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李梦珂
作品数:
20
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
潘教青
中国科学院半导体研究所
周旭亮
中国科学院半导体研究所
于红艳
中国科学院半导体研究所
米俊萍
中国科学院半导体研究所
李士颜
中国科学院半导体研究所
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电子电信
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砷化镓
机构
20篇
中国科学院
作者
20篇
周旭亮
20篇
潘教青
20篇
李梦珂
18篇
于红艳
12篇
李士颜
12篇
米俊萍
6篇
王圩
2篇
戴兴
2篇
于鸿艳
年份
2篇
2017
6篇
2016
3篇
2015
1篇
2014
8篇
2013
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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种可用于硅基集成的HEMT器件的制作方法及相应的HEMT器件,所述方法通过在锗上生长掺Fe的GaInP作为半绝缘层,生长GaInP作为缓冲层,在GaInP缓冲层上再制作HEMT器件。本发明可以有效地解决HE...
米俊萍
周旭亮
于红艳
李梦珂
李士颜
潘教青
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<S...
李梦珂
周旭亮
于红艳
李士颜
米俊萍
潘教青
文献传递
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<S...
李梦珂
周旭亮
于红艳
李士颜
米俊萍
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多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法
一种多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法,多波长硅基混合集成slot激光器阵列包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列,其中,所述硅基波导结构包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的...
戴兴
李梦珂
李雅博
周旭亮
于红艳
潘教青
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在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜
周旭亮
于鸿艳
李梦珂
米俊萍
潘教青
文献传递
一种硅基微腔激光器的制作方法
本发明公开了一种硅基微腔激光器的制作方法,包括以下步骤:在硅衬底正面,采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层;将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;将高温砷化镓层表面抛光...
周旭亮
于红艳
李梦珂
潘教青
王圩
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硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法
一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法,包括:在清洗好的硅衬底上生长锗层;在锗层上依次生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;对高温砷化镓层的表面进行抛光;退火后生长MOSFET结构,该MOSFET结构包...
周旭亮
于红艳
李梦珂
潘教青
王圩
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一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法
本发明公开了一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上,生长锗层;步骤2:将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;步骤3:停止生长,更换衬底舟...
周旭亮
于红艳
李梦珂
潘教青
王圩
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在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜
周旭亮
于鸿艳
李梦珂
米俊萍
潘教青
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多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法
一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法,多波长硅基混合集成slot激光器集成光源包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列,其中,所述硅基波导结构包括:硅基衬底,n条波导通道,...
戴兴
李梦珂
李雅博
李召松
周旭亮
于红艳
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