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石艳玲

作品数：138 被引量：135H指数：6
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 71篇专利
  • 61篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 69篇电子电信
  • 6篇电气工程
  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇机械工程
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 25篇晶体管
  • 20篇电路
  • 15篇场效应
  • 12篇螺旋电感
  • 12篇版图
  • 12篇场效应晶体管
  • 11篇集成电路
  • 10篇沟道
  • 10篇硅基
  • 9篇阈值电压
  • 8篇平面螺旋电感
  • 8篇纳米
  • 8篇可重构
  • 8篇共平面波导
  • 7篇移相器
  • 7篇品质因子
  • 7篇无源
  • 7篇MOS晶体管
  • 5篇电感
  • 5篇电学

机构

  • 138篇华东师范大学
  • 35篇上海集成电路...
  • 3篇上海华虹(集...
  • 2篇常德师范学院
  • 2篇上海华力微电...
  • 2篇上海华虹宏力...
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇西南林业大学

作者

  • 138篇石艳玲
  • 46篇李小进
  • 34篇孙亚宾
  • 28篇赖宗声
  • 18篇朱自强
  • 14篇忻佩胜
  • 14篇田应洪
  • 12篇李曦
  • 9篇卿健
  • 9篇胡少坚
  • 9篇刘赟
  • 6篇任铮
  • 6篇李曦
  • 6篇丁艳芳
  • 6篇李炜
  • 5篇郑芳林
  • 5篇陈寿面
  • 4篇游淑珍
  • 4篇孙立杰
  • 4篇赵宇航

传媒

  • 20篇微电子学
  • 12篇电子器件
  • 8篇Journa...
  • 6篇半导体技术
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇电子学报
  • 3篇第八届敏感元...
  • 1篇华东师范大学...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇计算机工程
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇高等理科教育
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第二届全国敏...
  • 1篇第六届全国敏...

年份

  • 9篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2020
  • 15篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 8篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 7篇2006
  • 2篇2005
共 138 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超高压BCD工艺中多晶硅电阻的可靠性分析及实现被引量：1
2015年
多晶硅电阻由于其独特的温度特性及电迁移效应,阻值受温度和电流的影响很大,针对应用于超高压BCD工艺中的多晶硅电阻,其可靠性需进行特别分析和设计。通过对0.18μm 700 V BCD工艺中不同掺杂浓度多晶硅电阻的测试与分析,结合多晶硅结构、导电机制、焦耳热效应及电迁移理论,分析了焦耳热和电迁移对多晶硅电阻的影响,并实现了高压BCD工艺中高可靠性的多晶硅电阻。
包飞军曹刚葛艳辉石艳玲陈滔
关键词：多晶硅电阻可靠性电迁移
具有渐变金属导体线宽及间距的片上螺旋电感的设计方法
本发明提供一种具有渐变金属导体线宽及间距的片上螺旋电感的设计方法，涉及集成电路制造技术。现有的片上螺旋电感设计方法没有考虑两金属导体间距变化对电感性能的影响，难以提供低R<Sub>s</Sub>值、高Q值的螺旋电感。本发...
王勇石艳玲陈寿面赵宇航
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一种多维度摄像头云台
本发明公开了一种多维度摄像头云台，包括三层云台底座、与设置于所述云台底座相配合的驱动电机、以及与所述驱动电机相配合的升降和旋转结构。采用三层底座结构，最低层底座上设有第一步进电机和升降组件控制垂直升降，中间层底座上设有第...
刘杭许珍珍冯建琳田应洪石艳玲
文献传递
基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法
本发明公开了一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法，测试MOS晶体管的失效时间数据，经统计分析获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值，绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线，以其为拟合标准，...
石艳玲李曦周卉任铮胡少坚陈寿面
文献传递
一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管
本发明公开了一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管，包括鳍型沟道，设于鳍型沟道两端具有三层结构的源端和漏端，设于鳍型沟道左右两侧对称分布的边墙，与边墙接触、三面包裹鳍型沟道且对称分布于鳍型沟道左右两侧的栅极氧化物，三面包裹栅极...
孙亚宾张芮石艳玲刘赟李小进
文献传递
微波MEMS移相器的特性分析与实现被引量：4
2003年
从移相器的基本原理出发,分别介绍了开关线型、耦合器型和加载线型三种采用微机械加工技术制备而成的微波MEMS移相器的结构特点和工作原理。在此基础上,设计制备了CPW分布式加载线型MEMS移相器,并进行测试和分析,结果表明MEMS移相器较传统的移相器有微型化、低损耗、低成本、宽带等突出优点。
李炜石艳玲朱自强赖宗声
关键词：MEMS移相器微电子机械系统微波集成电路耦合器
固体物理学中晶格结构的3DS模型创建与应用被引量：1
2000年
本文介绍运用３Ｄ Ｓｔｕｄｉｏ Ｍａｘ制作动画，用于描绘立方晶系布喇菲原胞的结构及其对称性，详细叙述了制作框架、过程以及一些捷径。
石艳玲
关键词：固体物理学教学晶格结构
基于神经网络的逻辑门NBTI退化建模与计算
2019年
提出了基于神经网络的逻辑门退化延迟模型。根据逻辑门延迟数据特征,采用神经网络BP算法,对仿真样本数据进行训练,获得7种基本逻辑门延迟退化计算方法以及网络模型参数。基于45nm CMOS工艺进行验证,模型计算值与Spice仿真数据的误差不超过5%。在此基础上,提出NBTI效应下的电路路径延迟退化计算流程,并编写计算程序,对基本逻辑门构成的任意组合逻辑电路(ISCAS85)进行NBTI退化分析,获得路径时序的NBTI退化量。采用该模型,可在电路设计阶段预测电路时序,为高性能、高可靠性数字集成电路的设计提供重要依据。
卿健张珀菁郭海霞李小进孙亚宾石艳玲
关键词：NBTI效应逻辑电路神经网络
应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力的建模方法
本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型，在标准BSIM4模型的基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，所述版图参量的值为设计的版图尺寸，包括相邻PC的间距、dummyPC个数、STI与PC间距...
石艳玲李曦汪明娟任铮胡少坚陈寿面彭兴伟唐逸
文献传递
一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管
本发明公开了一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管，包括水平排列的鳍式沟道、水平或垂直排列的纳米片沟道或水平或垂直排列的纳米线沟道，包裹沟道的栅极氧化物，在栅极氧化物外侧的关于器件中线对称的控制栅极和极性栅极，在控制栅极与极...
孙亚宾汪超石艳玲李小进
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