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王苏宁: 作品数：14 被引量：6H指数：2; 供职机构：桂林理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划广西高校科学技术研究项目更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

多种尺寸和形貌Cu2 O的可控制备与表征被引量：1: 2014年; 以硫酸铜-乳酸体系为电解液,采用电化学法制备Cu2O,分别探讨了表面活性剂浓度、CuSO4浓度、溶液pH值、沉积电压、温度、添加剂等工艺参数对Cu2O形貌结构和尺寸的影响,并通过X射线衍射分析仪和扫描电镜等对Cu2O进行表征测试。试验结果表明:CTAB在一定范围内可以起到抑制晶体(200)面生长而促进(111)面择优生长的作用;随着CuSO4浓度的增大,Cu2O晶型由锥型向方型过渡;随着溶液pH值(8、10、12)的增大,Cu2O晶型由缺角立方晶型经过立方晶型向棱锥型转变;沉积电压的改变对Cu2O的择优生长晶面有影响,在2.0 V时晶体尺寸最大;随着溶液温度的提高,晶体尺寸呈先增后减的趋势,当温度为60℃时,晶体粒径最大;加入浓度为2.000 mol/L的NaCl添加剂,Cu2O呈现出二十四面体晶型结构。; 王丹宇钟福新莫德清王伟王苏宁黎燕陈兴强朱义年; 关键词：电化学法

一种纳米红硒光电材料的制备方法: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。（1）将0.076～0.152g硫脲和40mL 浓度为0.020～0.030mol/L的 H2SeO3溶液均匀混合，配制成电沉积液；...; 钟福新王伟王苏宁黎燕莫德清朱义年; 文献传递

一种CdSxSey光电材料的制备方法: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。（1）向5mL0.04~0.05mol/LNa2SeO3溶液中加入0.1079~0...; 钟福新王伟黎燕莫德清王丹宇王苏宁朱义年; 文献传递

一种CdSxSey光电材料的制备方法: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。（1）向5mL？0.04~0.05mol/L？Na2SeO<Sub...; 钟福新王伟黎燕莫德清王丹宇王苏宁朱义年; 文献传递

TNTs/Cd基VI族复合物、Cu2O的制备及其光电性能研究: 本文利用冷热化学浴法制备 TNTs/CdSe、TNTs/CdS，电化学共沉积法制备TNTs/CdSxSey、Ti/CdTexSey，电沉积法制备 Ti/Cu2O，并用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱定量分析...; 王苏宁; 关键词：氧化亚铜光电性能形貌结构; 文献传递

电沉积法制备TNTs/CdS_xSe_y异质结及其光电性能研究: 2015年; 以TiO2纳米管阵列（TNTs）为基底,采用电化学沉积法制备TNTs/Cd SxSey异质结,在单一变量的基础上结合正交实验,探讨了络合剂的选择、沉积时间、沉积温度、Na2S2O3浓度、柠檬酸浓度、沉积电压等条件对TNTs/Cd SxSey异质结光电压的影响。结果表明,当Na2S2O3浓度为0.009 mol·L^-1、柠檬酸的浓度为0.025 mol·L^-1时,在20℃、2.4 V沉积电压下电化学沉积5 min,获得的TNTs/Cd SxSey异质结光电压值达0.2672 V,优于同等条件下空白TNTs的0.0917 V。XRD结果显示,Cd SxSey的主要衍射峰位于2θ为26.276°、27.992°、51.285°、52.842°的位置,分别对应于标准卡片Cd S0.25Se0.75的[002]、[101]、[112]、[201]晶面,属于六方晶系,在2θ为37.600°、47.565°处出现Se的单质峰,在2θ为62.728°、72.033°处出现六方晶系单质Cd的（110）、（112）晶面。根据EDS的数据分析可知,Cd、S、Se的原子个数百分比分别为2.57%,0.63%,4.76%,对Cd进行归一化处理后,可确定所得样品的化学式为TNTs/Cd1.02S0.25Se1.89,其中含0.02的单质Cd和1.14的单质Se,扫描电子显微镜（SEM）显示所制样品为50~100 nm量子点。; 王苏宁徐炳文王伟黎燕莫德清钟福新; 关键词：异质结电化学沉积

一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10...; 钟福新王丹宇黎燕王伟莫德清王苏宁朱义年; 文献传递

纳米硒的制备及其光电性能被引量：2: 2016年; 以导电玻璃（ITO）为基底,采用电沉积法制备纳米硒。在单一变量的基础上结合正交试验和响应面试验,探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响。结果表明：在沉积电压1.7 V、沉积温度30℃、沉积时间7 min、硫脲用量为1 mmol时,纳米硒的光电压值最高,达0.868 4 V;由紫外-可见吸收光谱测得其禁带宽度Eg=1.84 e V;SEM分析发现,纳米硒呈棒状及莲花状结构,棒直径约为100 nm,长度为3-6μm;XRD表征结果显示,纳米硒主要为3种晶系的混晶系纳米晶体,在2θ为37.188°、45.246°、60.324°处分别出现斜方晶系纳米硒的（120）、（200）和（211）晶面,在2θ为30.141°、50.701°处分别出现六方晶系纳米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ为35.522°处出现单斜晶系纳米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面为择优生长取向。; 王伟黎燕王苏宁钟福新朱义年莫德清; 关键词：纳米硒电沉积

一种球状CdSe/Cu2O异质结材料制备方法: 本发明公开了一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法。（1）将1.2800g～1.7067gCdSO4、0.0115g～0.0128gH2SeO<S...; 钟福新王丹宇莫德清王伟黎燕王苏宁朱义年; 文献传递

一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10...; 钟福新王丹宇黎燕王伟莫德清王苏宁朱义年; 文献传递