单一林
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 多晶发射极微波SiGe/Si HBT
- 本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5'圆片0.8umCMOS工艺线上,研制...
- 张伟熊小义刘志弘许军付玉霞单一林刘爱华窦维治王玉东刘朋钱佩信
- 关键词：SIGEHBTUHV/CVD多晶发射极
- 文献传递
- Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究
- 2006年
- 实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关。实验利用XRD，研究了Ti（SiGe）2从C49相到C54相的转变。物相分析结果显示，其相转变温度在760～800℃之间。结合实验结论，对采用Ti硅化物工艺的自对准SiGeHBT进行了退火温度的优化，其适合的高温退火温度为850℃左右。
- 李翊张伟许军陈长春单一林熊小义李希有刘志弘钱佩信
- 关键词：SIGEHBTRTA温度特性
- 硅浅结紫外光探测器的研究被引量：3
- 2000年
- 采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光 (UV )探测器 ,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明 ,这种探测器能够有效地探测波长为 2 0 0nm至 4 0 0nm的紫外光。
- 陈武王勇王水弟单一林MikkoMatikkala
- 关键词：紫外光探测器浅结硅
- TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用被引量：2
- 2006年
- 通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大。
- 张伟王玉东熊小义许军单一林李希有刘爱华钱佩信
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波低噪声
- 200～1100nm光响应测试系统的研制
- 2000年
- 设计并制作了 2 0 0～ 110 0nm的光响应测试系统 ,该系统工作稳定可靠 ,并可消除光源抖动和突发性光源对测试的影响。
- 陈武王勇王水弟单一林MikkoMatikkala
- 关键词：紫外光光响应测试系统光探测器
