李天文
- 作品数:22 被引量:15H指数:3
- 供职机构:中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项北京市重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种片外配置和回读FPGA装置
- 本发明提出一种片外配置和回读FPGA装置,具有片内配置回读和片外配置回读两种模式;其包括FPGA芯片和片外配置控制器,其中所述FPGA芯片包括:片内配置控制器,其用于在片内配置回读模式下对所述FPGA芯片进行配置和回读操...
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- 文献传递
- 抗单粒子翻转的加固SRAM电路
- 本发明提供了抗单粒子翻转的加固SRAM电路。该加固SRAM电路包括:读写模块、隔离模块、上拉模块和下拉模块。读写模块,用于在字线信号WL为高电平时,对第三节点n3和第四节点n4的数据读出/写入。隔离模块包括:第一隔离单元...
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- 文献传递
- 基于四值脉冲参数模型的单粒子瞬态传播机理与软错误率分析方法被引量:2
- 2016年
- 随着工艺尺寸的不断缩小,由单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要威胁,而SET脉冲的产生和传播也成为电路软错误研究的热点问题。通过研究SET脉冲在逻辑链路中的传播发现:脉冲上升时间和下降时间的差异能够引起输出脉冲宽度的展宽或衰减;脉冲的宽度和幅度可决定其是否会被门的电气效应所屏蔽。该文提出一种四值脉冲参数模型可准确模拟SET脉冲形状,并采用结合查找表和经验公式的方法来模拟SET脉冲在电路中的传播过程。该文提出的四值脉冲参数模型可模拟SET脉冲在传播过程中的展宽和衰减效应,与单参数脉冲模型相比计算精度提高了2.4%。该文应用基于图的故障传播概率算法模拟SET脉冲传播过程中的逻辑屏蔽,可快速计算电路的软错误率。对ISCAS’89及ISCAS’85电路进行分析的实验结果表明:该方法与HSPICE仿真方法的平均偏差为4.12%,计算速度提升10000倍。该文方法可对大规模集成电路的软错误率进行快速分析。
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- 关键词:超大规模集成电路
- 抗单粒子翻转的加固SRAM电路
- 本发明提供了抗单粒子翻转的加固SRAM电路。该加固SRAM电路包括:读写模块、隔离模块、上拉模块和下拉模块。读写模块,用于在字线信号WL为高电平时,对第三节点n3和第四节点n4的数据读出/写入。隔离模块包括:第一隔离单元...
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- 抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器
- 本发明提供了一种抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器。该锁存型灵敏放大器在普通锁存灵敏放大器的结构基础上添加两个P型晶体管构成的隔离单元,在保持了普通结构的高性能的同时由于隔离单元的限流作用同时降低了电路的功耗,当节点n1或n...
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- 文献传递
- 一种抗单粒子翻转与瞬态效应延时可调锁存器
- 本发明公开了一种抗单粒子翻转与瞬态效应延时可调锁存器,该锁存器包括第一延时单元、第二延时单元、第一锁存单元、第二锁存单元和第三锁存单元。本发明通过调节延时单元偏置电压可分别改变第一延时单元与第二延时单元的延时,从而改变锁...
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- 一种双端口存储器字线控制电路
- 本发明提供了一种双端口存储器字线控制电路。该双端口存储器字线控制电路包括:控制模块,用于根据存储器端口的读写使能信号、EDAC开启使能信号和双端口地址比较信号产生两路的控制信号;时钟延时模块,用于由时钟信号以及两延时控制...
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- 文献传递
- 具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器
- 本发明提供了一种具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元。该SRAM存储单元包括:存储单元本体和加固电路。其中,存储单元本体包括:第一反相器,其具有第二存储节点;第二反相器,其具有第一存储节点。加固电路包括:偏置电压控制单...
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- 交织结构的耐单粒子瞬变压控振荡器
- 2018年
- 为提高辐照环境下振荡器工作的可靠性,提出一种交织结构的抗辐照设计加固压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO),该VCO由采用交织结构的延时单元构成,该延时单元支持多数表决功能,可以抑制单粒子瞬变的影响;该VCO环路中无须引入额外的专用表决模块,可以产生均匀的多相位输出。所提出的加固差分VCO是基于130 nm体硅互补金属氧化物半导体工艺设计的。模拟结果表明,所设计的加固VCO在100 fC^800 fC沉积电荷量的轰击范围内,其所产生的最大相位偏移不超过0.35 rad。
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- 关键词:压控振荡器
- 抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器
- 本发明提供了一种抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器。该锁存型灵敏放大器在普通锁存灵敏放大器的结构基础上添加两个P型晶体管构成的隔离单元,在保持了普通结构的高性能的同时由于隔离单元的限流作用同时降低了电路的功耗,当节点n1或n...
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