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李达

作品数:5 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院安徽光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇导体
  • 1篇氧化钛
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热法制备
  • 1篇铁矿
  • 1篇铜铁
  • 1篇铜铁矿
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇能量计
  • 1篇热法
  • 1篇物性研究
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇方晓东
  • 5篇李达
  • 5篇邓赞红
  • 4篇董伟伟
  • 4篇陶汝华
  • 3篇朱雪斌
  • 2篇赵义平
  • 2篇周曙
  • 2篇王涛
  • 1篇王金梅
  • 1篇邵景珍
  • 1篇张玉亮
  • 1篇孟钢
  • 1篇苏清磊

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇化学进展

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
新型薄膜材料在激光能量/功率计应用中的新进展
2009年
介绍了目前新型薄膜材料在激光能量/功率计应用中的最新试验研究进展。最近从实验中发现多种新型材料的薄膜具有光热辐射感生热电电压,对这种基于各向异性塞贝克效应的感生电压的性质进行详细的研究,发现并证明此类薄膜具有响应光谱宽、响应速度快、在有效范围内线性好等优点,可以应用于激光能量/功率计。
张玉亮陶汝华董伟伟邓赞红李达王涛赵义平孟钢周曙王金梅邵景珍方晓东
关键词:激光能量计
Co:TiO_2稀磁半导体研究进展被引量:4
2007年
Co:TiO2作为一种很有希望在自旋电子学器件中获得重要应用的室温稀磁半导体材料,最近几年获得了广泛关注。首先介绍了该体系的制备方法,如分子束外延、溅射、化学方法等,然后就Co:TiO2薄膜的输运性质和磁性作了较为详细的阐述,对比较有争议的微结构和磁性起源问题也进行了探讨。归纳总结了目前在各方面的进展和存在的问题,并针对这些问题提出了今后的一些研究方向。
赵义平方晓东苏清磊邓赞红陶汝华董伟伟王涛李达朱雪斌
关键词:二氧化钛稀磁半导体
铜铁矿基p-TCO材料的制备与物性研究被引量:2
2007年
采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2(B=Al,Cr,La)多晶陶瓷的制备,并采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)制备了CuCrO2薄膜。结果表明:溶胶-凝胶法可以成功制备高纯CuAlO2和CuCrO2多晶材料。该方法还可以显著降低烧结温度且使烧结时间显著缩短;所制备的名义组分CuAlO2和CuCrO2样品均呈p型半导体导电行为,CuBO2的电导率随着B位离子半径的增大而明显减小;PLD法制备的CuCrO2薄膜呈高度c轴取向,厚度~200nm的薄膜在可见光区的平均透射率~80%。
邓赞红李达朱雪斌陶汝华董伟伟方晓东
关键词:溶胶-凝胶铜铁矿透明导电氧化物脉冲激光沉积
水热法制备铜铁矿型氧化物材料被引量:5
2010年
铜铁矿型氧化物材料在催化剂、发光材料、太阳能电池、臭氧传感器和p型透明导电氧化物等领域有广阔的应用前景,已成为研究的热点。本文阐述了水热法制备铜铁矿材料的基本原理和特点,介绍了水热法制备纳米铜铁矿材料的最新研究进展。
周曙方晓东邓赞红李达
关键词:水热法纳米晶
Effect of Cu-Excess on the Electrical Properties of Cu_xAlO_2(1≤x≤1.06)被引量:1
2008年
Cu-excess CuxAlO2 ceramics with delafossite phases were synthesized using sol-gel. In the composition range of 1≤x〈1. 04,there are no detectable non-delafossite phases. Weak diffraction peaks of CuO are observed when x ≥1.04. The room temperature conductivity of the CU1.04AlO2 sample is improved by nearly an order of magnitude over that of the CuAlO2 sample. The major defect mechanism responsible for the conductivity enhancement is proposed to be substitution defects of CuAl (Cu^2 + ions substitute Al^3 + ions). The composition formula unit for Cu-excess Cux AlO2 may be expressed as Cu(All yCuy)O2.
邓赞红方晓东陶汝华董伟伟李达朱雪斌
共1页<1>
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