2025年3月19日
星期三
|
欢迎来到营口市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
孙波
作品数:
13
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中国科学院半导体研究所
更多>>
相关领域:
一般工业技术
电子电信
更多>>
合作作者
伊晓燕
中国科学院半导体研究所
王国宏
中国科学院半导体研究所
刘志强
中国科学院半导体研究所
魏学成
中国科学院半导体研究所
赵丽霞
中国科学院半导体研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
13篇
中文专利
领域
1篇
电子电信
1篇
一般工业技术
主题
11篇
氮化镓
10篇
发光
9篇
二极管
9篇
发光二极管
6篇
刻蚀
4篇
电流扩展
4篇
刻蚀深度
3篇
多量子阱
3篇
纳米
3篇
衬底
2篇
氮化镓基发光...
2篇
掩模
2篇
荧光粉
2篇
制作方法
2篇
中间层
2篇
图形化
2篇
退火
2篇
自支撑
2篇
阻挡层
2篇
量子效率
机构
13篇
中国科学院
作者
13篇
孙波
11篇
王国宏
11篇
伊晓燕
9篇
刘志强
7篇
赵丽霞
7篇
魏学成
4篇
郭恩卿
4篇
汪炼成
2篇
段瑞飞
2篇
安铁雷
2篇
孔庆峰
2篇
魏同波
1篇
张逸韵
年份
3篇
2014
2篇
2013
5篇
2012
3篇
2011
共
13
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
纳米氮化镓发光二极管的制作方法
一种纳米氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:取一衬底;在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层,形成基片;在基片的p-GaN层上生长中间层;在中间层生长纳米图形层;以纳米图形层作掩膜,...
孙波
赵丽霞
伊晓燕
刘志强
魏学成
王国宏
文献传递
制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层;步骤3:在p-GaN耦合层上生长纳米金属层;步骤4:在纳米...
孙波
赵丽霞
伊晓燕
刘志强
魏学成
王国宏
文献传递
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一氮化镓LED外延片,该外延片由衬底,N型氮化镓,多量子阱,铝镓氮EBL和P型氮化镓组成;步骤2:将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元,每个单元就是...
郭恩卿
伊晓燕
汪炼成
孙波
王国宏
文献传递
自支撑氮化镓衬底的制作方法
本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法,其中包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长一层薄膜层;步骤3:在薄膜层上生长一层纳米薄膜,得到一基片;步骤4:对基片进行退火,退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒,...
孙波
伊晓燕
刘志强
汪炼成
郭恩卿
王国宏
自支撑氮化镓衬底的制作方法
本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法,其中包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长一层薄膜层;步骤3:在薄膜层上生长一层纳米薄膜,得到一基片;步骤4:对基片进行退火,退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒,...
孙波
伊晓燕
刘志强
汪炼成
郭恩卿
王国宏
文献传递
银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法
一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管,其中包括:一衬底;一外延层,制作在衬底上面,该外延层为台阶状,其的一侧形成有一台面,该外延层用以受激,发光,电注入;一纳米薄膜,生长在外延层上,用于做电流扩展层;一二氧化硅层,制作...
孙波
赵丽霞
伊晓燕
刘志强
魏学成
王国宏
文献传递
制作微纳米柱发光二极管的方法
本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括在发光二极管外延片上生长抗刻蚀层;在抗刻蚀层上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模;采用物理刻蚀的方法,将周期结构图形掩模转移至抗刻蚀层和发光二极管外延片上,形成微纳米...
安铁雷
孙波
孔庆峰
魏同波
段瑞飞
文献传递
制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层;步骤3:在p-GaN耦合层上生长纳米金属层;步骤4:在纳米...
孙波
赵丽霞
伊晓燕
刘志强
魏学成
王国宏
文献传递
大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法
一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上生长中间层;步骤4:在中间层上生长纳米图形层;步骤5:采用等离子体刻蚀的...
孙波
赵丽霞
伊晓燕
刘志强
魏学成
王国宏
文献传递
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括:一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜;一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上;一电子阻挡层...
张逸韵
汪炼成
郭恩卿
孙波
伊晓燕
王国宏
文献传递
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张