孙文成
- 作品数：2 被引量：35H指数：2
- 供职机构：山东大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺机械工程更多>>
- SiC的高温抗氧化性分析被引量：32
- 2002年
- 研究了碳化硅表面高温氧化层的微观结构 ,分析了反应产物对高温抗氧化性能的影响 .碳化硅材料在 136 0℃以下 ,表面氧化较为轻微 ,抗氧化性能稳定 .温度高于 136 0℃后 ,SiC颗粒的尖角部位首先被氧化 .所形成的表面氧化层与碳化硅基体的分界清晰 ,无过渡区 ,并且始终不能形成致密氧化层 .表面二氧化硅层中除了存在石英和方石英以外 ,还存在非晶态的二氧化硅 .
- 常春陈传忠孙文成
- 关键词：显微结构
- SiC/55MoSi_2材料的微观结构和电热性能被引量：3
- 2003年
- 研究了孔隙率为9.4％的SiC/55MoSi_2(其中SiC体积分数为45％,MoSi_2体积分数为55％)电热材料的微观结构和电热性能。材料中的SiC被MoSi_2包围,两种组分的连接处虽然边界清晰,但并不存在成分的突变,有一宽度小于4μm的成分过渡区。过渡区内Fe,W杂质元素富集于靠近MoSi_2的一侧。氧元素的最高含量没有处于过渡区的中间部位,而是富集于靠近MoSi_2的一侧。温度与氧化质量增量关系表明,1560℃以下材料的氧化质量增量变化很小,接近单一的MoSi_2材料。材料中SiC组分氧化所产生的CO或CO_2气体,形成细小而分散的气泡,并停留在表面氧化层中。
- 常春陈传忠孙文成刘相法
- 关键词：电热材料二硅化钼过渡区
