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铱配合物为核、聚对苯为枝的超支化电磷光聚合物的合成与发光性能: 2010年; 用Suzuki缩聚反应合成了三-(2-间溴苯基吡啶)合铱为核,聚2,5-二辛氧基苯为枝的超支化电磷光绿光聚合物(PPPIrppy)。当聚合物中铱配合物摩尔分数大于0.5%时,主体的发射被完全淬灭,电致发光(EL)光谱仅在520nm处有绿光发射,表明主客体之间发生了有效的能量转移。基于铱配合物摩尔分数为1%的聚合物发光器件(器件结构:ITO/PEDOT:PSS/emissive layer/Ba/Al,PEDOT:聚(3,4-亚乙基二氧噻吩),PSS:聚苯乙酸磺酸钠)在电流密度为40×10-3A/cm2时,最大电流效率达到2.89cd/A,器件的最大亮度达到1689cd/m2,色坐标为(0.34,0.59)。; 袁攀胡苏军应磊杨伟; 关键词：铱配合物

聚合物电致发光二极管热特性研究被引量：1: 2010年; 采用ANSYS有限元分析软件中热分析结构单元,对聚合物电致发光二极管(PLED)在光强为1000cd/m2时的热特性进行模拟,获得其温度场、热流分布及温度梯度的分布图,从仿真结果知PLED器件的最高温度为45.968℃,处于PFO-BT发光层,最低温度为45.95℃,处于石英玻璃基底末端.计算得出聚合物发光器件总热阻为1305℃/W,聚合物发光层至石英玻璃基底末端热阻为1℃/W.通过改变PLED器件输入功率、基底材料以及基底厚度3个参数,分别模拟得出其对PLED器件热特性的影响,仿真结果表明器件最高温度TH与输入功率P显现良好的线性关系;不同基底材料对器件温度影响小,负极端为器件主要散热通径;当基底厚度不断增加时,PLED器件最高温度随着增加,而最低温度不断减少,器件总热阻基本不变,发光层至石英基底末端热阻线性增大.; 张剑平文尚胜邹建华胡苏军李艳虎吴宏滨; 关键词：功率

苯基取代聚苯撑乙烯的合成及其电致发光性能(英文)被引量：1: 2011年; 聚苯撑乙烯(PPV)类聚合物是优异的发光材料,有望作为全色显示中三基色的材料之一得到应用.我们采用2-溴-1,4-亚二甲苯二乙酯为原料,合成了商品名为Supper Yellow PPV(SYPPV)的苯基取代PPV.中间体、单体和聚合物的结构都通过核磁共振、元素分析进行了表征.SY PPV的吸收峰在434nm,吸收边在510nm,带隙2.44eV.光致发光峰值和电致发光峰值分别在516和552nm.SY PPV的器件性能为:启动电压为2.4V,最大亮度大于49000cd·m-2,最大流明效率为21cd·A-1,显著优于采用老方法合成SY PPV的最大流明效率(16-18cd·A-1).; 莫越奇常学义胡苏军韩绍虎吴宏滨彭俊彪; 关键词：聚苯撑乙烯聚合物发光二极管电致发光

高性能荧光/磷光混合式白光聚合物电致发光二极管的研究: 白光聚合物电致发光二极管(PLED)由于其在全彩显示和照明领域巨大的潜在应用价值，特别是其可以采用工艺简单、成本低廉的溶液加工成膜技术，聚合物发光材料的分子结构与发光颜色便于调节等优势，吸引了学术界和工业界广泛的研究兴趣...; 胡苏军

含1,1-二(4-(N,N-二甲基胺基)苯基)-2,3,4,5-四苯基噻咯的聚合物在三种阴极结构中的电致发光性能: 2013年; 设计合成了一种1,1-位为二(4-(N,N-二甲基胺基)苯基的新型噻咯单体,并与2,7-芴单体聚合得到六苯基噻咯单体投料量为1%、10%、20%的三种共聚物PF-N-HPS1～20.研究了这些共聚物的紫外吸收光谱、电化学性质、光致发光光谱和电致发光性能.PF-N-HPS的HOMO能级为5.25～5.58eV,呈现绿光发射.以PF-N-HPS为发光层,制作了三种聚合物发光二极管(器件结构A:ITO/PEDOT/PF-N-HPS/Al;器件结构B:ITO/PEDOT/PF-N-HPS/Ba/Al;器件结构C:ITO/PEDOT/PF-N-HPS/TPBI/Ba/Al).其中器件结构A的电致发光效率仅为0.1～0.33cd/A,说明PF-N-HPS中的4-(N,N-二甲基胺基)苯基结构不能使单独的Al阴极实现良好的电子注入.采用了低功函金属Ba阴极的器件结构B能改善电子的注入,使电致发光效率提高到0.85～1.44cd/A.器件结构C采用TPBI(HOMO:6.2eV)作为电子传输和空穴阻挡层,促进了电子和空穴的有效复合,进一步提高了电致发光效率(4.56～7.96cd/A),其中TPBI层将噻咯聚合物与金属阴极隔离可能减少发光层在阴极界面处的激子猝灭也起到了一定的作用,器件结构C较器件结构B还获得了更好的绿光光谱.; 刘治田胡苏军张林骅陈军武彭俊彪曹镛; 关键词：聚芴电致发光

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胡苏军