,它们主要是F心及V型色心。通过退火可以使F心及V型色心吸收峰消除,但F心的消除温度要高于V型色心,且其在退火过程中形成F聚心,F聚心随F心聚集增加其峰位将向紫外移动。
何捷林理彬王鹏卢勇邹萍王治国甘荣兵
关键词:电子辐照光学材料
相变光透射特性具有窗口结构的VO_2薄膜被引量:3
2002年
利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的VO2薄膜,通过改变制备过程中的条件,发现在一定的制备参数下,可得到光透射特性具有窗口形状的热致相变薄膜,该类薄膜相变前后在600~850nm范围出现显著透光度窗口状变化现象。利用XRD、XPS对相变光学特性具有窗口结构的薄膜和具有典型相变特性的薄膜进行对比分析,结果显示利用无机溶胶-凝胶法得到的薄膜表面没有衬底离子出现,衬底扩散离子主要存在于薄膜和衬底界面之间。通过对引起相变过程中光透射窗口状变化的原因进行讨论,得到薄膜在相变过程中出现透射光谱窗口状的变化是来源于V3+和衬底扩散离子Na+的共同作用。
卢勇林理彬廖志君何捷
关键词:光学性质光学材料二氧化钒薄膜
1.7MeV电子束在VO_2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化被引量:8
2001年
利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ~ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在VO2 薄膜中出现变价效应 ,产生新的X射线衍射峰 ,带来薄膜化学成分的变化。电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2
卢勇林理彬邹萍卢铁城何捷
关键词:相变性能电子辐照
MgAl_2O_4透明陶瓷电子辐照及退火效应被引量:6
2001年
用能量 1 .7Me V,束流强度 0 .7μA· cm-2 ,总注量 6 .3× 1 0 16 cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷 ,并对辐照后的样品进行等时退火。利用 PAT、UV- VIS和 FI- IR测试 ,表明辐照前3 3 6 0 cm-1处有吸收峰 ,通过电子辐照样品在 2 3 7nm和 3 70 nm处产生吸收带 ,3 3 6 0 cm-1处吸收峰消失 ,主要是由 VOH-1心及辐照产生的 F心和 V型色心引起的。通过退火 ,可消除 F心及 V型色心吸收峰。
何捷林理彬王鹏卢勇邹萍
关键词:电子辐照色心
共4页<1234>
聚类工具0