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溅射环境下基片表面所受到的轰击能量研究被引量：2: 2011年; 溅射环境下基于薄膜的沉积速率和Langmuir探针测出的基片位置处离子流通量量化了单位时间内基片表面微区所接受的溅射中性原子的轰击能量Ec1和各种轰击离子传递给基片的轰击能量Ec2;Ec1和Ec2的数量级近似相同,Ec1和Ec2同时作用于基片表面微区加速了薄膜沉积过程中最表层原子的表面扩散进程,Ec1和Ec2持续作用所引起的能量积淀和温升效应可促进薄膜表层下方原子的体扩散进程。; 李洪涛蒋百灵杨波曹政; 关键词：溅射 LANGMUIR探针微观形貌

工艺参数对磁控溅射纯Cr薄膜沉积过程的影响: 磁控溅射离子镀技术，以纯Cr薄膜为研究对象，分析了不同工艺参数对纯Cr薄膜微观组织结构的影响规律；结合溅射沉积和薄膜生长原理揭示了不同工艺参数对纯Cr薄膜沉积过程的本质影响；探讨了磁控溅射离子镀技术在工程材料的纳米化和非...; 李洪涛蒋百灵杨波付杨洪; 关键词：磁控溅射微观结构

退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响被引量：3: 2010年; 基于金属诱导晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火试验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律。结果表明,Al诱导Si薄膜晶化的效果最好,Cu次之,Ni诱导Si薄膜晶化的效果较差;Al可在退火温度为400℃时诱导Si薄膜晶化,且随退火温度的升高Si的平均晶粒尺寸增大;Cu-Si薄膜的内应力较大和Ni-Si薄膜中Ni/Si界面处难以形成NiSi是Cu、Ni诱导Si薄膜晶化效果较差的主要原因。; 蒋百灵李洪涛蔡敏利苗启林杨波; 关键词：硅薄膜退火晶化过程

基于磁控溅射离子镀技术的不同晶态纯Cr薄膜微观组织结构研究被引量：2: 2011年; 基于磁控溅射离子镀技术,制备了不同晶态结构的纯Cr薄膜,分析了电场环境对纯Cr薄膜晶态结构影响的客观规律;结合溅射原理和薄膜生长原理揭示了电场环境对纯Cr薄膜生长过程影响的内在机理;探讨了磁控溅射离子镀技术在工程材料的纳米化、非晶化进程中应有的功能,旨在为纳米材料的研发及其制备技术的创新提供参考依据。; 李洪涛蒋百灵杨波曹政; 关键词：柱状晶等轴晶纳米晶非晶

一种新颖的磁控溅射纯Cr薄膜结构区域模型被引量：1: 2011年; 磁控溅射成膜过程中,基于溅射中性原子对基片表面微区的轰击效应Ec11和各种轰击离子对基片表面微区的轰击效应Ec22两个能量因子建立了磁控溅射纯Cr薄膜的结构区域模型,研究发现磁控溅射系统中较高的离子流密度显著影响着薄膜的微观结构,且可在较低的相对温度下促进完全致密薄膜结构的形成。; 李洪涛蒋百灵杨波曹政; 关键词：微观结构磁控溅射

不同非平衡度磁场环境中溅射等离子体的诊断与分析被引量：1: 2011年; 采用Langmuir探针对两种不同非平衡度磁场环境中(K值分别为2.78和6.41)的溅射等离子体进行诊断,并使用高斯仪测量靶材表面的磁感应强度,结合靶材表面磁场分布的Ansys软件模拟,分析了等离子体在非平衡磁场环境中的运动规律。结果表明:磁控阴极内侧(靶材表面中部)的溅射等离子体主要参数(离子密度、电子密度及电子温度)在两种不同非平衡度磁场中都具有随靶基距增大而逐渐减小的趋势,大量带电粒子从磁控阴极外端向远离靶材表面的区域运动;K为2.78时的等离子体参数在靶材表面的刻蚀环正上方60 mm范围内明显高于K为6.41时,前者靶材表面的磁感应强度大于后者;向外发散的磁力线数量随K值的增大而增多。; 曹政蒋百灵杨波鲁媛媛; 关键词：等离子体密度磁感应强度

电场环境对磁控溅射纯Cr薄膜沉积过程的影响被引量：2: 2010年; 基于磁控溅射离子镀技术,以纯Cr薄膜为研究对象,分析了电场环境对纯Cr薄膜微观组织结构的影响规律;结合溅射沉积和薄膜生长原理揭示了电场环境对纯Cr薄膜沉积过程的内在机理;探讨了磁控溅射离子镀技术在工程材料的纳米化和非晶化进程中应有的功能,以期为纳米材料的研发及其制备技术的创新提供参考依据。; 李洪涛蒋百灵杨波付杨洪; 关键词：磁控溅射微观结构

退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响: 基于金属诱导晶化方法，利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火实验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律。结果表明：Al诱导Si薄膜晶...; 蒋百灵李洪涛杨波曹政苗启林; 关键词：退火温度硅薄膜金属诱导晶化; 文献传递

溅射沉积氢化非晶硅中辉光放电等离子体的Langmuir探针诊断被引量：1: 2011年; 为揭示磁控溅射辉光放电等离子体参量对Si薄膜沉积过程的本质影响,采用Langmuir探针于不同的靶电流、靶基距和氢分压条件下对直流辉光放电等离子体进行了诊断,分析了直流辉光放电等离子体参量（离子密度、离子流通量、等离子体电势、电子密度、电子温度）的变化规律,并以此为依据探讨了其对Si靶溅射过程和溅射Si粒子输运过程的影响。结果表明：不同靶电流下,距靶面3 cm处等离子体参量中离子密度、离子流通量和电子密度均随靶电流的增大而增大;靶电流为0.5A时,在靶基距从4 cm增大至21 cm过程中,离子密度和离子流通量先增大后减小,均在9 cm处出现峰值;靶基距恒为12 cm时,随氢气流量的增大,离子密度和离子流通量均增大（除氢气流量为45 ml/min（标准状态）时有所下降）。上述各参数下电子温度的变化波动性较大,但电子能量均在15 eV,即高能电子所占比例极小。; 李洪涛蒋百灵杨波曹政郭维华焦栋茂; 关键词：LANGMUIR探针等离子体离子密度电子密度

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杨波