季红兵
- 作品数：13 被引量：19H指数：2
- 供职机构：南通大学电子信息学院更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金南通市工业科技创新计划资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信政治法律文化科学更多>>
- 基于CMOS工艺的10位逐次逼近型模数转换器设计分析被引量：1
- 2006年
- 逐次逼近型模数转换器由于性能折衷而得到了广泛的应用。其中,比较器和数模转换器的精度和速度极大地限制了整个系统的性能。因此,具有失配校准功能的比较器是逐次逼近型模数转换器的关键。设计了10bit逐次逼近型模数转换器中的比较器,对比较器的电路结构和工作原理有较详细的论述。
- 季红兵
- 关键词：逐次逼近型模数转换器比较器数模转换器
- 基于SOPC的软件无线电资源共享自适应结构
- 2007年
- 介绍了软件无线电的基本结构,研究了新一代可编程片上系统(system onaprogrammable chip,SOPC)的特征,提出了基于新一代SOPC的软件无线电资源共享自适应结构,给出了采用这种结构的感知信道衰落、调制方式自适应的软件无线电系统实例,这种结构有望成为软件无线电及感知无线电(cognitiveradio)的支柱技术之一。
- 季红兵徐晨
- 关键词：软件无线电SOPC自适应结构资源共享
- 基于CMOS工艺的1.5bit10位流水线A/D芯片建立模型分析
- 2006年
- 文章针对几种典型结构的模数转换器的性能结构进行了比较分析,并选择流水线结构实现10位模数转换器;分析了流水线结构模数转换器的结构特性,以及利用1.5bit/级流水线结构所完成的电路误差校正.
- 陶涛季红兵陈海进
- 关键词：流水线模数转换器
- 积极探索有效途径 切实加强高校中青年教师党员发展工作被引量：5
- 2007年
- 近年来由于多方面因素的影响,高校中青年教师党员发展工作明显滞后。本文分析了目前高校中青年教师发展党员工作中存在的问题,充分认识到高校中青年教师党员发展工作的紧迫性和重要性,积极探索有效途径,切实加强新时期高校中青年教师发展党员工作。
- 季凌燕季红兵
- 关键词：高校中青年教师党员发展
- 大学生党员发展工作中的全面质量管理观被引量：8
- 2007年
- 中共中央对高校党建工作提出“加大发展学生党员的工作力度”的要求,在新的历史条件下如何保证大学生党员发展的质量是一个崭新的课题。本文从全面质量管理的理念出发,运用概括的五个质量管理原则,就如何在大学生党员发展工作中贯彻全面质量管理的理念作了一些探索。
- 季红兵季凌燕
- 关键词：大学生党员发展质量管理
- 双通道流水线型10位嵌入式A/D转换器的分析与设计
- 本论文的目标是设计一种双通道10位，每级1.5位，采样速率为20Msps的流水线型结构A/D转换器。
随着计算机技术、信号处理技术、微电子技术的快速发展，数字集成电路的迅猛发展带来了前所未有的高复杂信号的处理能...
- 季红兵
- 关键词：A/D转换器电路设计寄存器
- 文献传递
- 高校二级人事分类管理模式初探被引量：2
- 2006年
- 二级管理模式在高校管理中正在不断推进和逐步完善。人事管理是高校管理中的重要组成部分,受“二八原理”的启发,针对高校人才构成的特殊性,高校人事管理以人力资源管理为导向,以校院二级管理为基础,对不同的人才群体在管理理念、管理任务、管理重点及管理手段和方式上实行分类指导,以达到管理的目的并取得最佳效益。
- 季红兵高江宁
- 关键词：二级管理人力资源
- HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1
- 2010年
- 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平
- HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究
- 2010年
- 为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平
- 关键词：迁移率
- 超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1
- 2010年
- 通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平
