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文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇氮化碳
  • 2篇氮化碳薄膜
  • 2篇刀具
  • 2篇刀具涂层
  • 2篇刀具涂层技术
  • 2篇碳60
  • 2篇涂层
  • 2篇离子注入
  • 2篇复合膜
  • 2篇超硬
  • 2篇超硬薄膜
  • 2篇C_(60)
  • 1篇导体
  • 1篇低能离子
  • 1篇低能离子束
  • 1篇电特性
  • 1篇电性质
  • 1篇衍射
  • 1篇异质结
  • 1篇原位测试

机构

  • 8篇武汉大学
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇物理与电子信...

作者

  • 9篇傅德君
  • 5篇吴大维
  • 5篇范湘军
  • 3篇何孟兵
  • 3篇郭怀喜
  • 3篇彭友贵
  • 2篇刘传胜
  • 2篇张志宏
  • 2篇叶明生
  • 2篇雷园园
  • 1篇刘传胜
  • 1篇王国梅
  • 1篇高鹏
  • 1篇高鹏
  • 1篇叶明生
  • 1篇李金钗

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇全国薄膜学术...
  • 1篇"99全国荷...

年份

  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1988
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
氮化碳超硬复合膜的结构分析
流反应磁控溅射-多弧离子镀技术,在高速工具钢基体上沉积C<,3>N<,4>/TiN复合超硬薄膜。薄膜中存在β-C<,3>N<,4>和α-C<,3>N<,4...
彭友贵傅德君刘传胜高鹏叶明生
关键词:氮化碳超硬薄膜刀具涂层技术
离子-C_(60)相互作用及其对C_(60)/Si异质结光电特性的影响
1999年
用离化团簇束(ICB)沉积法制备了C60薄膜。XRD测试表明,膜呈多晶结构;原位电阻测试表明,膜的室温电阻率超过103Ωcm,具有负的电阻温度系数。用80keVp+,BBr3+,Ar+和He+对C60膜作剂量范围为0—1016cm-2的离子注入,C60膜的电阻率随注入剂量的增加而下降,p+注入使膜呈n型电导,离子与C60团簇的相互作用导致C60分裂,并使膜表面非晶化。在沉积过程中溅射掺Al得到p型C60膜。C60/Si样品具有明显的异质结特性,光照对结特性有明显响应。
雷园园傅德君李金钗郭怀喜叶明生范湘军
关键词:光电性质异质结
氮化碳超硬复合膜的结构分析
吴大维傅德君刘传胜高鹏叶明生
关键词:氮化碳复合膜表面处理
C_3N_4薄膜的结构与性能研究被引量:17
1997年
用射频等离子体增强化学汽相沉积技术合成C3N4薄膜,并采用强迫晶化技术,经透射电子衍射观测,薄膜具有多晶结构.用X射线光电子能谱测试了C,N原子结合能及含氮量.傅里叶变换红外光谱曲线表明薄膜中不含石墨相.测得薄膜的维氏硬度为29.2—50.
吴大维何孟兵郭怀喜罗海林张志宏傅德君范湘军
关键词:C3N4氮化碳
刀具涂层技术的新进展被引量:30
2000年
:概述了一些具有应用前景的刀具硬质涂层新材料和多元、复合多层超硬薄膜的应用 ;介绍了超高硬度涂层材料 :低压气相合成金刚石、立方氮化硼和β-C3N4的研究进展 。
吴大维刘传胜傅德君彭友贵范湘军
关键词:涂层刀具超硬薄膜
氮化碳薄膜的耐腐蚀性和热稳定性研究被引量:6
1998年
本文研究了氮化碳薄膜在氢氟酸,氢氟酸加硝酸混和酸中的抗腐蚀作用。研究表明合金钢表面镀氮化碳薄膜之后,能显著降低阳极金属电化学腐蚀电流,使金属表面明显钝化。采用热失重-差热分析方法研究氮化碳薄膜的热稳定性和抗氧化性表明,加热氮化碳薄膜至1200℃,未见明显热失重和热反应。
郭怀喜吴大维何孟兵傅德君张志宏范湘军王国梅
关键词:氮化碳耐腐蚀性热稳定性
C_(60)薄膜的离化团簇束沉积及离子掺杂
1998年
用离化团簇束(ICB)沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了C60薄膜,XRD测试表明膜呈多晶结构,原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过104Ωcm,具有负的电阻温度系数.用80keVP+,BBr3+,Ar+和He+对C60膜作剂量范围为0~1016cm-2的离子注入,C60膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降,磷注入具有n型掺杂作用,离子与C60分子的相互作用导致C60分子分裂,引起薄膜表面非晶化.
傅德君雷园园李金钗叶明生彭友贵范湘军
关键词:离子注入原位测试碳60
类金刚石非晶碳膜的形成及其物理性质
傅德君
关键词:类金刚石膜低能离子束非晶半导体离子注入
氮化碳薄膜的X射线衍射分析被引量:2
1998年
研究了生长在硅片、合金钢片上的氮化碳薄膜的X射线衍射谱(XPD)。实验结果表明在硅片上先生长Si_3N_4过渡层和对样品进行热处理,有利于β-C_3N_4晶体的生成。不同晶面的硅衬底,生长C_3N_4薄膜的晶面不同。合金钢片上C_3N_4薄膜,出现七个β-C_3N_4衍射峰和六个α-C_3N_4衍射峰,这些结果与β-C_3N_4和α-C_3N_4的晶面数据计算值相符合。
吴大维何孟兵范湘军郭怀喜范炜傅德君
关键词:氮化碳薄膜X射线衍射谱晶体生长晶体结构
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