您的位置： 专家智库 > >

李再金

作品数：56 被引量：135H指数：7
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇期刊文章
  • 22篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 33篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学

主题

  • 45篇激光
  • 41篇激光器
  • 39篇半导体
  • 36篇半导体激光
  • 32篇半导体激光器
  • 17篇腔面
  • 12篇光电
  • 10篇光电子
  • 10篇半导体光电
  • 8篇功率
  • 8篇功率半导体
  • 6篇电子学
  • 6篇光电子学
  • 6篇半导体光电子...
  • 6篇大功率半导体
  • 5篇面发射
  • 4篇电子器件
  • 4篇面发射激光器
  • 4篇光纤
  • 4篇发射激光器

机构

  • 38篇长春理工大学
  • 19篇中国科学院长...
  • 16篇中国科学院研...
  • 3篇吉林大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇吉林农业大学
  • 1篇长春机械科学...

作者

  • 56篇李再金
  • 27篇曲轶
  • 26篇刘国军
  • 26篇芦鹏
  • 24篇李特
  • 18篇王立军
  • 16篇马晓辉
  • 15篇邹永刚
  • 14篇乔忠良
  • 13篇刘云
  • 12篇李林
  • 12篇薄报学
  • 11篇王勇
  • 10篇秦莉
  • 9篇李辉
  • 9篇王烨
  • 9篇郝二娟
  • 9篇杨晔
  • 8篇胡黎明
  • 7篇王勇

传媒

  • 5篇中国激光
  • 5篇发光学报
  • 4篇强激光与粒子...
  • 3篇光学精密工程
  • 3篇光学学报
  • 3篇长春理工大学...
  • 2篇光电子．激光
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇光子学报
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 7篇2014
  • 8篇2013
  • 5篇2012
  • 10篇2011
  • 10篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2007
共 56 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性被引量：3
2010年
针对微通道热沉封装的大功率无铝量子阱半导体激光阵列(LDA)建立三维有限元模型,模拟分析了热沉温度、工作电流以及占空比等工作条件对有源区温度的影响,并通过实验手段研究了不同工作条件下,大功率半导体激光阵列的输出特性的变化情况。结果表明,热沉温度越高、占空比越大时,器件达到稳态所需时间越长,有源区温度越高,中心波长红移越大;阈值电流越大,转换效率、斜率效率越低,输出功率越小。外推了半导体激光阵列在20℃热沉温度,20%高占空比,300 A高注入电流条件下工作的输出特性,得到输出功率超过300 W,转换效率达45%,且没有出现热饱和现象。
胡黎明李再金秦莉杨晔王烨刘云王冰冰王立军
关键词：激光器半导体激光阵列占空比有限元法大功率
大功率GaAs基半导体激光器腔面膜一次性制备技术
2014年
大量研究表明,大功率半导体激光器失效的一个主要表现就是半导体激光器的腔面退化,而空气中的灰尘与腔面氧化变质是其主要诱因。使用了新型的镀膜机真空室内180°自翻转机构制备半导体激光器腔面膜,大大降低半导体激光器腔面在大气条件下的暴露时间。从过程上直接降低自然氧化物和杂质产生的几率,减少腔面自然氧化物的诱导缺陷和杂质的非辐射复合中心。从大功率半导体激光器腔面膜一次性制备实验的结果表明,该技术制备的半导体激光器外推寿命对比常规实验提高了12.56%,同时还有效的提高了器件的最大输出功率。
芦鹏李再金曲轶马晓辉
关键词：大功率半导体激光器
808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究
2014年
为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除"燕尾"结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。
冯源晏长岭郝永芹王勇芦鹏李洋李再金
关键词：垂直腔面发射半导体激光器高功率湿法刻蚀刻蚀速率
808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计被引量：1
2011年
采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。
杨晔刘云秦莉王烨梁雪梅李再金胡黎明史晶晶王超王立军
关键词：电流分布
一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法
本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。本发明通过制备立方氮化硼(c-BN)薄膜层作为激光器腔面的钝化膜，有效的减小了激光器腔面灾变光学损伤，提高了激光器件可靠性与稳定性。...
芦鹏郭仁红刘学东赵英杰许鹏李再金王勇李特乔忠良刘国军马晓辉
文献传递
850nm高亮度近衍射极限锥形半导体激光器(英文)被引量：4
2011年
制备了具有低红暴优势的850 nm大功率高亮度锥形半导体激光器,获得了近衍射极限的激光输出。当连续输出功率为200 mW时,光束质量因子M2仅为1.7,亮度高达16.3 MW.cm-2.sr-1;当功率提高到1 W时,M2因子和亮度仍分别达到2.8和9.9 MW.cm-2.sr-1。此外,研究了锥形激光器的功率、光谱、远场分布等特性,并分析了不同脊形波导长度对锥形激光器自聚焦现象的影响。
杨晔刘云张金龙李再金单肖楠王立军
关键词：高亮度
1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性被引量：6
2012年
研究了1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在15～55℃范围内所测的输出光功率由40.7 W降低到29.4 W,阈值电流由9.29 A升高到17.24 A,转换效率由54.22%降低到37.55%,光谱漂移为0.37 nm/℃,特征温度为68.6 K。实验结果表明,为保持器件性能的稳定,在实际应用过程中应该使器件的温度控制在15～25℃范围内。
李再金芦鹏李特曲轶薄报学刘国军马晓辉
关键词：半导体激光器阈值电流温度特性
一种超晶格波导半导体激光器结构
本发明属于光电子技术领域，是一种超晶格波导半导体激光器结构，从下到上依次包括:N型砷化镓衬底，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；N型砷化镓缓冲层，主要用以调节晶格适配度；N型下限制层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来...
李特张月李再金郝二娟邹永刚芦鹏曲轶刘国军马晓辉
文献传递
准连续半导体激光器的传导冷却封装优化被引量：4
2010年
为了提高准连续输出功率为×102W量级的半导体激光器的输出功率和可靠性,采用双面散热方式提高传导冷却封装的散热能力。结果表明,采用改进的封装方式后,激光器的最高输出功率由91.6 W提高到98.4W,阈值电流由15.6 A减小到15.1 A,斜率效率由1.09 W/A提高到1.16 W/A,插头效率略有增加。激光器在100 A工作电流时,有源区的温度和激光器的热阻都有所减小,说明改进的封装方式具有更好的散热性能。
王烨秦莉张岩李再金梁雪梅杨晔胡黎明王超姚迪尹宏贺刘云王立军
关键词：半导体激光器封装热阻
光谱稳定的低功耗980nm单模泵浦源半导体激光器被引量：5
2016年
由于在很多特殊应用领域要求980 nm泵浦源半导体激光器具有光谱稳定、低功耗等,本文通过对980nm单模半导体激光器的腔长、腔面反射率及光纤光栅反射率等优化设计,研制出低阈值、高功率980 nm光纤光栅外腔波长稳定半导体激光器。该低功耗、波长稳定的单模半导体激光器,在100 m A工作电流下尾纤输出功率达到51 m W,3 d B带宽为0.16 nm,边模抑制比大于40 d B,器件在250 m A工作电流下,尾纤输出功率达到120 m W。
李辉都继瑶曲轶张晶李再金刘国军
关键词：半导体激光器光纤布拉格光栅波长稳定低功耗
全选 清除 导出
共6页<123456>
聚类工具0