边芳
- 作品数：14 被引量：12H指数：2
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电气工程环境科学与工程政治法律更多>>
- 乡村振兴战略背景下河北省Y乡农村环境污染治理研究
- 随着经济的快速发展，农民的经济收入水平不断提升，在解决了温饱的前提下，农村环境问题成为制约农民幸福感提升、制约农村经济社会发展的重要问题。农村环境污染具有随机性、分散性、隐蔽性的特点，农村环境污染治理是一项长期、艰巨、反...
- 边芳
- 关键词：农村环境污染
- 文献传递
- 铁电/铁磁复合材料的制备及研究进展被引量：5
- 2007年
- 铁电/铁磁复合材料是一种新型的功能材料,不仅集合了铁电性和铁磁性的优点,而且具有磁电耦合效应,因此具有十分广泛的应用前景.本文系统介绍并评述了铁电/铁磁复合材料的磁电效应、制备方法以及研究的现状,探讨了铁电/铁磁复合材料研究中亟待解决的问题及发展趋势.
- 闫小兵刘保亭边芳闫正赵庆勋
- 关键词：磁电效应
- 氢对PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3在氮氢混合气氛退火中铁电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理,针对PbZr0.5Ti0.5O3无氢和含氢的顺电相和铁电相的二层超晶胞,分别计算了Ti沿c轴位移时体系总能量的变化、电子云密度分布和Ti—O、Zr—O和H—O的重叠布居数.结果表明,含氢铁电相的Ti—O键和Zr—O键相对无氢铁电相明显减弱,氢氧之间较强的轨道杂化使它们趋于形成共价键;晶格中氢氧键的钉扎效应使含氢情况下的顺电相能量始终低于铁电相能量,说明氢的引入阻碍了PbZr0.5Ti0.5O3从立方顺电相到四方铁电相的相变,并推断其为含氢气氛退火过程中PbZr0.5Ti0.5O3铁电性能下降的主要原因之一.所得结果对于深入理解铁电材料在氮氢混合气氛退火后铁电性能下降的微观机制具有参考价值.
- 赵庆勋耿波王书彪边芳关丽刘保亭
- 关键词：第一性原理
- 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法
- 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti-Al二元合金薄膜，然后在Ti-Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用T...
- 刘保亭马良邢金柱霍骥川边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 文献传递
- 一种Cu与铁性氧化物功能薄膜集成的方法
- 本发明公开了一种Cu与金属氧化物铁性薄膜的集成方法，它是以半导体材料为衬底，构成Ni-Al/半导体衬底异质结构层；再依次构架Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构层；Ni-Al/Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构、金属氧...
- 刘保亭陈剑辉边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 铅基铁电薄膜与半导体硅的集成研究及应用
- 刘保亭边芳赵庆勋郭建新李晓红周阳邓泽超闫正王英龙郭庆林
- 本项目以铁电器件与半导体硅的集成作为研究对象，采用磁控溅射法在硅基片上制备金属间化合物薄膜，采用现代分析手段研究了薄膜的微结构、形貌、组分、输运性质和抗氧化能力，进而以金属间化合物薄膜为阻挡层，构架了硅基铁电薄膜电容器，...
- 关键词：
- 关键词：半导体硅
- 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法
- 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ni－Al二元合金薄膜，然后在Ni－Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用...
- 刘保亭马良霍骥川邢金柱边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 文献传递
- 一种Cu与铁性氧化物功能薄膜集成的方法
- 本发明公开了一种Cu与金属氧化物铁性薄膜的集成方法，它是以半导体材料为衬底,构成Ni-Al/半导体衬底异质结构层；再依次构架Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构层；Ni-Al/Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构、金属氧...
- 刘保亭陈剑辉边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 文献传递
- 玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的制备和铁电性能
- 2010年
- 采用磁控溅射法制备La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响。研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能。玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10–6C/cm2,矫顽电压(Vc)为0.96V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10–6C/cm2,Vc为1.05V。
- 赵敬伟刘保亭郭颖楠边芳陈剑辉
- 关键词：磁控溅射法SOL-GEL法铁电性能
- 含Ti-Al阻挡层的硅基Nb掺杂Pb(Zr,Ti)O_3铁电电容器的研究被引量：1
- 2007年
- 应用非晶的Ti-Al薄膜作为导电阻挡层,通过溶胶-凝胶法和磁控溅射法成功地在Si基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Nb0.02Zr0.39Ti0.59)O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PNZT/LSCO)电容器异质结,研究了该异质结的铁电性能。当外加电压为5V时,LSCO/PNZT/LSCO铁电电容器的剩余极化强度为-18.0μC/m2,矫顽电压为-0.7 V,该电容器具有较好的保持持性和抗疲劳特性。
- 刘保亭马良边芳闫小兵张新赵庆勋闫正
- 关键词：阻挡层铁电存储器TI-AL
