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王博

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：南京理工大学动力工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 2篇温度分布
  • 2篇晶体管
  • 2篇HEMT
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇多尺度
  • 1篇迁移率
  • 1篇格子-BOL...
  • 1篇格子BOLT...
  • 1篇功率
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇产热
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇传热
  • 1篇传热特性
  • 1篇高功率

机构

  • 3篇南京理工大学

作者

  • 3篇宣益民
  • 3篇王博
  • 3篇李强

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇工程热物理学...
  • 1篇江苏省工程热...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
微/纳尺度高功率电子器件产热与传热特性被引量：3
2012年
传统的宏观传热理论难以准确表征几何结构尺度小于或接近声子平均自由程的高功率电子器件的产热与传热过程,此时器件中能量激发的时间尺度与声子的特征时间尺度相当,甚至小于声子的特征时间尺度,不能满足传统传热理论的假设.本文针对微/纳尺度场效应晶体管的工作过程,建立描述其内部产热及传热特性的多尺度格子-Boltzmann介观模型,通过在模型中引入源项去描述器件内部电子和声子的相互作用,分析计算不同工作状态下晶体管单元的温度分布特征,研究热管理方式对晶体管温度分布的影响,从微/纳尺度揭示了场效应晶体管的产热机理及传热特性,为热设计工作者提供一定的理论依据.
王博宣益民李强
HEMT掺杂浓度对温度分布的影响
2013年
当高电子迁移率晶体管HEMT(high electron mobility transistor)特征尺度与声子的平均自由程相当时,传统的宏观传热理论难以精确描述其内部传热的过程,本文基于微/纳尺度,建立了描述HEMT内部传热特征的格子Boltzmann模型,计算模拟其内部电子、声子碰撞、迁移过程,分析不同掺杂浓度对HEMT温度分布的影响.
王博李强宣益民
关键词：温度分布格子BOLTZMANN方法HEMT
HEMT掺杂浓度对温度分布的影响
当高电子迁移率晶体管HEMT(high electron mobility transistor)特征尺度与声子的平均自由程相当时,传统的宏观传热理论难以精确描述其内部传热的过程,本文基于微/纳尺度,建立了描述HEMT内...
王博李强宣益民
关键词：半导体器件高电子迁移率晶体管温度分布
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