刘征
- 作品数：46 被引量：98H指数：6
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- 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程金属学及工艺更多>>
- 热处理温度对陶瓷/金属封接强度的影响
- 2012年
- 通过对陶瓷电镀件进行不同温度的热处理后,分别用Cu、Ag和AgCu28焊料与可伐和无氧铜封接。随着热处理温度的提高,发现某些封接件的封接强度及封接界面的显微结构发生了改变。综合各种因素后提出热处理温度不能超过850℃。
- 刘慧卿程建黄亦工刘征
- 关键词：热处理温度陶瓷金属焊料
- 高热导率(≥200W/m·K)AIN陶瓷的制备被引量：1
- 2001年
- 目前,散热问题已成为电子器件的发展技术关键之一,因而选用热导率高且安全无污染的陶瓷材料成为电子器件发展的主要方向。本实验主要介绍了采用优质AIN粉体经热压烧结的方法,获得了高热导率(≥200W/m·K)且介电性能良好的AIN陶瓷的制备工艺与配方。
- 刘慧卿刘征
- 关键词：热导率热压烧结氮化铝陶瓷
- 多次金属化烧结的初步探讨
- 2006年
- 通过二/三次金属化烧结实验,对提高陶瓷金属化质量进行初步探讨。
- 李宇刘征黄亦工
- 关键词：封接强度熔体玻璃相
- 纳米碳管复合陶瓷微波衰减材料的研究
- 采用无压烧结工艺,以AlN和镁橄榄石(M2S)粉作为基体制备了纳米碳管(CNT)复合陶瓷.制备了热导率高、衰减量大及频率匹配特性良好的AlN-CNT复合微波衰减陶瓷.制备出的致密的M2S-CNT复合微波衰减材料有希望替代...
- 杨艳玲鲁燕萍田志英刘征
- 关键词：纳米碳管复合陶瓷无压烧结
- 文献传递
- 纳米碳管复合陶瓷微波衰减材料的研究被引量：2
- 2009年
- 采用无压烧结工艺,以AlN和镁橄榄石(M2S)粉作为基体制备了纳米碳管(CNT)复合陶瓷。制备了热导率高、衰减量大及频率匹配特性良好的AlN-CNT复合微波衰减陶瓷。制备出的致密的M2S-CNT复合微波衰减材料有希望替代用在真空电子器件中的氧化铝多孔渗碳微波吸收材料。
- 杨艳玲鲁燕萍田志英刘征
- 关键词：氮化铝纳米碳管镁橄榄石瓷
- 氮化铝与可伐封接件有限元应力分析
- 陶瓷金属封接件内残余应力主要是由热膨胀系数不匹配造成的,受各种因素的影响.其应力大小、分布影响着封接件的可靠性.对微波管内复杂氮化铝陶瓷-可伐金属结构运用有限元法计算封接件的应力.
计算的结果表明,实际断裂方式...
- 李新宇高陇桥鲁燕萍刘征
- 关键词：有限元法陶瓷-金属封接应力分析
- 文献传递
- 烧结镍工艺的应用研究被引量：2
- 2010年
- 二次金属化工艺现多采用电镀镍工艺技术,镍层在金属化层中所起的作用:优化焊料对金属化层的润湿,保护金属化层免于焊料的侵蚀,增强焊接强度和真空气密性。本文以生产实践为基础探讨获得镍层的工艺技术之异同及实用效果之比对。
- 刘征黄亦工陈新辉蔡安富
- 关键词：金属化
- 氧化铝陶瓷封接强度的统计分析被引量：2
- 2011年
- 采用Weibull分布和正态分布,对氧化铝陶瓷封接强度进行统计分析,并通过Weibull模数和变异系数来表征了材料强度的离散性。同时通过Weibull分布,比较了标准组合抗拉强度、拉钉强度和抗折强度测试的数据。
- 石明张巨先刘征高陇桥黄亦工
- 关键词：统计分析
- 高导热AlN陶瓷材料制造及其应用研究被引量：11
- 2002年
- 对AlN陶瓷材料制备过程中影响其性能尤其是导热性能的诸多因素进行实验 ,摸索出一套较合理的制备工艺 ,制造出性能较稳定、导热率高的AlN陶瓷材料。观察了AlN陶瓷的微结构并得出某些结论。已加工出AlN陶瓷夹持杆、收集极和输出窗 ,在微波管上试用 ,取得一些经验。
- 李发刘征鲁燕萍刘慧卿高陇桥
- 关键词：AIN陶瓷微波管
- 微波管用衰减材料的研究被引量：9
- 2007年
- 首先介绍了国内外的几种微波衰减材料,同时分析了我所正在使用和研究的几种衰减瓷;其次介绍了波导传输反射法测量微波衰减材料的高频电磁参数,以及国内其它单位和国外的测量水平状况;再次,通过介绍衰减器微波吸收特性的CAD,对衰减瓷在使用中的不匹配问题进行了讨论;最后结合笔者的认识,讨论了今后微波管用衰减材料的研究方向。
- 石明鲁燕萍刘征高陇桥
- 关键词：微波管电磁参数
