胡丽君
- 作品数：10 被引量：18H指数：2
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒被引量：2
- 2005年
- 利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。
- 胡丽君庄惠照高海永何建廷薛守斌薛成山
- 关键词：射频磁控溅射氨化
- Si基磁控溅射Ga2O3/Al膜制备GaN一维纳米结构的研究
- 由于纳米半导体表现出的超出常规的性质,因此各种半导体材料的纳米结构成了人们研究的热点。纳米线、纳米带和纳米棒作为新颖的一维量子材料越来越多引起了人们的研究兴趣。2001年《科学》杂志宣布基于半导体纳米线的纳米电路是人类科...
- 胡丽君
- 关键词：GAN射频磁控溅射氨化纳米线
- 文献传递
- 氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响被引量：2
- 2008年
- 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HR-TEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响。结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒。
- 庄惠照胡丽君薛成山薛守斌
- 关键词：GAN纳米棒氨化磁控溅射
- 硅基正六边形氮化镓纳米颗粒薄膜的制备，结构和形貌特性
- 2008年
- 本文通过在ZnO/Si(111)衬底上,利用JCK-500A型射频磁控溅射系统溅射氧化镓靶得到氧化镓薄膜。然后将硅基Ga2O3置于管式石英炉中,在850℃的氨化温度下氨化15min后,成功制备出GaN薄膜,该薄膜由正六边形的晶粒组成。X射线衍射(XRD)表明GaN具有六方纤锌矿结构,晶格常数为a=0.318nm和c=0.518nm。X射线光电子能谱(XPS)的测试确定了样品中Ga-N键的形成,并且Ga和N的化学计量比为1:1。用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察发现,样品表面非常光滑和平整。透射电镜(TEM)表明薄膜由正六边形晶粒组成。选区电子衍射(SAED)进一步验证了GaN薄膜的六方纤锌矿结构。最后,简单地讨论了其生长机制。
- 庄惠照薛守斌薛成山张晓凯滕树云胡丽君
- 关键词：氨化法氮化镓薄膜
- Si基磁控溅射Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Al膜制备GaN一维纳米结构的研究
- 由于纳米半导体表现出的超出常规的性质,因此各种半导体材料的纳米结构成了人们研究的热点。纳米线、纳米带和纳米棒作为新颖的一维量子材料越来越多引起了人们的研究兴趣。2001年《科学》杂志宣布基于半导体纳米线的纳米电路是人类科...
- 胡丽君
- 关键词：GAN射频磁控溅射
- 衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响被引量：10
- 2006年
- 在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响。发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移。
- 庄惠照何建廷薛成山张晓凯田德恒胡丽君薛守斌
- 关键词：PLDZNO
- Si基磁控溅射Ga<,2>O<,3>/Al膜制备GaN—维纳米结构的研究
- 由于纳米半导体表现出的超出常规的性质,因此各种半导体材料的纳米结构成了人们研究的热点.纳米线、纳米带和纳米棒作为新颖的-维量子材料越来越多引起了人们的研究兴趣.2001年《科学》杂志宣布基于半导体纳米线的纳米电路是人类科...
- 胡丽君
- 关键词：GAN射频磁控溅射纳米半导体宽禁带半导体
- 文献传递
- 脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性(英文)被引量：1
- 2006年
- 用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构。利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜。
- 何建廷庄惠照薛成山田德恒吴玉新刘亦安胡丽君薛守斌
- 关键词：PLDZNO
- 氨化时间和膜厚对Si(Ⅲ)上AIN薄膜生长取向的影响
- 2007年
- 采用磁控溅射技术在Si(Ⅲ)衬底上沉积了Al膜,在高温炉中使之与氨气反应制备AlN薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌.结果表明不同氨气作用时间会使薄膜表现出不同的择优生长取向,同时不同厚度的Al薄膜也会在氨气作用后生成不同择优生长取向的AlN薄膜.
- 胡丽君庄惠照薛成山薛守斌张士英李保理
- 关键词：磁控溅射AIN
- 脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展被引量：3
- 2006年
- 基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点。综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400 nm时,呈现出了近似块状的性质。采用PLD技术,可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜。
- 何建廷庄惠照薛成山田德恒吴玉新赵婧刘亦安薛守斌胡丽君
- 关键词：脉冲激光沉积氧化锌薄膜衬底温度氧分压
