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熊平

作品数:25 被引量:163H指数:5
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 7篇图像
  • 7篇红外
  • 6篇图像传感器
  • 6篇感器
  • 6篇PTSI
  • 6篇CCD
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇势垒
  • 5篇肖特基
  • 5篇CMOS图像
  • 5篇CMOS图像...
  • 4篇肖特基势垒
  • 3篇线列
  • 3篇红外CCD
  • 2篇电荷容量
  • 2篇电荷耦合
  • 2篇电荷耦合器
  • 2篇电荷耦合器件
  • 2篇电路

机构

  • 25篇重庆光电技术...
  • 7篇重庆邮电大学
  • 4篇电子科技大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇西安邮电学院

作者

  • 25篇熊平
  • 6篇刘昌举
  • 5篇祝晓笑
  • 5篇邓光华
  • 4篇吴治军
  • 3篇李华高
  • 3篇王颖
  • 3篇易平
  • 3篇李平
  • 3篇陈红兵
  • 3篇唐遵烈
  • 3篇刘爽
  • 3篇韩露
  • 2篇白雪平
  • 2篇宁永功
  • 2篇杨雄敏
  • 2篇邓光平
  • 1篇刘俊刚
  • 1篇杨家德
  • 1篇于奇

传媒

  • 18篇半导体光电
  • 1篇传感器世界
  • 1篇数字通信
  • 1篇Journa...
  • 1篇数字技术与应...
  • 1篇河北软件职业...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2000
  • 1篇1992
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铂-硅合金形成硅化铂的研究被引量:2
1992年
本文对 PtSi 红外肖特基势垒探测器中硅化铂薄层(~20nm)进行了分析,比较了不同制作条件 PtSi 薄层的化学组成以及有关元素在薄层中的纵向分布等情况,提出了良好的硅化铂薄层的形成条件,并测出了以此条件制作的 PtSi 红外肖特基势垒探测器参数 D~*=2.8×10^(10)cm·H_z^(1/2)W^(-1),势垒高度φ_(ms)=0.21eV。
熊平廖世蓉
关键词:半导体器件硅化铂
BCCD器件解析物理模型与仿真研究被引量:5
2004年
 基于半导体图像传感器CCD的物理图像和相应的基本特性微分方程组,经过离散和线性化处理,并引用解三对角矩阵方程的递归算法,实现了其解析模型求解。据此及其相关的编程软件,对电注入埋沟CCD器件进行了仿真测试。结果表明,随着栅长减小、栅间隙长度增加和沟道深度减小,传输栅电荷容量约从6.5×106下降到6.1×106电子电荷,转移效率从96%增高到99%。同时,暗电流只与少子寿命密切相关,转移效率对栅间隙长度在1μm以内的变化不敏感。该理论模拟结果有助于BCCD模型参数提取和设计研究。
于奇王颖熊平孙杰梅丁蕾杨谟华
关键词:BCCD解析模型模拟仿真电荷容量
硅衍射微透镜阵列的制作技术研究
2005年
介绍了二元光学方法制作多台阶衍射微透镜的设计和工艺过程;分析了台阶侧壁倾斜对衍射效率的影响;提出了一种基于软刻蚀技术的复制和集成新工艺。实际制作了8台阶硅衍射微透镜阵列,利用新工艺复制了硅衍射透镜阵列。
赖建军赵悦柯才军周宏易新建翁雪涛熊平
关键词:干法刻蚀二元光学
MOS二极管热弛豫时间的二维数值模拟
2009年
本文对二维半导体器件模拟软件MEDICI进行了简单介绍,运用MEDICI对MOS二极管进行瞬态分析,观察不同时刻载流子浓度和耗尽层宽度的变化,并讨论了热弛豫时间与器件衬底浓度的关系。
韩露熊平
关键词:MEDICI
512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器被引量:4
2003年
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40%。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。
熊平周旭东邓光华李作金王颖李华高袁礼华蒋志伟
关键词:PTSICCD图像传感器
CCD与CMOS图像传感器特点比较被引量:113
2004年
 简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局。
熊平
关键词:CCDCMOS图像传感器
室温红外探测用非晶Ti薄膜的制备及表征
2009年
采用快速蒸发并冷却衬底的方法,在不同衬底结构上制备出了电阻温度系数(TCR)优于0.25%的红外探测用非晶Ti薄膜。通过表征分析了氧对薄膜电阻影响,以及组分对其性能的影响。研究表明,Ti薄膜有较强吸附氧能力,低价态的Ti利于红外探测。提出采用保护层和非氧硅化物牺牲层以提高薄膜探测能力。
刘爽陈煦杨亚培熊平刘俊刚
关键词:室温红外探测红外探测材料微测辐射热计非晶薄膜
室温红外探测用VOx薄膜的工艺研究
2005年
用反应溅射法制备了VOx薄膜。利用XPS分析技术,研究了薄膜组分与氧分压、基片材料、沉积厚度等工艺条件的关系。结果表明本工艺得到V2O5、VO2、V2O3复相膜,氧气流量大和较厚薄膜容易获得高价态V,衬底表面吸附氧会改变薄膜组分,V2O5、VO2含量高的薄膜电阻温度系数相对较高,V2O3不利于红外探测。
刘爽宁永功赵凯生刘永智李华高熊平
关键词:室温红外探测电阻温度系数
硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响
2008年
利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23 eV。
白雪平李华高熊平李立陈红兵
关键词:表面处理PTSI截止波长
离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度被引量:6
2000年
Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应 ,用 Ar气保护热处理消除注入损伤 ,附加掩膜层控制离子注入深度 ,成功地将 Pt Si肖特基二极管的势垒高度降低到 0 .1 5e V.
刘爽宁永功杨忠孝陈艾熊平杨家德
关键词:PTSI肖特基二极管势垒高度离子注入
共3页<123>
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