罗福
- 作品数：23 被引量：109H指数：6
- 供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- Q开关Nd:YAG脉冲激光对红外滤光片的损伤效应被引量：6
- 2002年
- 介绍了由滤光片膜层结构决定的激光在光学薄膜中形成温度场及驻波场特性。用 1.0 6 μm调Q Nd :YAG激光器 ,在激光脉冲宽度 10ns和光斑直径 0 .6 1μm的条件下 ,进行了激光辐照红外滤光片的损伤特性实验研究。根据脉冲激光辐照红外滤光片后样品损伤分析 ,发现滤光片的最初损伤发生在里面的膜层中 ,从而在实验上验证了计算得到的滤光片膜层中存在其温度场及驻波场的结果。
- 袁永华刘颂豪孙承纬罗福范正修廖常俊胡海洋
- 关键词：激光辐照效应光学薄膜温度场驻波场激光损伤
- 脉冲激光作用下铝靶的层裂被引量：2
- 1993年
- 本文报导波长为1.06μm脉宽(FWHM)约4ns的强脉冲激光辐照下,侣靶发生层裂的实验结果。当入射功率密度在2.0×10^(11)～5×10^(11)W/cm^2范围的激光束作用下,厚度为0.1mm、0.2mm的靶在超临界条件下发生层裂,层裂厚度分别在17±6μm及38±5μm范围。文中使用一种简化模型对阈值条件下不同厚度的靶发生层裂时的层裂片厚度作了近似估算,并与已有实验结果较好地符合。
- 庄仕明王春彦罗福孙承纬
- 关键词：应力波层裂激光辐照铝
- 脉冲激光对绝缘体上硅材料的损伤机理研究被引量：3
- 2010年
- 绝缘体上硅(SOI)材料的激光损伤特性研究对基于该材料的光学器件在激光环境中的应用具有重要价值。本文使用1064 nm脉冲激光对SOI材料进行了辐照实验,在脉冲宽度分别为190 ps和280μs的条件下,测得的损伤阈值能量密度分别为2.5 J/cm2和19.8 J/cm2,SOI材料表面的激光损伤模式也存在明显差别。根据实验结果,利用ANSYS软件的热分析模块,采用有限元方法数值模拟了激光辐照结束后SOI材料内部的温度场分布,并结合损伤形貌的观测对SOI材料的激光损伤机制进行了讨论。
- 付博张翠娟罗飞张大勇申永明刘国栋袁永华罗福
- 关键词：光学材料SOI材料激光损伤阈值脉冲激光
- 光斑尺寸对K9玻璃近红外激光损伤阈值的影响被引量：18
- 2002年
- 基于热弹性模型 ,用有限元法对不同光斑近红外激光辐照下K9玻璃样品中的温度和压力分布进行了计算。对厚 2mm、半径 10mm的圆片样品的计算结果表明 ,K9玻璃的损伤受表面环向拉伸应力的控制 ,光斑大小对损伤阈值有较大的影响 ,对光束总入射功率为 2 8kW的激光辐照 ,当光斑半径从 0 .4mm增加到 3mm时 ,损伤所需时间从 14ms增加到 1s。在一定光斑尺寸范围内 ,样品损伤 (表面拉伸断裂 )所需的激光功率密度在同一量级内变化 ,在更小光斑时 ,损伤时的最高温升趋于 5 6 5K。
- 罗福杜祥琬孙承纬
- 关键词：热应力阈值光斑尺寸有限元法光学系统
- 1064nm窄带干涉滤光片激光破坏研究被引量：8
- 2001年
- 干涉滤光片由于内部谐振场共振吸收特性 ,其激光破坏过程有别于全反膜而具有特殊的性质。本文从谐振场及温度场理论出发 ,计算得出了ZnS MgF2 为主材料的滤光片的谐振场及温度场分布规律。在此规律指导下 ,对相同膜系结构的一系列滤光片的激光破坏阈值、吸收及破坏形貌进行了测量与分析 ,结合实验结果对干涉滤光片独具特色的破坏发展过程作出了描述 。
- 胡海洋范正修罗福
- 关键词：干涉滤光片激光损伤阈值
- 单晶硅表面载流子动力学的超快抽运探测被引量：8
- 2008年
- 利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面50 ps内的瞬态反射率变化,研究了表面载流子的超快动力学过程。基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化,说明受激自由载流子超快响应的贡献主导了反射率的变化过程,经拟合获得了样品的表面复合速度(SRV)为1.2×106cm/s。建立了耦合的载流子输运模型,探讨了单晶硅表面热载流子的密度、温度随时间的演化过程。研究表明,表面复合过程是影响本征单晶硅表面载流子动力学的重要因素。
- 刘国栋王贵兵付博江继军王伟平罗福
- 关键词：超快光学飞秒激光
- 光电元件飞秒激光损伤的实验研究
- 对不同能量密度飞秒激光辐照下光电元件的信号饱和时间进行了实验测量,并对光电元件的损伤进行了观测.实验表明,飞秒激光对硅器件的失效阈值在10TW/cm<'2>量级,红外InGaAs的失效阈值约10GW/cm<'2>,商用C...
- 罗福辛建婷唐小松
- 关键词：飞秒激光光电器件光电探测器
- 文献传递
- CCD在fs激光辐照下的损伤研究被引量：17
- 2005年
- 用脉宽为60fs、波长为800nm的fs激光辐照电荷耦合器件,研究了电荷耦合器件在fs激光作用下的失效问题。实验得到fs激光作用下电荷耦合器件的失效阈值为4. 22×10-3 J/cm2。这比ns激光作用下电荷耦合器件的损伤阈值低2~3个量级。对该器件进行显微观测,在光敏元上没有发现损伤,但在器件的栅极上发现了明显的激光引起的损伤痕迹。
- 江继军罗福陈建国
- 连续激光作用下滤光片熔坑形成机理研究被引量：4
- 2009年
- 在532nm波长连续激光辐照ZnS/SiO_2/K9 630～690nm多层膜滤光片的损伤实验的电镜扫描分析下观察到了"熔坑"的现象,根据这个现象建立了含有Pt杂质的532nm波长连续激光辐照ZnS/SiO_2/K9 630～690nm多层膜滤光片的热损伤模型。结合温度场的计算,研究了532nm连续激光辐照630～690nm多层薄膜滤光片时杂质周围产生的温升效应,通过对计算结果与实验结果的比较,分析了杂质对滤光片薄膜激光损伤的影响。分析了连续激光作用下杂质对滤光片的破坏机制,解释了滤光片熔坑产生的原因。
- 张翠娟付博张大勇罗福罗飞袁红
- 关键词：激光滤光片温度场
- 飞秒激光辐照下单晶硅薄膜中超快能量输运的数值模拟被引量：2
- 2009年
- 利用载流子输运模型对飞秒激光辐照下单晶硅亚微米薄膜中的能量输运过程进行数值模拟。研究了不同辐照能量密度和不同激光波长对载流子密度和温度超快变化过程的影响规律。结果表明,在800nm激光辐照下,不同入射能量密度仅影响载流子密度和温度响应的峰值,但达到峰值的时刻不变。平衡态的恢复过程受入射能量密度影响很小。在不同波长激光辐照下,光子能量越大,载流子密度和温度达到峰值所用时间越短,对应峰值越大,但衰减速度也越快。当入射光子能量大于单晶硅的直接带隙时,快速衰减时间常数可以与载流子能量弛豫时间相当。
- 刘国栋罗福王贵兵李剑峰付博
- 关键词：飞秒激光数值模拟
