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玛丽娅: 作品数：24 被引量：78H指数：5; 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

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电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析: 蒙特卡罗方法模拟计算了质子入射科学级电荷耦合器件(Charge-coupled Device,简称CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂...; 曾骏哲何承发李豫东郭旗文林汪波玛丽娅王海娇; 关键词：电荷耦合器件电荷转移质子辐照

质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究被引量：6: 2015年; 对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS(multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量,在与γ辐射试验数据对比的基础上,结合器件结构和工艺参数,建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明,对该国产器件而言,电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当.; 汪波李豫东郭旗刘昌举文林任迪远曾骏哲玛丽娅

CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究被引量：3: 2017年; 对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火时间的延长而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷导致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增大导致产生-复合中心的增加所引起。; 玛丽娅李豫东郭旗刘昌举文林汪波; 关键词：电子辐照

InGaAs/InP量子阱与体材料1MeV电子辐照光致发光谱研究: nGaAs/InP材料进行了1MeV电子束辐照,注量为5×1012cm-2～9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,对样品进行了PL谱(光致发光谱)测试,得到了不同结构InGaA...; 玛丽娅李豫东郭旗艾尔肯王海娇文林汪波曾骏哲; 关键词：电子束辐照光致发光谱

质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析被引量：1: 2015年; 对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律.研究结果显示,质子与中子辐照均会引发暗信号退化,其退化的规律与位移损伤剂量变化一致;退火后,质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复,其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%;中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号.质子和中子在N+埋层产生相同位移损伤剂量的情况下,两者导致的体暗信号增长量相同,质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的.; 曾骏哲李豫东文林何承发郭旗汪波玛丽娅魏莹王海娇武大猷王帆周航; 关键词：电荷耦合器件质子辐照中子辐照

In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究被引量：3: 2015年; 为获得对In0.53Ga0.47As/In P材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律,开展了1 Me V电子束辐照试验,注量为5×1012—9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,进行了光致发光谱测试,得到了不同结构In0.53Ga0.47As/In P材料在1 Me V电子束辐照下的不同变化规律;对比分析了参数退化的物理机理.结果显示:试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化.体材料最先出现快速退化,而五层量子阱在注量达到6×1014cm-2时,就已经退化至辐照前的9%.经分析认为原因有:1)电子束进入样品后,与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,致使产生的激子数量减少,光致发光强度降低;电子束辐照在材料中引入缺陷,增加了非辐射复合中心密度,导致载流子迁移率降低.2)量子阱的二维限制作用使载流子运动受限,从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率;敏感区域截面积相同条件下,体材料比量子阱材料辐射损伤更为严重.3)量子阱的层数越多,则异质结界面数越多,相应的产生的界面缺陷数量也随之增多,辐射损伤越严重.; 玛丽娅李豫东郭旗艾尔肯王海娇汪波曾骏哲; 关键词：P 电子束辐照光致发光谱

电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应: 2015年; 为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。; 文林李豫东郭旗孙静任迪远崔江维汪波玛丽娅; 关键词：深亚微米 NMOSFET 电子辐照总剂量效应

深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应被引量：1: 2015年; 为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同。分析了辐照后由于总剂量效应导致的NMOSFET参数退化情况以及参数的常温和高温退火行为。实验结果表明,深亚微米工艺器件的辐射耐受性相比大尺寸器件明显增强,不同沟道宽长比的器件表现出的总剂量效应差异显示了器件具有明显的窄沟效应,界面陷阱电荷在新型器件的总剂量效应中起主导作用。研究结果为大面阵CCD的辐射效应研究和辐射加固设计提供了理论支持。; 文林李豫东郭旗孙静任迪远崔江维汪波玛丽娅; 关键词：深亚微米 NMOSFET 总剂量效应

CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统被引量：38: 2013年; 研制了中荷耦合器件（CCD）与互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器（CMOS APS）辐射效应测试系统,用于研究CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应并准确评估器件的空间辐射环境适应性.该系统采用光机电一体化结构设计,包括光电响应性能检测、光谱检测、控制及数据处理3个分系统,可对器件的光电响应性能、光谱特性进行全面的定量测试与分析.系统的光谱分辨率为1 nm,工作波段为0.38～1.1 μm.目前,该系统与新疆理化所现有的辐照装置结合,构成了光电成像器件辐射效应模拟试验与抗辐射性能评估平台,已为国产宇航CCD与CMOS APS图像传感器的研制、空间应用部门的成像器件选型工作提供了多次考核评估试验.应用情况表明,该系统可定量检测与评价CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应与抗辐射性能,为深入开展光电成像器件的辐射效应研究提供了完善的试验研究条件.; 李豫东汪波郭旗玛丽娅任建伟; 关键词：CCD CMOS APS

静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法被引量：2: 2014年; 以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结果表明:由于静态随机存储器存在多种总剂量失效模式,相对于在线测试只能覆盖存储单元固定错误的一种失效模式,离线测试可覆盖多种功能失效模式;由于信号完整性对测试频率的限制,使得在线测试得到的动态功耗电流值要明显小于离线测试得到的动态功耗电流值;由于"印记效应"的存在,在线测试静态功耗电流小于离线测试中器件存储与辐照相反数据时的静态功耗电流值;在线无法测量的一些电参数,有可能先于在线可测参数而失效,这些研究结果对于静态随机存储器在星用辐射环境下的总剂量辐射损伤规律的研究和实验评估具有重要意义。; 丛忠超余学峰崔江维郑齐文郭旗孙静汪波马武英玛丽娅周航; 关键词：静态随机存储器

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