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陶鹏程

作品数:17 被引量:4H指数:1
供职机构:大连理工大学更多>>
发文基金:辽宁省博士科研启动基金国家自然科学基金辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇纳米
  • 5篇ZNO纳米
  • 5篇传感
  • 4篇气相沉积
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇光纤
  • 4篇发光
  • 4篇感器
  • 4篇传感器
  • 3篇磷掺杂
  • 3篇纳米线
  • 3篇光纤传感
  • 3篇光纤传感技术
  • 3篇ZNO纳米线
  • 3篇掺杂
  • 3篇传感技术
  • 2篇电场
  • 2篇电极
  • 2篇调谐

机构

  • 13篇大连理工大学
  • 6篇辽宁师范大学
  • 1篇大连民族学院

作者

  • 17篇陶鹏程
  • 5篇于清旭
  • 5篇周新磊
  • 5篇冯秋菊
  • 4篇冯宇
  • 4篇孙景昌
  • 4篇蒋俊岩
  • 4篇许瑞卓
  • 4篇王珏
  • 4篇李梦轲
  • 4篇黄火林
  • 4篇宋哲
  • 3篇刘爽
  • 3篇梁红伟
  • 3篇彭伟
  • 2篇陈海鑫
  • 2篇杨浩
  • 1篇王东盛
  • 1篇夏晓川
  • 1篇刘佳媛

传媒

  • 2篇第12届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2018
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种光纤法布里-珀罗传感教学实验装置
本实用新型属于光纤传感类教学仪器技术领域,提供了一种光纤法布里‑珀罗传感教学实验装置,包括位移调节机构、传感器加热机构和气压控制机构。本实用新型可适用于光纤法布里珀罗传感器位移、温度、气压的单参量传感性能测量,同时也可以...
陶鹏程周新磊徐潇宇于清旭
文献传递
砷掺杂ZnO纳米线阵列的制备及特性研究
ZnO是一种具有纤锌矿结构和直接带隙的宽带半导体,在室温下的禁带宽度为3.37 eV,与GaN的禁带宽度相近.ZnO主要靠激子复合发射紫外光,其激子结合能高达60 meV,远大于GaN的激子束缚能(21 meV)和室温热...
冯秋菊孙景昌王珏冯宇蒋俊岩陶鹏程许瑞卓刘爽李梦轲宋哲
衬底位置对化学气相沉积法制备的磷掺杂p型ZnO纳米材料形貌和特性的影响被引量:1
2014年
采用化学气相沉积方法,在无催化剂的条件下,通过改变衬底位置在Si(100)衬底上制备出了高取向的磷掺杂ZnO纳米线和纳米钉.测试结果表明,当衬底位于反应源上方1.5 cm处时,所制备的样品为钉状结构,而当衬底位于反应源下方1 cm处时样品为线状结构.对不同形貌磷掺杂ZnO纳米结构的生长机理进行了研究.此外,在ZnO纳米结构的低温光致发光谱中观测到了一系列与磷掺杂相关的受主发光峰.还对磷掺杂ZnO纳米结构/n-Si异质结I-V曲线进行了测试,结果表明,该器件具有良好的整流特性,纳米线和纳米钉异质结器件的开启电压分别为4.8和3.2 V.
冯秋菊许瑞卓郭慧颖徐坤李荣陶鹏程梁红伟刘佳媛梅艺赢
关键词:化学气相沉积
一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法
一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法,属于半导体晶体管器件制作领域。技术要点包括:在半导体衬底上依次生长缓冲层、i‑GaN漂移层、势垒层和栅极钝化层,所述i‑GaN漂移层上设置有源电极和漏电极,所述栅极钝...
黄火林李飞雨陶鹏程孙仲豪曹亚庆
文献传递
一种可调谐中红外光纤SPR生物传感器
本发明属于光纤传感技术领域,一种可调谐中红外光纤SPR生物传感器,主要由红外光源、传输光纤、传感元件、探测器、光纤固定及微位移平台、以及计算机组成。本发明的可调谐中红外光纤SPR生物传感器对于不同的生物分子,可以通过光纤...
周新磊陶鹏程张小莉杨浩蒋高诚陈海鑫彭伟于清旭
文献传递
一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法
一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法,属于半导体器件领域。技术要点是在半导体衬底上外延生长特殊结构GaN基材料,所述本征GaN层中埋入局部电流阻挡层,保留纵向导通电流沟道窗口,在栅电极一侧,所述AlG...
黄火林孙仲豪李飞雨曹亚庆陶鹏程
文献传递
磷掺杂ZnO纳米梳的制备和特性研究
ZnO作为一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能(60 meV)比室温下的离化能(26 meV)大得多,室温或更高温度下仍可实现有效的紫外光发射,因此,在紫外探测器、紫外激光器等紫外...
王珏孙景昌冯秋菊冯宇蒋俊岩陶鹏程许瑞卓刘爽李梦轲宋哲
高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征被引量:3
2011年
在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。
冯秋菊冯宇梁红伟王珏陶鹏程蒋俊岩赵涧泽李梦轲宋哲孙景昌
关键词:ZNO纳米线阵列化学气相沉积光致发光
一种双谐振腔结构的光纤激光实验教学装置
本实用新型属于光纤激光类教学仪器技术领域,提供了一种双谐振腔结构的光纤激光实验教学装置。本实验教学装置将环形谐振腔光纤激光器和线性谐振腔光纤激光器集成于同一实验装置,通过光纤耦合器和三个光路控制开关切换两种谐振腔结构,利...
陶鹏程周新磊李宇于清旭
SiC衬底上制备紫外波段高反射AlGaN/GaN分布布拉格反射镜
GaN基分布布拉格反射镜(DBRs)是垂直腔表面发射激光器(VCSELs)和共振腔增强型发光二极管(RCLEDs)的重要组成部分,为此,制备高反射率GaN基DBRs引起了人们的广泛关注[1,2].其中,用于紫外波段的Al...
陶鹏程梁红伟王东盛夏晓川柳阳申人升骆英民杜国同
共2页<12>
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