张红
- 作品数：21 被引量：69H指数：5
- 供职机构：江苏大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学建筑科学更多>>
- 论高校院系领导班子的优化组合被引量：2
- 2005年
- 开展对高校院系领导班子优化组合的研究,是进一步落实“三个代表”重要思想的具体体现。要按照《党政领导干部选拔任用工作条例》,合理选配领导班子成员,加强院系领导班子自身建设,使高校院系领导班子形成梯形的年龄结构、互补的知识结构、合理的专业结构、较好的智能结构、协调的心理结构,成为朝气蓬勃、奋发有为的领导集体。
- 张红
- 关键词：高校院系领导班子
- 大尺寸HVPE反应器寄生沉积的数值模拟研究
- 2017年
- 在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN厚膜中,反应腔壁面总会产生大量的寄生沉积,严重影响薄膜生长速率及质量。本文针对自制的大尺寸垂直式HVPE反应器,通过数值模拟与实验对比,研究了反应腔壁面沉积以及GaN生长速率的分布规律,特别是寄生沉积分布与载气流量的关系。研究发现:在基准条件下,顶壁寄生沉积速率由中心向边缘逐渐降低,与实验结果吻合;侧壁沉积出现8个高寄生沉积区域,对应喷头边缘处排布的GaCl管,说明沉积主要取决于GaCl的浓度输运;模拟得出的石墨托表面生长速率低于实验速率,但趋势一致。保持其他条件不变,增大NH_3管载气N_2流量,顶壁和侧壁的寄生沉积速率及分布区域均随之增大,石墨托表面生长速率随之减小而均匀性却随之提高;增大GaCl管载气N_2流量,顶壁和侧壁的寄生沉积速率及分布区域均随之减小,石墨托表面生长速率随之增大而均匀性却随之降低。研究结果为大尺寸HVPE反应器生长GaN的工艺优化提供了理论依据。
- 黄业左然唐斌龙张红刘鹏张国义
- 关键词：GAN数值模拟
- GaN的MOVPE生长中台阶表面吸附的量子化学计算
- 2018年
- 利用量子化学的密度泛函理论,计算Ga N的MOVPE生长中主要的表面反应前体NH3、Ga CH3(简写为MMG)在Ga N(0001)面台阶处的吸附特性,并与理想平台表面对比。结果表明,在台阶吸附时,NH3有分子吸附和分解吸附两种结构,MMG只有两种分子吸附结构。NH3分子吸附时,吸附能在台阶处大于在平台表面;NH3分解吸附时,吸附能在平台表面大于在台阶处。说明NH3在台阶处容易发生分子吸附,而在平台表面容易发生分解吸附。MMG在台阶处的吸附能均大于在平台表面,说明它们在台阶处吸附比理想表面更容易。
- 张周左然唐斌龙袁银梅张红
- 关键词：GAN密度泛函理论
- 径向流动MOCVD输运过程的数值模拟和反应器优化被引量：4
- 2005年
- 针对三重进口径向流动行星式MOCVD反应器的输运过程进行二维数值模拟研究,探讨有关行星式反应器流道高度和托盘直径能否继续扩大,如何控制基片上方温场和浓度场为最佳分布这样一些本质问题,同时寻找反应器的优化条件.模拟结果发现:(1)通过对反应器形状进行优化,使进口处流道趋向于流线的形状,可以大大地削弱甚至消除由流道扩张引起的涡旋;(2)在影响对流涡旋的几何参数中,反应腔高度起主要作用,而反应腔直径影响较小.对于优化后的反应器,发生对流涡旋的临界高度提高到2～2.5cm,对应的反应器直径增加到40cm;(3)在相同温差、不同衬底温度的条件下,反应器内的流动形态不同.衬底温度高,对流涡旋较弱;衬底温度低,对流涡旋较强.其原因在于气体的粘滞力随温度升高从而抑制了浮升力的作用;(4)衬底上方均匀的流场对应均匀的温场和较高的反应物浓度,热扩散则使TMGa在衬底处的浓度降低.
- 左然张红徐谦
- 关键词：金属有机化学气相沉积反应器数值模拟
- 反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器设计与数值模拟被引量：15
- 2005年
- 本文分析了现有的MOCVD反应器存在的不足,提出了一种新型的反向流动垂直喷淋式反应器:反应气体从基片上方的许多平行小喷管喷入反应区,反应后的尾气又从基片上方出口排出,从而减少了反应物浓度沿衬底径向的不均匀性。通过对反应器进行三维数值模拟,改变喷管的中心距、喷管端与衬底的距离、流量、气体压强等参数,确定了反应室内衬底上方温度场与浓度场为最佳时的参数组合。
- 徐谦左然张红
- 关键词：MOCVD反应器设计数值模拟
- 径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟被引量：17
- 2005年
- 对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等.
- 左然张红刘祥林
- 关键词：MOCVD输运过程热对流数值模拟
- Ⅲ族氮化物MOCVD生长中的化学反应研究和进展被引量：1
- 2017年
- 在Ⅲ族氮化物的MOCVD生长中,存在着生长窗口窄、生长速率低、产生纳米颗粒、反应前体消耗大等问题,它们几乎都和生长中的化学反应有关。随着MOCVD反应器尺寸的增大,由于反应气体驻留时间延长,寄生反应问题更加严重,薄膜质量将更加难以控制。因此,深入了解Ⅲ族氮化物MOCVD生长的化学反应机理,成为控制、优化和预测氮化物薄膜生长的关键。本文总结了前人对GaN生长的气相反应路径的研究,特别是两条相互竞争的气相反应路径,即热解路径和加合路径,也介绍了作者团队近年来的相关研究进展。
- 左然张红
- 关键词：MOCVD化学反应
- GaN-MOVPE生长的气相反应中自由基的作用被引量：3
- 2019年
- 针对垂直转盘式MOVPE反应器,利用结合反应动力学-输运过程的CFD模拟,研究MOVPE生长GaN的气相反应中自由基的影响.通过分析对比包括或不包括·H和·NH2自由基反应时,主要反应前体的浓度和生长速率的变化,确定自由基对气相反应路径的影响.模拟分别考虑由简单到复杂三种情况:(1)基准反应,即不包括自由基的反应;(2)包括·H自由基的反应;(3)同时包括·H和·NH2自由基的反应.研究发现:只考虑基准反应和包括·H自由基的反应时,气相反应均为热解路径占主导.·H自由基促进了TMG和DMG的分解,使衬底上MMG的浓度明显增大,进而使生长速率比基准反应时明显提高.·H自由基极易与NH3反应生成·NH2自由基,在衬底上方得到高浓度的·NH2自由基;在包括·NH2与TMG的反应后,由于该反应活化能为零,使得TMG迅速转化为DMGNH2,烷基镓的浓度在生长前沿全部为零,而DMGNH2浓度达到最大值,气相反应也由热解路径转为加合路径.考虑实际生长存在各种自由基,因此,当有足够的自由基产生时,GaN气相反应将由加合路径占主导.
- 张红左然
- 关键词：GANMOVPE气相反应自由基
- MOCVD反应器输运过程的研究综述与展望被引量：1
- 2007年
- 论述了MOCVD反应器的基本概念和国内外对反应器中输运现象的研究情况,重点论述了垂直喷淋式MOCVD反应器的研究,并指出了当前研究中存在的问题,展望了未来的研究发展趋势。
- 徐谦杨丽英张红
- 关键词：MOCVD反应器输运过程
- 金属有机化学气相沉淀反应器结构的模拟优化被引量：2
- 2009年
- 研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响,表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度,而且会影响到薄膜的纯度和成分的均匀性。通过改变反应器的结构和形状来优化反应器设计,从而消除衬底上方的涡旋,得到光滑而均匀的流场。根据模拟结果发现,流道高度在影响热对流涡旋的几何参数中起主要作用,而流道长度影响较小。对于优化后的反应器,引发自然对流的临界流道高度为H=2.5cm(D=20cm)。
- 张红
- 关键词：输运过程薄膜生长优化设计
