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贺利军

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇应变计
  • 2篇TAN
  • 2篇TCR
  • 2篇GF
  • 1篇微结构

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇贺利军
  • 3篇蒋书文
  • 3篇周勇
  • 3篇宋阳
  • 3篇李超

传媒

  • 1篇材料保护
  • 1篇第八届中国功...

年份

  • 3篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
溅射温度对于TaN薄膜应变敏感性能的影响研究
采用中频磁控溅射方法,在制备有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对于TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数(TCR)和应变敏感系数(GF)的影响。结果表明,溅射温度对于Ta...
李超周勇宋阳贺利军蒋书文
关键词:TANTCRGF应变计
文献传递
溅射温度对TaN薄膜应变敏感性能的影响被引量:2
2013年
采用中频磁控溅射方法,在有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数(TCR)和应变敏感系数(GF)的影响。结果表明:溅射温度对TaN薄膜的微结构有显著影响;不同的溅射温度下,TaN会析出不同的晶相,不同晶相的TaN薄膜的电学性能和薄膜应变计的电阻温度系数都不相同;在400℃溅射温度下,N2分压为4%,溅射功率为200 W的条件下,制备的TaN薄膜应变计的TCR为50×10-6℃,GF为9,该薄膜应变计性能稳定,重复性好。
李超周勇宋阳贺利军蒋书文
关键词:TANTCRGF应变计
溅射温度对TaN薄膜应变敏感性能的影响
采用中频磁控溅射方法,在有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数(TCR)和应变敏感系数(GF)的影响。结果表明:溅射温度对TaN薄膜的...
李超周勇宋阳贺利军蒋书文
关键词:微结构
文献传递
共1页<1>
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