柯春和
- 作品数：7 被引量：34H指数：4
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- 真空微电子学与微波毫米波器件
- 1992年
- 早在40年代,K.R.Shoulders就提出了真空微电子器件的一些新设想.1961年发表了真空微电子器件的系统的论证文章.其后SRI开展了系统的研究工作,直到 1988年6月在美国召开了首届国际真空微电子学会议.它标志着一个新学科—真空微电子学的诞生.目前这一领域强烈地吸引着各国科学家的注意,掀起了一个研究的热潮.人们认为,这是继电子管,半导体器件之后的第三代新型电子器件.它将成为21世纪初的重要电子器件之一,对未来电子技术的发展有着深远的影响.
- 彭自安柯春和李庠
- 关键词：真空微电子学微波毫米波冷阴极曲率半径场致发射分布放大器
- 场发射显示器发展动态被引量：4
- 1996年
- 概述场发射显示器件（FED）的原理、结构和制作工艺及发展水平。展望FED的前景并介绍了国际上围绕FED展开的激烈竞争。
- 柯春和杜秉初
- 关键词：真空微电子学场发射显示器件场发射阵列
- 场发射平板显示器件被引量：7
- 1994年
- 综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。
- 柯春和彭自安冯进军李兴辉
- 关键词：真空微电子学平板显示器
- FED发展面向何方
- 1997年
- 曾在1988年6月于美国召开了第一届国际真空微电子学会议(1th IVMC′88),它标志了一门新学科——真空微电子学(Vacuum Microelectronics)的正式诞生。此后每年召开一次,1996年7月已经是第9次会议了。每届会议参加者都十分踊跃。 真空微电子学的理论基础是场致发射(以下简称场发射)理论及真空电子学理论。而场发射理论与实验研究则已有几十年的历史。1961年Shoulders K.P.提出了用场发射电子源的纵向及横向真空微三极管的概念,奠定了真空微电子学的基础。1996年斯坦福研究所(SRI)的Spindt C.A.
- 柯春和
- 关键词：场发射显示器件真空电子学场发射
- 真空微电子学1996 我们正在哪里,我们要去何方
- 1997年
- 译者序 近年来真空微电子学的发展十分迅猛。去年七月在俄罗斯圣彼德堡召开的第九届国际真空微电子学会议 上有166篇论文发表,本文为这次大会的特邀报告。 值得注意的是几家即将把场发射显示器件(FED)推向市场的公司都没有发表有实质性内容的论文。这很可能是FED上市前的短暂沉寂和商业需要。FED究竟何时能够实现商品化?工作在GHz范围的场发射阵列(FEA)阴极何时能在射频功率放大器上得到实际应用?真空徽电子学又出现了哪些新技米和新的应用?等等,这些都是学术界和产业界十分关注的问题。 真空徽电子学权威之一,美国海军实验室的Henry F.Gray博士在本届国际真空徽电子学会议上的特邀报告中全面而概括地讨论了这些问题,对真空徽电子学的进一步发展作了谨慎的预见。他认为由于在科学技术土已没有明显的障碍,FED在一年内应能实现商品化。他还提出一个有趁的历史性问题:1948年开始了从真空君件到固态器件的过渡。在21世纪开端,我们能否看到从固态簇件到真空器件的回归呢?至少在策微电子学领域中的特殊应用场合是如此。1996年法国的PixTech及日本的Futaba公司终于向世界发布了5 .2英寸FED的商品广告,从而将FED推向市场,将预告1997年将推出8.5英寸的VGA级全彩色FED。这证实了Henry博士预见的准确性。
- Dr.HenryF.Gray柯春和李兴辉
- 关键词：真空微电子学FED
- 场发射平板显示器件的进展被引量：10
- 1997年
- 概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。
- 柯春和彭自安陈其略胡汉泉
- 关键词：真空微电子学场致发射FED平板显示器件
- 场发射显示技术被引量：17
- 1996年
- 场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。
- 柯春和彭自安
- 关键词：真空微电子学场发射显示器件场发射阵列
