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薛长江

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学物理电子学院更多>>
相关领域：电子电信理学自然科学总论更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 2篇载流子
  • 2篇光导
  • 2篇光导开关
  • 1篇载流
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇输出波形
  • 1篇激光
  • 1篇功率
  • 1篇光电
  • 1篇光电流
  • 1篇光激发
  • 1篇光生
  • 1篇光生载流子
  • 1篇高斯
  • 1篇本征
  • 1篇GAAS
  • 1篇高功率

机构

  • 3篇电子科技大学
  • 2篇成都大学

作者

  • 3篇薛长江
  • 3篇杨宏春
  • 3篇吴明和
  • 2篇王玉明
  • 2篇刘鸿
  • 2篇阮成礼

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇成都大学学报...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaAs半导体对1.06m激光的吸收响应被引量：3
2005年
入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为103V/cm.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好.
吴明和阮成礼杨宏春刘鸿王玉明薛长江
关键词：激光光生载流子光激发
兆瓦高功率光导开关(PCSS)实验研究
文章在国内首次报道了单脉冲功率达0.76MW的GaAs光导开关.介绍了试验装置,给出了实验输出波形.重点分析介绍了处于线性和非线性临界状况时GaAs PCSS的一些新现象;在阈值电压附近给器件施加不同的偏置电压和触发光能...
薛长江阮成礼杨宏春吴明和
关键词：光导开关输出波形
文献传递
GaAs非本征吸收
2005年
对光脉冲入射波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为103V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释,讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs非本征吸收载流子浓度随时间的变化,并将高斯光强时的模拟结果同光导开关实验相比较。
吴明和刘鸿杨宏春王玉明薛长江
关键词：光导开关本征光电流载流子浓度高斯
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