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万晓婧
作品数:
8
被引量:2
H指数:1
供职机构:
北京工业大学
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发文基金:
国家教育部博士点基金
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相关领域:
理学
一般工业技术
电子电信
电气工程
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合作作者
苏雪琼
北京工业大学应用数理学院
王丽
北京工业大学应用数理学院
陈江博
北京工业大学应用数理学院
孔乐
北京工业大学应用数理学院
张新平
北京工业大学
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铁电
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铁电薄膜
机构
8篇
北京工业大学
作者
8篇
万晓婧
7篇
陈江博
7篇
王丽
7篇
苏雪琼
1篇
孔乐
1篇
张新平
传媒
1篇
中国激光
年份
4篇
2011
4篇
2010
共
8
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一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法
本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结,得到Zn<Sub>0.9</Sub>Co<Sub>0.1</...
王丽
苏雪琼
陈江博
万晓婧
文献传递
激光沉积法制备SrTiO3铁电薄膜及其性能分析
随着微电子集成技术的长足发展,以及光电子和传感器等相关技术向微小型化应用领域的不断拓宽,铁电薄膜材料的发展呈现出十分诱人的前景。钙钛矿型铁电氧化物优良的综合性能,使得其长久以来成为人们的研究热点,而薄膜材料的研究更是如此...
万晓婧
关键词:
铁电薄膜
脉冲激光沉积法
钛酸锶
钛酸钡
表面形貌
脉冲激光沉积制备ZnO掺Co薄膜和宽带能隙分析
通过选取不同的基片温度,利用脉冲激光沉积的方法成功制备掺钴氧化锌薄膜。通过对样品的原子力显微镜(AFM)测试,观测到生长样品的表面形貌图形较纯ZnO薄膜光滑平整;通过对薄膜的X射线衍射(XRD)表征,测量出Co的掺杂并没...
苏雪琼
王丽
陈江博
万晓婧
关键词:
脉冲激光沉积法
原子力显微镜
文献传递
氧分压对脉冲激光沉积SrTiO_3薄膜性质的影响
被引量:2
2011年
采用脉冲激光沉积(PLD)法在不同氧分压下于LaAlO3(100)基片上成功制备了SrTiO3(STO)薄膜。通过测试,表征了薄膜的微观结构、表面形貌和光学特性。研究表明,对于利用PLD法制备STO薄膜,氧分压是重要的工艺参数。随着氧分压的降低,薄膜的结晶性变好,并发生由立方晶系到四方晶系的形变;氧分压升高,薄膜晶粒尺寸变大、数目变少,薄膜的厚度减小。薄膜在4002500nm的可见光和红外波段呈现较低的光学吸收。在5,10和15Pa氧压下制备的STO薄膜的能隙宽度分别约为3.84,4.13和4.05eV。这为STO薄膜进一步的制备与分析提供了良好的实验数据支持。
万晓婧
王丽
陈江博
苏雪琼
孔乐
关键词:
脉冲激光沉积
微观结构
光学特性
一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法
本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结,得到Zn<Sub>0.9</Sub>Co<Sub>0.1</...
王丽
苏雪琼
陈江博
万晓婧
一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法,由ZnO掺钴薄膜作为P型结,ZnO掺铟镓薄膜作为N型结,P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上,N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上,P型的ZnO掺钴薄膜的部分...
王丽
苏雪琼
陈江博
万晓婧
文献传递
一种透明氧化物半导体InGaZn<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>薄膜的制备方法
一种透明氧化物半导体InGaZn<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>薄膜的制备方法,属于薄膜材料制备领域。该制备方法的主要步骤为:采用常压固相反应烧结法制备InGaZn<Sub>4</Sub>O<Sub>7...
陈江博
王丽
苏雪琼
万晓婧
张新平
文献传递
一种氧化锌掺杂同质PN结
本实用新型公开了一种氧化锌掺杂同质PN结,由ZnO掺钴薄膜作为P型结,ZnO掺铟镓薄膜作为N型结,P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上,N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上,P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型Z...
王丽
苏雪琼
陈江博
万晓婧
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