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姜楠楠

作品数:7 被引量:6H指数:1
供职机构:新疆大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院西部之光基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇溶剂
  • 3篇溶剂热
  • 3篇纤锌矿
  • 3篇纳米棒
  • 3篇ZNSE
  • 3篇ALN
  • 3篇MN掺杂
  • 3篇掺杂
  • 2篇导体
  • 2篇室温铁磁性
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇纤锌矿结构
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积

机构

  • 7篇新疆大学
  • 1篇中国科学院新...

作者

  • 7篇姜楠楠
  • 6篇李锦
  • 6篇简基康
  • 6篇吴荣
  • 5篇孙言飞
  • 2篇任银拴
  • 2篇潘东
  • 1篇娄阳
  • 1篇李强
  • 1篇任会会
  • 1篇常爱民

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
ZnE(E=S,Se,Te)和Mn掺杂AIN纳米结构的制备及表征
宽带隙半导体纳米材料由于其特殊的理化性质和重要的应用前景引起广泛的关注,其可控制备一直是纳米科学研究的热点。ZnE (E=S,Se,Te)作为重要的宽禁带、直接带隙的II-VI族半导体,具有优异的光电化学性能,在激光器和...
姜楠楠
关键词:ZNSZNSEZNTE
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一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法
本发明公开了一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法,属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法,在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒。高纯Al粉、无水AlCl<Sub>3</Sub>,高纯Mn粉和...
吴荣任会会姜楠楠任银拴简基康李锦孙言飞
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一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法
本发明公开了一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法。本方法采用无催化剂辅助下化学气相沉积法,以无水AlCl<Sub>3</Sub>、无水MnCl<Sub>2</Sub>和NH<Sub>3</Sub>气分别作为A...
吴荣娄阳姜楠楠任银拴简基康李强李锦孙言飞
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一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法
本发明公开了一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法,是通过以下工艺过程实现的:将分析纯的Se源或Te源放入聚四氟乙烯内衬,加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80%。磁搅拌数分钟,再加入分析纯的Z...
吴荣姜楠楠简基康潘东李锦孙言飞
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一种溶剂热制备纤锌矿ZnS细纳米棒的方法
本发明公开了一种溶剂热制备纤锌矿ZnS细纳米棒的方法,是通过以下工艺过程实现的:将分析纯的S源放入聚四氟乙烯内衬,加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80%。磁搅拌数分钟,再加入分析纯的Zn源,磁搅拌均匀后密...
吴荣姜楠楠简基康李锦孙言飞
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溶剂热法合成ZnSe纳米材料被引量:6
2013年
以乙酸锌为锌源,Na2SeO3 5H2O或Se粉为硒源,采用溶剂热法在乙醇胺(EA)溶剂中一步合成晶型和形貌可控的闪锌矿和纤锌矿结构的ZnSe纳米材料。利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的晶型、成分和形貌进行了表征。结果表明,Se源的选取直接决定了ZnSe纳米材料的晶型和形貌:以Na2SeO3 5H2O为源,产物为立方相闪锌矿结构的ZnSe纳米颗粒,直径30 nm左右;以Se粉为源,产物为六方相纤锌矿结构的ZnSe纳米片,厚度约50 nm。进一步的研究表明,具有合适配位能力的乙醇胺溶剂和Se源对ZnSe纳米结构的合成起重要作用。通过紫外-可见光谱(UV-Vis)和室温光致发光光谱(PL)表征了产物的光学性质。
吴荣姜楠楠李锦简基康常爱民
关键词:溶剂热ZNSE闪锌矿纤锌矿
一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法。本方法采用Al靶和金属镍片进行磁控共溅射,系统的本底真空度为10<Sup>-4</Sup>Pa-10<Sup>-5</Sup>Pa,溅射过程中工作气体为高纯的...
吴荣潘东简基康姜楠楠李锦孙言飞
文献传递
共1页<1>
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