张嵩
- 作品数：15 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响
- 2021年
- 氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,对不同Ⅴ/Ⅲ比下GaN薄膜形态变化的机理进行了分析,研究了HVPE生长过程中氮源(Ⅴ族)和镓源(Ⅲ族)不同流量比对结晶质量和表面形貌的影响。实验结果表明,低Ⅴ/Ⅲ比会导致成核密度低,岛状晶胞难以合并;高Ⅴ/Ⅲ比会降低表面Ga原子的迁移率,导致表面高度差异大,结晶质量差。与Ⅴ/Ⅲ比为15.000和28.125相比,Ⅴ/Ⅲ比为21.250时更适合GaN薄膜生长,得到的晶体质量最高。
- 潘大力杨瑞霞张嵩董增印
- 关键词：GAN
- Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
- 2022年
- 对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研究中用于制备Ga_(x)In_(1-x)P材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述,总结了近年来HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P材料在太阳电池领域的研究进展,HVPE有望代替MOCVD而成为Ga_(x)In_(1-x)P的主流制备工艺。最后,对HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结,并对国内在该领域的研究工作指明了方向。
- 张嵩程文涛王健王健王健程红娟董增印
- MPCVD法同质外延生长单晶金刚石技术概述
- 2015年
- 单晶金刚石具有极其优异的性质,如高热导率、高载流子迁移率和高的击穿电压,是制作高可靠性、高稳定性微波功率器件和探测器的理想材料,金刚石基器件可以应用于高温、高功率、强辐射的恶劣环境中。针对金刚石在电学领域与探测领域的潜在应用价值,发展高品质金刚石单晶生长技术尤为重要,而金刚石应用的首要问题是解决单晶和成本的问题。微波等离子化学气相沉积是实现低成本、大尺寸单晶金刚石生长的有效技术。对于如何提高单晶金刚石的生长速率,如何获得高质量、大尺寸单晶金刚石的问题,本文阐述了国内外微波等离子化学气相沉积法同质外延生长单晶金刚石技术研究方面取得的重要突破,详细介绍了提高MPCVD单晶金刚石沉积速率、金刚石晶片剥离技术、金刚石晶体三维生长扩大尺寸、金刚石单晶"马赛克"生长技术。
- 陈建丽张嵩程红娟徐永宽
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积单晶金刚石
- HVPE-GaN位错密度的X射线衍射分析
- 齐成军张嵩
- ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响被引量：2
- 2014年
- 为了得到高质量的GaN材料,首先在c面蓝宝石(Al2O3)衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层,然后采用氢化物气相外延(HVPE)法在ZnO缓冲层上生长约5.2μm厚的GaN外延层,研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜(DIC)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)技术研究分析了GaN外延层的表面形貌、结晶质量和光学特性。结果表明,ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层的特性有着重要的影响,200 nm厚的ZnO缓冲层最有利于高质量GaN外延层的生长。
- 王晓翠杨瑞霞王如张嵩任光远
- 关键词：蓝宝石
- HVPE法制备GaN过程中GaAs衬底的氮化被引量：2
- 2010年
- 在自制的立式氢化物气相外延(HVPE)系统炉中,一定温度下通入一定流量的NH3使GaAs(111)衬底氮化一层GaN薄膜,以防止高温外延生长GaN时GaAs分解,进而提高了之后GaN外延生长的晶体质量。实验主要通过XRD检测氮化层的质量,研究了氮化温度和时间对氮化层的影响。实验发现,氮化温度过高会使GaAs表面分解,氮化层为多晶。氮化时间过短,氮化层致密性低,不能起到保护衬底的作用;时间过长则氮化层质量降低,GaN(002)半高宽(FWHM)较大。分析结果表明,在500℃氮化2min的工艺条件下,获得的氮化层质量相比其他条件较好,致密性高。
- 张嵩杨瑞霞徐永宽李强
- 关键词：GAN氮化层XRD
- HVPE生长基座结构优化被引量：1
- 2014年
- GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响。我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布。根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比。结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好。本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义。
- 程红娟张嵩徐永宽郝建民
- 关键词：GANHVPE衬底
- 衬底偏角对GaN HVPE外延生长的影响
- 本文主要研究了GaN HVPE(hydride vapoar phase epitaxy)外延生长过程中,蓝宝石衬底偏角对外延片表面形貌、弯曲度及晶体质量的影响。本次研究中GaN HVPE外延生长条件相同,而使用的c面蓝...
- 程红娟徐永宽李强杨丹丹张嵩
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- 文献传递
- 自支撑半绝缘Fe-GaN结构和光学性质研究
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,广泛应用于蓝、绿光、激光及电子器件.随着GaN外延及器件水平的提高,以AlGaN/GaN异质结构为基础的高电子迁移率晶体管以大功率、耐高温等优点成为研究热点,而高电子迁移率晶体...
- 陈建丽张嵩程红娟
- HVPE反应室内流场数值模拟及分析
- 本文以HVPE设备和基本结构为基础，结合CFD计算机模拟技术，讨论并分析了现有HVPE反应室内在H2环境中和N2气环境中，炉内流场的特点、涡流的分布和随流量变化的趋势。可以看出H2环境中流场具有对称性，流场内的扰动范围主...
- 程红娟徐永宽张嵩齐海涛
